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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HS2MBF | 0,0600 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-221aa, SMB plat do | Padrão | SMBF | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-HS2MBFTR | Ear99 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 2 A | 75 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||||||||||
CMR3U-02M BK PBFREE | 0,2715 | ![]() | 8027 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | CMR3U-02 | Padrão | SMB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 3 A | 50 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||||||||||||
![]() | Rfv5bge6stl | 1.5000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Rfv5bge6 | Padrão | TO-252GE | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,8 V @ 5 A | 40 ns | 10 µA A 600 V | 150 ° C. | 5a | - | ||||||||||||
![]() | VS-80-1309pbf | - | ![]() | 4973 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | * | Tubo | Obsoleto | VS-80 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | NTE5068A | 0,6000 | ![]() | 541 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1 w | DO-35 | download | Rohs Não Compatível | 2368-NTE5068A | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 4.3 v | 9 ohms | ||||||||||||||||||
![]() | MMBD1705 | 0,3400 | ![]() | 42 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Padrão | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par ânodo comum | 30 v | 50mA | 1,1 V @ 50 mA | 700 ps | 50 Na @ 20 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||
![]() | KBJL804G-BP | - | ![]() | 7765 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, kbjl | KBJL804 | Padrão | KBJL | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.400 | 1 V @ 4 a | 5 µA A 400 V | 8 a | Fase Única | 400 v | |||||||||||||||
![]() | CD751A | 1.6100 | ![]() | 556 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | Morrer | 500 MW | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17 ohms | |||||||||||||||
![]() | MBRB1545CTG | - | ![]() | 1179 | 0,00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB1545 | Schottky | D²pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 7.5a | 570 mV @ 7.5 A | 100 µA A 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||
![]() | MMSZ5265C-E3-08 | 0,3200 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123 | MMSZ5265 | 500 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 Na @ 47 V | 62 v | 185 ohms | |||||||||||||||
![]() | VSSAF5L45HM3_A/i | 0,1320 | ![]() | 3827 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, TMBS®, Slimsma ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | SAF5L45 | Schottky | DO-221AC (Slimsma) | download | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 560 mV @ 5 A | 650 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 740pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
![]() | SMZJ3799B-M3/52 | 0,1882 | ![]() | 2856 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SMZJ3799 | 1,5 w | DO-214AA (SMBJ) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA a 20,6 V | 27 v | 23 ohms | |||||||||||||||
![]() | SE70PD-M3/87A | 0,3787 | ![]() | 6785 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | SE70 | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,05 V @ 7 A | 2,5 µs | 20 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2.9a | 76pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | Pzu7.5db2,115 | - | ![]() | 8905 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | 250 MW | 5-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 Independente | 900 mV a 10 mA | 500 Na @ 4 V | 7,5 v | 10 ohms | ||||||||||||||
![]() | BZX84C30HE3-TP | 0,2700 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C30 | 350 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 353-BZX84C30HE3-TPTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 21 V | 30 v | 80 ohms | |||||||||||||
![]() | RD13JS | 0,0600 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR10200CT | - | ![]() | 5038 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | SBR® | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-3 | SBR10200 | Super Barreira | To-220-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 5a | 900 mV @ 5 A | 20 ns | 100 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | JANS1N6633CUS/TR | - | ![]() | 2163 | 0,00000000 | Microchip Technology | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SQ-Melf, e | 5 w | E-Melf | download | 150-JANS1N6633CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 A | 250 µA @ 1 V | 3,6 v | 2,5 ohms | |||||||||||||||||
![]() | SS8PH10-M3/87A | 0,6700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | SS8PH10 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 900 mV @ 8 a | 2 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 140pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
MMBZ5254C-HE3-08 | - | ![]() | 9326 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5254 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 Na @ 21 V | 27 v | 41 ohms | ||||||||||||||||
![]() | BZX55B3V0-TR | 0,0271 | ![]() | 2358 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX55B3V0 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,5 V @ 200 mA | 4 µA A 1 V | 3 v | 85 ohms | ||||||||||||||
![]() | IDV03S60C | 1.1100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | ThinQ! ™ | Volume | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-PARA220-2-22 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 600 v | 1,9 V @ 3 A | 0 ns | 30 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a (DC) | 90pf @ 1V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | BZX55C7V5_NL | 0,0200 | ![]() | 8115 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,3 V @ 100 Ma | 100 Na @ 5 V | 7,5 v | 7 ohms | |||||||||||||||
Jan1n4574a-1/tr | 29.2500 | ![]() | 4293 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JAN1N4574A-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6,4 v | 100 ohms | |||||||||||||||||
![]() | BZV85-C4V3,133 | 0,3900 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | BZV85-C4V3 | 1.3 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1 V @ 50 Ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 13 ohms | ||||||||||||||
1n457/tr | 3.5850 | ![]() | 3262 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Polaridada reversa padrão | DO-35 (DO-204AH) | download | Alcançar Não Afetado | 150-1N457/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 264 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 70 v | 1 V @ 100 Ma | 1 µA A 70 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150mA | - | ||||||||||||||||
![]() | SM4001PL-TP | 0,3000 | ![]() | 85 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | SM4001 | Padrão | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | TZMC1V0-M-18 | - | ![]() | 4937 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, TZM-M | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | TZMC1V0 | 500 MW | SOD-80 MINIMELL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 1 v | ||||||||||||||||
![]() | Cmkz5244b tr | - | ![]() | 1981 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 Independente | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 10 V | 14 v | 15 ohms | |||||||||||||||
AZ23B27-E3-08 | 0,0509 | ![]() | 6678 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | AZ23 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B27 | 300 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 1 par ânodo comum | 100 Na @ 20 V | 27 v | 80 ohms |
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