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FET, MOSFET Matriza (6056)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | EPC2106ENGRT | - |  | 7434 | 0,00000000 | EPC | Egan® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | Morrer | EPC210 | Ganfet (Nitreto de Gálio) | - | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0040 | 2.500 | 2 canal n (Meia Ponte) | 100V | 1.7a | 70mohm @ 2a, 5V | 2,5V a 600µA | 0,73NC @ 5V | 75pf @ 50V | - | ||
 | AON4605 | - | | 1857 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | AON460 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.9W | 8-DFN (3x2) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 30V | 4.3a, 3.4a | 50mohm @ 4.3a, 10V | 2,5V a 250µA | 5NC @ 10V | 210pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||
 | SISF04DN-T1-GE3 | 1.3400 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® 1212-8SCD | SISF04 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5.2W (TA), 69,4W (TC) | PowerPak® 1212-8SCD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SISF04DN-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | 30V | 30a (ta), 108a (tc) | 4mohm @ 7a, 10V | 2.3V A 250µA | 60NC @ 10V | 2600pf @ 15V | - | ||
 | IPG20N06S415ATMA1 | - | | 8826 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-powervdfn | IPG20N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 50W | Pg-tdson-8-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 20a | 15.5mohm @ 17a, 10V | 4V @ 20µA | 29NC @ 10V | 2260pf @ 25V | - | ||
 | AON7810 | 0,5700 | | 51 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-POWERSMD, FIOS Planos | AON781 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.1W | 8-DFN (3x3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6a | 14mohm @ 6a, 10V | 2.3V A 250µA | 12.2NC @ 10V | 542pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
 | FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 | 148.8400 | | 30 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™ | Bandeja | Ativo | - | Montagem do chassi | Módlo | FF17MR12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | - | Ag-Easy1b | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 1200V (1,2kV) | - | - | - | - | - | - | ||
 | 2SK3706-mg5 | 5.5400 | | 11 | 0,00000000 | Sanyo | * | Volume | Ativo | 2SK370 | - | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||
| QJD1210SB1 | - | | 5508 | 0,00000000 | Powerex Inc. | * | Volume | Ativo | QJD1210 | - | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | |||||||||||||||
| UPA2793GR (0) -E1 -AZ | 1.7100 | | 75 | 0,00000000 | Renesas | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C. | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura) | UPA2793 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TA) | 8-SOP | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | 2156-UPA2793GR (0) -E1-AZ | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N E P-Canal | 40V | 7a (ta) | 15mohm @ 3.5a, 10v, 26mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 40NC @ 10V, 45NC @ 10V | 2200pf @ 10V | - | ||
 | DMC2020USD-13 | 0,7900 | | 9646 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | DMC2020 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.8W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 20V | 7.8a, 6.3a | 20mohm @ 7a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 11.6nc @ 4.5V | 1149pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
 | IRF7501TRPBF | - | | 4370 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-TSSOP, 8 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) | IRF7501 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.25W | Micro8 ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 2.4a | 135mohm @ 1.7a, 4.5V | 700MV A 250µA | 8nc @ 4.5V | 260pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
 | IRF7350TRPBF | - | | 4854 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF7350 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N E P-Canal | 100V | 2.1a, 1.5a | 210mohm @ 2.1a, 10V | 4V A 250µA | 28NC @ 10V | 380pf @ 25V | - | |||
 | SI4913DY-T1-E3 | - | | 2949 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4913 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 7.1a | 15mohm @ 9.4a, 4.5V | 1V @ 500µA | 65NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||
| IRF730U | 0,5700 | | 3987 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Volume | Ativo | IRF73 | - | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 417 | - | ||||||||||||||
 | FDS6930A | - | | 5386 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDS6930 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 900MW | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 5.5a | 40mohm @ 5.5a, 10V | 3V A 250µA | 7NC @ 5V | 460pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
