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Diodos (166326)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
ABZT52B9V1-HF Comchip Technology ABZT52B9V1-HF 0,0690
RFQ
 ECAD 8681 0,00000000 Tecnologia Comchip Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 1,98% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 ABZT52 500 MW SOD-123 - Rohs Compatível 641-ABZT52B9V1-HFTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 450 Na @ 6 V 9.1 v 10 ohms
AMMSZ5251A-HF Comchip Technology AMMSZ5251A-HF 0,0725
RFQ
 ECAD 3854 0,00000000 Tecnologia Comchip Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 AMMSZ5251 500 MW SOD-123 - Rohs Compatível 641-AMMSZ5251A-HFTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 17 V 22 v 29 ohms
AMMSZ5245B-HF Comchip Technology AMMSZ5245B-HF 0,0725
RFQ
 ECAD 6546 0,00000000 Tecnologia Comchip Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 AMMSZ5245 500 MW SOD-123 - Rohs Compatível 641-AMMSZ5245B-HFTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 11 V 15 v 16 ohms
ABZT52C2V0-HF Comchip Technology ABZT52C2V0-HF 0,0690
RFQ
 ECAD 8207 0,00000000 Tecnologia Comchip Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 ABZT52 500 MW SOD-123 - Rohs Compatível 641-ABZT52C2V0-HFTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 150 µA @ 1 V 2 v 100 ohms
ABZT52B13-HF Comchip Technology ABZT52B13-HF 0,0690
RFQ
 ECAD 5281 0,00000000 Tecnologia Comchip Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 ABZT52 500 MW SOD-123 - Rohs Compatível 641-ABZT52B13-HFTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 90 Na @ 8 V 13 v 25 ohms
BZX85C24 Fairchild Semiconductor BZX85C24 0,0300
RFQ
 ECAD 69 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% - Através do buraco Do-204al, DO-41, axial BZX85C24 1.3 w DO-41G download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.000 1,2 V @ 200 mA 500 Na @ 18 V 24 v 25 ohms
SURD109-4T4 onsemi SURD109-4T4 0,3400
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Onsemi * Volume Ativo SURD109 - Não Aplicável 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 2.500
1N4701RL onsemi 1n4701rl 0,0700
RFQ
 ECAD 54 0,00000000 Onsemi * Volume Ativo download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000
HZ6A2TA-E Renesas Electronics America Inc Hz6a2ta-e 0,1100
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * Volume Ativo download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 2.704
1N5359A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5359A 0.1330
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 EIC Semicondutor Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial 5 w DO-15 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 2439-1N5359atr 8541.10.0000 3.000 1,2 V @ 1 A 500 Na @ 17,3 V 24 v 3,5 ohms
MSCDC50H1201AG Microchip Technology MSCDC50H1201AG 103.8400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Microchip Technology - Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo MSCDC50 Silício Schottky - download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 150-MSCDC50H1201AG Ear99 8541.10.0080 1 1,8 V @ 50 A 200 µA A 1700 V 50 a Fase Única 1,2 kV
MSCDC200H170AG Microchip Technology MSCDC200H170AG 925.6200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Microchip Technology - Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo MSCDC200 Silício Schottky Sp6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 150-MSCDC200H170AG Ear99 8541.10.0080 1 1,8 V @ 200 A 800 µA @ 1700 V 200 a Fase Única 1,7 kV
MSCDC50H1701AG Microchip Technology MSCDC50H1701AG 192.2100
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Microchip Technology - Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo MSCDC50 Silício Schottky - download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 150-MSCDC50H1701AG Ear99 8541.10.0080 1 1,8 V @ 50 A 200 µA A 1700 V 50 a Fase Única 1,7 kV
MSCDC50X1201AG Microchip Technology MSCDC50X1201AG 139.6500
RFQ
