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FET, MOSFET Matriza (6056)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7103TRPBF | 0,9800 |  | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF71 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 canal n (Duplo) | 50V | 3a | 130mohm @ 3a, 10V | 3V A 250µA | 30NC @ 10V | 290pf @ 25V | - | ||
| IRF7380TRPBF | 1.4700 | | 2 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF7380 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 canal n (Duplo) | 80V | 3.6a | 73mohm @ 2.2a, 10V | 4V A 250µA | 23NC @ 10V | 660pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
 | FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | - | | 2071 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | FF23MR12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | - | Ag-Easy1bm-2 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 2 Independente | 1200V (1,2kV) | 50a | 22.5mohm @ 50a, 15V | 5.5V @ 20MA | 124NC @ 15V | 3680pf @ 800V | - | ||
 | SI4992EY-T1-GE3 | - | | 6227 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4992 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 75V | 3.6a | 48mohm @ 4.8a, 10V | 3V A 250µA | 21NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | ||
 | MP6M11TCR | - | | 9922 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-SMD, FiOS Planos | MP6M11 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | Mpt6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N E P-Canal | 30V | 3.5a | 98mohm @ 3.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 1.9NC @ 5V | 85pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
 | FDMC7200S | 0,9300 | | 3 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-POWERWDFN | FDMC72 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 700MW, 1W | 8-Power33 (3x3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 7a, 13a | 22mohm @ 6a, 10V | 3V A 250µA | 10NC @ 10V | 660pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
 | CAB006A12GM3 | 355.3000 | | 1 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | CAB006 | Carboneto de Silício (sic) | 10MW (TC) | - | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 18 | 2 canal n (Meia Ponte) | 1200V (1,2kV) | 200a (TJ) | 6.9mohm @ 200a, 15V | 3.6V @ 69MA | 708NC @ 15V | 20400pf @ 800V | - | ||||
 | GE17042BCA3 | 1.0000 | | 4 | 0,00000000 | GE Aeroespacial | - | Volume | Ativo | 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | GE17042 | Carboneto de Silício (sic) | 1250W | - | download | Rohs Não Compatível | Não Aplicável | ALCANCE AFETADO | 4014-GE17042BCA3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 1700V (1,7KV) | 425a (TC) | 4.45mohm @ 425a, 20V | 4.5V A 160mA | 1207NC @ 18V | 29100pf @ 900V | - | |
 | NTND31225CZTAG | 0,3700 | | 7 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-xflga | NTND31225 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 125mW (TA) | 6-xllga (0,9x0,65) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N e P-Canal complementar | 20V | 220mA (ta), 127mA (ta) | 1.5OHM @ 100MA, 4,5V, 5OHM @ 100MA, 4,5V | 1V a 250µA | - | 12.3pf @ 15V, 12.8pf @ 15V | - | ||
 | BUK9K13-60EX | 1.6000 | | 7233 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-1205, 8-LFPAK56 | Buk9K13 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 64W | LFPAK56D | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 40A | 12.5mohm @ 10a, 5V | 2.1V @ 1Ma | 22.4NC @ 5V | 2953pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
 | ALD110800ASCL | 8.6000 | | 436 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | ALD110800 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 16-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1017 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n-canal, par correspondente | 10.6V | - | 500OHM @ 4V | 10MV@ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |
 | APTM50DUM17G | - | | 1595 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp6 | APTM50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1250W | Sp6 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 500V | 180A | 20mohm @ 90a, 10V | 5V @ 10Ma | 560NC @ 10V | 28000PF @ 25V | - | |||
 | GE17045EEA3 | 3.0000 | | 8 | 0,00000000 | GE Aeroespacial | Poder sic | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TC) | Montagem do chassi | Módlo | GE17045 | Carboneto de Silício (sic) | 1250W (TC) | - | download | Rohs Não Compatível | Não Aplicável | Fornecedor indefinido | 4014-GE17045EEA3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 CANais N (Ponte de Três Fases) | 1700V (1,7KV) | 425a (TC) | 4.45mohm @ 425a, 20V | 4.5V A 160mA | 1207NC @ 18V | 29100pf @ 900V | - | |
 | QS8M31TR | 0,8300 | | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | QS8M31 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W (TA) | TSMT8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 60V | 3a (ta), 2a (ta) | 112mohm @ 3a, 10v, 210mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 1MA, 3V @ 1MA | 4NC @ 5V, 7.2NC @ 5V | 270pf @ 10V, 750pf @ 10V | - | ||
 | FC6546010R | - | | 6383 | 0,00000000 | Componentes eletrônicos da Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-SMD, FiOS Planos | FC654601 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 150mW | Smini6-f3-b | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 100mA | 12OHM @ 10MA, 4V | 1.5V @ 1µA | - | 12pf @ 3V | Portão de Nível Lógico | |||