 | IAUC60N04S6L045HATMA1 | 2.0500 | | 29 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-powervdfn | IAUC60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 52W (TC) | Pg-tdson-8-57 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canal n (Meia Ponte) | 40V | 60a (TJ) | 4.5mohm @ 30a, 10V | 2V @ 13µA | 19NC @ 10V | 1136pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
| UPA2350T1G-E4-A | 0,7200 | | 5 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Volume | Obsoleto | Montagem NA Superfície | 4-XBGA, 4-FCBGA | UPA2350 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.3W | 4-flipchip | - | Não Aplicável | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 6a | 35mohm @ 3a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 8.6NC @ 4V | 542pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||||
 | Ntlud3191pztag | - | | 6404 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-UFDFN PAD EXPOSTO | Ntlud31 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 6-udfn (1,6x1,6) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 1.1a | 250mohm @ 1.5a, 4.5V | 1V a 250µA | 3.5NC @ 4.5V | 160pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||
 | IPG20N06S4L26AATMA1 | 1.1700 | | 5277 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 8-powervdfn | IPG20N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 33W | PG-TDSON-8-10 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 20a | 26mohm @ 17a, 10V | 2.2V @ 10µA | 20NC @ 10V | 1430pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
| DMT6018LDR-7 | 0,8900 | | 2237 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-powervdfn | DMT6018 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.9W | V-DFN3030-8 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 8.8a (ta) | 17mohm @ 8.2a, 10V | 3V A 250µA | 13.9NC @ 10V | 869pf @ 30V | - | ||
| APTM20DHM08G | - | | 8885 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp6 | APTM20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 781W | Sp6 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) Assimético | 200V | 208a | 10mohm @ 104a, 10V | 5V @ 5MA | 280NC @ 10V | 14400pf @ 25V | - | |||
| FDS8958 | - | | 7563 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDS89 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 30V | 7a, 5a | 28mohm @ 7a, 10V | 3V A 250µA | 26NC @ 10V | 789pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||
 | DMN3022LFG-7 | 0,3891 | | 5647 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-Powerldfn | DMN3022 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.96W (TA) | PowerDi3333-8 (Tipo D) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 7.6a (ta), 15a (tc) | 22mohm @ 10a, 5v, 8mohm @ 10a, 5v | 2.1V a 250µA, 1,2V a 250µA | 3.7NC @ 4.5V, 8NC @ 4.5V | 481pf @ 15V, 996pf @ 15V | - | ||
| 2SJ653-CB11-ON | 1.7400 | | 6 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | 2SJ65 | - | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||
 | SSFK3220B | 0,3900 | | 6 | 0,00000000 | Semicondutor de Boa Coisa | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 275MW (TC) | SC-88 (SC-70-6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N E P-Canal | 20V | 800mA (TC) | 300MOHM @ 500MA, 4,5V | 1V a 250µA | 2NC @ 4.5V | 75pf @ 10V | Portão de Nível Lógico, unidade de 1,5V | |||
| APTM50DSK10T3G | - | | 5679 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP3 | APTM50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 312W | SP3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 500V | 37a | 120mohm @ 18.5a, 10V | 5V @ 1MA | 96NC @ 10V | 4367pf @ 25V | - | |||
 | PJX8839_R1_00001 | 0,0832 | | 3270 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-563, SOT-666 | PJX8839 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 300mW (TA) | SOT-563 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PJX8839_R1_00001TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 2 Canal P (Duplo) | 60V | 200Ma (TA) | 4ohm @ 500mA, 10V | 2,5V a 250µA | 1.1NC @ 4.5V | 51pf @ 25V | - | |
| APTC90DSK12T1G | - | | 3907 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Coolmos ™ | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP1 | APTC90 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 250W | SP1 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal 2 n (Duplo Helicador) | 900V | 30a | 120mohm @ 26a, 10V | 3.5V @ 3Ma | 270NC @ 10V | 6800pf @ 100V | Super Junction | ||||
 | Sh8ke6tb1 | 1.7200 | | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Sh8ke6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W (TA) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 100V | 4.5a (ta) | 58mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 6.7NC @ 10V | 305pf @ 50V | - | ||
| SI4500BDY-T1-E3 | - | | 7254 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4500 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.3W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal, Dreno Comum | 20V | 6.6a, 3.8a | 20mohm @ 9.1a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 17NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico |
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