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FET, MOSFET Matriza (6056)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS6986As | 1.0000 |  | 6427 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench®, SyncFET ™ | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDS69 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 900MW | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6.5a, 7.9a | 29mohm @ 6.5a, 10V | 3V A 250µA | 17NC @ 10V | 720pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
 | BSL308CL6327HTSA1 | - | | 4093 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | BSL308 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | PG-TSOP6-6 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 30V | 2.3a, 2a | 80mohm @ 2a, 10V | 2V @ 11µA | 500NC @ 10V | 275pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||
 | DMTH10H032LPDW-13 | 0,3895 | | 7332 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | DMTH10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3W (TA), 37W (TC) | PowerDi5060-8 (Tipo UXD) | download | 31-DMTH10H032LPDW-13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-canal | 100V | 24a (TC) | 32mohm @ 5a, 10V | 2,5V a 250µA | 11.9NC @ 10V | 683pf @ 50V | Padrão | ||||
 | SI1926DL-T1-GE3 | 0,4100 | | 112 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1926 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 510MW | SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 370mA | 1.4ohm @ 340mA, 10V | 2,5V a 250µA | 1.4NC @ 10V | 18.5pf @ 30V | Portão de Nível Lógico | ||
| AON6884L | - | | 6534 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERSMD, FIOS Planos | AON688 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 21W | 8-DFN (5x6) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 34a (TC) | 11.3mohm @ 10a, 10V | 2.7V @ 250µA | 16NC @ 4.5V | 1950pf @ 20V | - | ||
 | ZXMC3F31DN8TA | 0,7100 | | 5300 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | ZXMC3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.8W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N E P-Canal | 30V | 6.8a, 4.9a | 24mohm @ 7a, 10V | 3V A 250µA | 12.9NC @ 10V | 608pf @ 15V | Portão de Nível Lógico, Unidade de 4.5V | ||
 | BUK9K13-60EX | - | | 6785 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-1205, 8-LFPAK56 | Buk9K13 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 64W | LFPAK56D | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 40A | 12.5mohm @ 10a, 5V | 2.1V @ 1Ma | 22.4NC @ 5V | 2953pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | |||||
 | CSD88584Q5DC | 3.7700 | | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 22-powertfdfn | CSD88584Q5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 12w | 22-vson-clip (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Meia Ponte) | 40V | - | 0,95MOHM @ 30A, 10V | 2.3V A 250µA | 88NC @ 4.5V | 12400pf @ 20V | - | ||
 | IRF7504TR | - | | 7810 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP, 8 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) | IRF7504 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.25W | Micro8 ™ | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 1.7a | 270mohm @ 1.2a, 4.5V | 700MV A 250µA | 8.2nc @ 4.5V | 240pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
 | SI1016CX-T1-GE3 | 0,4700 | | 1941 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | SI1016 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 220mw | SC-89 (SOT-563F) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 20V | - | 396mohm @ 500mA, 4,5V | 1V a 250µA | 2NC @ 4.5V | 43pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
 | APTM100H45SCTG | 221.4200 | | 1 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power MOS 7® | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp4 | APTM100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 357W | Sp4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 Canais n (Meia Ponte) | 1000V (1KV) | 18a | 540mohm @ 9a, 10V | 5V @ 2.5mA | 154NC @ 10V | 4350pf @ 25V | - | ||
 | Nttfd4d0n04hltwg | 3.0000 | | 2 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 12-POWERWQFN | Nttfd4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.7W (TA), 26W (TC) | 12-WQFN (3,3x3.3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 488-NTTFD4D0N04HLTWGTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 15a (ta), 60a (tc) | 4.5mohm @ 10a, 10V | 2V @ 50µA | 18NC @ 10V | 1100pf @ 20V | - | |
 | SQJ952EP-T1_BE3 | 1.1400 | | 9816 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SQJ952 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 25W (TC) | PowerPak® SO-8 | download | 1 (ilimito) | 742-SQJ952EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 23a (TC) | 20mohm @ 10.3a, 10V | 2,5V a 250µA | 30NC @ 10V | 1800pf @ 30V | - | |||
 | DMN601DMK-7 | 0,4100 | | 83 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 | DMN601 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 700mW | SOT-26 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 510mA | 2.4ohm @ 200Ma, 10V | 2.5V @ 1MA | 0,304NC @ 4.5V | 50pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