| GMM3X160-0055X2-SMD | - | | 8483 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 24-SMD, Asa de Gaivota | GMM3X160 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | - | 24-SMD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 CANais N (Ponte de Três Fases) | 55V | 150a | - | 4V @ 1MA | 110NC @ 10V | - | - | ||
 | PJS6816_S1_00001 | 0,4300 | | 5 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-23-6 | PJS6816 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.25W (TA) | SOT-23-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 5.2a (ta) | 29mohm @ 5.2a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 7NC @ 4.5V | 513pf @ 10V | - | ||
 | AON5816 | 0,2977 | | 2112 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-WFDFN PAD EXPOSTO | AON581 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.7W | 6-DFN-EP (2x5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | 20V | 12a (ta) | 6.5mohm @ 12a, 4.5V | 1.3V a 250µA | 35NC @ 4.5V | 2170pf @ 10V | - | ||
 | FDY4001CZ | 0,1000 | | 111 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-563, SOT-666 | Fdy40 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 446MW | SOT-563F | download | Não Aplicável | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 20V | 200Ma, 150mA | 5ohm @ 200Ma, 4.5V | 1,5V a 250µA | 1.1NC @ 4.5V | 60pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||
 | TPS1120D | 1.6926 | | 6836 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TPS1120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 840mw | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 75 | 2 Canal P (Duplo) | 15V | 1.17a | 180mohm @ 1.5a, 10V | 1,5V a 250µA | 5.45NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | ||
 | IPG20N04S4L11AATMA1 | 1.2600 | | 5435 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 8-powervdfn | IPG20N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 41W | PG-TDSON-8-10 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 20a | 11.6mohm @ 17a, 10V | 2.2V @ 15µA | 26NC @ 10V | 1990pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
 | TPD3215M | - | | 1288 | 0,00000000 | Transformal | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Módlo | TPD3215 | Ganfet (Nitreto de Gálio) | 470W | Módlo | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Meia Ponte) | 600V | 70A (TC) | 34mohm @ 30a, 8v | - | 28NC @ 8V | 2260pf @ 100V | - | ||||
 | BSS138BKSH | 0,4800 | | 1 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BSS138 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 445mw | 6-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 320mA (TA) | 1.6OHM @ 320MA, 10V | 1.6V a 250µA | 0,7NC @ 4.5V | 56pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
| IRF7304TR | - | | 3014 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF73 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 4.3a | 90mohm @ 2.2a, 4.5V | 700MV A 250µA | 22NC @ 4.5V | 610pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
| MSCSM170HM12CAG | 996.2500 | | 15 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | MSCSM170 | Carboneto de Silício (sic) | 843W (TC) | - | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-MSCSM170HM12CAG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 Canais N (Ponte Conclatá) | 1700V (1,7KV) | 179a (TC) | 15mohm @ 90a, 20V | 3.2V @ 7.5Ma | 534NC @ 20V | 9900PF @ 1000V | - | |
 | SLA5060 | 8.5100 | | 622 | 0,00000000 | Sanken | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Guia Exposta de 12-sip | SLA50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5W | 12-sip | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | SLA5060 DK | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | 3 NE 3 Canal P (Ponte de Três Fases) | 60V | 6a | 220mohm @ 3a, 4v | - | - | 320pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
| Buk7K25-40E, 115 | 1.0400 | | 1 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-1205, 8-LFPAK56 | Buk7K25 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 32W | LFPAK56D | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 27a | 25mohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | 7.9NC @ 10V | 525pf @ 25V | - | ||
| SI4202DY-T1-GE3 | 1.3900 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4202 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.7W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 12.1a | 14mohm @ 8a, 10V | 2,5V a 250µA | 17NC @ 10V | 710pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||
| IRF6802SDTRPBF | - | | 6639 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | DirectFet ™ ISOMÉTRICO SA | IRF6802 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.7W | DirectFet ™ SA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001530826 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.800 | 2 canal n (Duplo) | 25V | 16a | 4.2mohm @ 16a, 10V | 2.1V @ 35µA | 13NC @ 4.5V | 1350pf @ 13V | Portão de Nível Lógico | |
 | AO4924L | - | | 5327 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | SRFET ™ | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AO492 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 30V | - | 15.8mohm @ 9a, 10V | 2.4V a 250µA | 31NC @ 10V | 1885pf @ 15V | Portão de Nível Lógico |
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