 ECAD 1966 0,00000000 Microchip Technology - Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo MSCDC50 Silício Schottky - download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 150-MSCDC50X1201AG Ear99 8541.10.0080 1 1,8 V @ 50 A 200 µA A 1200 V 50 a Três fase 1,2 kV
MSC50DC70HJ Microchip Technology MSC50DC70HJ 55.1600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Microchip Technology - Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc MSC50DC70 Silício Schottky SOT-227 (Isotop®) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 150-MSC50DC70HJ Ear99 8541.10.0080 1 1,8 V @ 50 A 200 µA a 700 V 50 a Fase Única 700 v
MM5Z20V Fairchild Semiconductor MM5Z20V 1.0000
RFQ
 ECAD 1416 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 8.000 50 Na @ 14 V 20 v 55 ohms
BZX85C4V7 Fairchild Semiconductor BZX85C4V7 0,0300
RFQ
 ECAD 37 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% - Através do buraco Do-204al, DO-41, axial BZX85C4 1.3 w DO-41G download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 mA 3 µA @ 1 V 4,7 v 13 ohms
MMBZ5248B Fairchild Semiconductor MMBZ5248B 0,0200
RFQ
 ECAD 2130 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 14 V 18 v 21 ohms
SMBZ1514LT3 onsemi SMBZ1514LT3 0,0200
RFQ
 ECAD 70 0,00000000 Onsemi * Volume Ativo - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0050 10.000
SMBZ2606-6LT3 onsemi SMBZ2606-6LT3 0,0200
RFQ
 ECAD 70 0,00000000 Onsemi * Volume Ativo - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0050 10.000
FYD0504SATM Fairchild Semiconductor FYD0504SATM -
RFQ
 ECAD 5460 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Fyd05 Schottky D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 5 A 1 mA a 40 V -65 ° C ~ 150 ° C. 5a -
HZM7.5NB1TL-E Renesas Hzm7.5nb1tl-e 0,1500
RFQ
 ECAD 105 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto ± 2,08% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-MPAK download Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 2156-HZM7.5NB1TL-E Ear99 8541.10.0050 1 2 µA A 4 V 7.21 v 30 ohms
JANTXV1N4104CUR-1 Microchip Technology Jantxv1N4104Cur-1 33.1500
RFQ
 ECAD 7614 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/435 Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AA (Vidro) 1N4104 500 MW DO-213AA download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 mA 500 Na @ 7,6 V 10 v 200 ohms
DB155G GeneSiC Semiconductor DB155G 0,2325
RFQ
 ECAD 6311 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-EDIP (0,321 ", 8,15mm) DB155 Padrão DB download Rohs Compatível 1 (ilimito) DB155GGN Ear99 8541.10.0080 2.500 1,1 V @ 1,5 A 5 µA A 600 V 1.5 a Fase Única 600 v
DF60LB80 SanRex Corporation DF60LB80 46.0900
RFQ
 ECAD 9286 0,00000000 Sanrex Corporation - Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo Padrão - download Rohs Compatível 1 (ilimito) 4076-DF60LB80 Ear99 8541.10.0080 1 1,3 V @ 60 A 8 mA a 800 V 60 a Três fase 800 v
BZX84J-B13,115 NXP Semiconductors BZX84J-B13,115 -
RFQ
 ECAD 1433 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F 550 MW SOD-323F download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-BZX84J-B13,115-954 1 1,1 V @ 100 Ma 100 Na @ 8 V 13 v 10 ohms
GBL203 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBL203 D2G -
RFQ
 ECAD 6323 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, gbl GBL203 Padrão Gbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25 1 V @ 2 A 5 µA A 200 V 2 a Fase Única 200 v
GBU6J Fairchild Semiconductor Gbu6j -
RFQ
 ECAD 9391 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 -SIP, GBU Padrão GBU download Ear99 8541.10.0080 445 1 V @ 6 A 5 µA A 600 V 4.2 a Fase Única 600 v
1N5920C/TR Microchip Technology 1N5920C/tr 5.5195
RFQ
 ECAD 4759 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1,25 w DO-41 - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-1N5920C/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 mA 5 µA A 4 V 6.2 v 2 ohms
PB3510 Yangjie Technology PB3510 1.2620
RFQ
 ECAD 75 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tubo Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-PB3510 Ear99 750
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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