 | SIZ790DT-T1-GE3 | - | | 6718 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-Powerpair ™ | SIZ790 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 27W, 48W | 6-Powerpair ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Meia Ponte) | 30V | 16a, 35a | 9.3mohm @ 15a, 10V | 2.2V A 250µA | 24NC @ 10V | 830pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||
 | SQJ570EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 5611 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SQJ570 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 27W | PowerPak® SO-8 dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 100V | 15a (TC), 9.5a (TC) | 45mohm @ 6a, 10v, 146mohm @ 6a, 10v | 2,5V a 250µA | 20NC @ 10V, 15NC @ 10V | 650pf @ 25V, 600pf @ 25V | - | |||
| GWM120-0075X1-SMDSAM | - | | 5091 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 17-SMD, Asa de Gaivota | GWM120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | - | Isoplus-Dil ™ | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 CANais N (Ponte de Três Fases) | 75V | 110a | 4.9mohm @ 60a, 10V | 4V @ 1MA | 115NC @ 10V | - | - | |||
 | HUFA76429D3ST_QF085 | - | | 5621 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | HUFA76429 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 300 | - | ||||||||||||||
 | CWDM305nd TR13 PBFREE | 0,7200 | | 5 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | CWDM305 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 5.8a | 30mohm @ 2.9a, 10V | 3V A 250µA | 6.3NC @ 5V | 560pf @ 10V | - | ||
 | DMN3022LFG-13 | 0,3632 | | 2798 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-Powerldfn | DMN3022 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.96W (TA) | PowerDi3333-8 (Tipo D) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 7.6a (ta), 15a (tc) | 22mohm @ 10a, 5v, 8mohm @ 10a, 5v | 2.1V a 250µA, 1,2V a 250µA | 3.7NC @ 4.5V, 8NC @ 4.5V | 481pf @ 15V, 996pf @ 15V | - | ||
| IRF740S2515 | 0,7300 | | 2 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Volume | Ativo | IRF740 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
 | Aptm20tdum16pg | - | | 6102 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp6 | APTM20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 390W | Sp6-p | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 CANais N (Ponte de Três Fases) | 200V | 104a | 19mohm @ 52a, 10V | 5V @ 2.5mA | 140NC @ 10V | 7220pf @ 25V | - | |||
 | SIB914DK-T1-GE3 | - | | 8727 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SC-75-6L Dual | SIB914 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.1W | PowerPak® SC-75-6L Dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 8V | 1.5a | 113mohm @ 2.5a, 4.5V | 800mV A 250µA | 2.6NC @ 5V | 125pf @ 4V | - | ||
 | AO4822AL | - | | 5265 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AO482 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 8a | 19mohm @ 8a, 10V | 2.4V a 250µA | 18NC @ 10V | 888pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||
 | SP8K80TB1 | 1.9700 | | 215 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SP8K80 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TA) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 500V | 500mA (TA) | 11.7ohm @ 250mA, 10V | 5V @ 1MA | 3.8NC @ 10V | 23.5pf @ 25V | - | ||
| 2N7002KDW-TP-HF | - | | 4013 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 2N7002 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 300mw | SOT-363 | download | 353-2N7002KDW-TP-HF | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 n-canal | 60V | 340mA | 3ohm @ 500Ma, 10V | 2.5V @ 1MA | - | 40pf @ 10V | Padrão | ||||
| BUK9K17-60EX | 1.6100 | | 265 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-1205, 8-LFPAK56 | Buk9K17 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 53W | LFPAK56D | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 26a | 15.6mohm @ 10a, 10V | 2.1V @ 1Ma | 16.5NC @ 5V | 2223pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
| PMV30XPEA, 215-NXP | - | | 4120 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PMV30 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 1 | - | ||||||||||||||||
| FDS9953A | - | | 6260 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDS99 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 900MW | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 2.9a | 130mohm @ 1a, 10V | 3V A 250µA | 3.5NC @ 10V | 185pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
| APTC90AM60T1G | - | | 6910 | 0,00000000 | Microchip Technology | Coolmos ™ | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP1 | APTC90 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 462W | SP1 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 2 canal n (Meia Ponte) | 900V | 59a | 60mohm @ 52a, 10V | 3.5V @ 6Ma | 540NC @ 10V | 13600pf @ 100V | Super Junction |
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