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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tolerância | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Dissipação de energia (máx.) | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) | Tensão - Zener (Nom) (Vz) | Impedância (Máx.) (Zzt) | Resistência @ Se, F | Razão de capacitância | Condição da relação de capacitância | Q @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX84-B27.215 | 0,0200 | ![]() | 43 | 0,00000000 | NXP EUA Inc. | * | Volume | Ativo | BZX84 | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5537D/TR | 16.3950 | ![]() | 1676 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±1% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-213AA | 500 mW | DO-213AA | - | REACH não afetado | 150-CDLL5537D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V a 200 mA | 10 nA a 15,3 V | 17V | 100 Ohms | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4749AP-TP | 0,0806 | ![]() | 2193 | 0,00000000 | Micro Comercial | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4749 | 1W | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 353-1N4749AP-TPTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 18,2 V | 24 V | 25 Ohms | |||||||||||||||
![]() | G2SB60L-5751E3/45 | - | ![]() | 9048 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, GBL | G2SB60 | padrão | GBL | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V a 750 mA | 5 µA a 600 V | 1,5A | Monofásico | 600 V | |||||||||||||||||
![]() | JANS1N4973DUS/TR | 460.3500 | ![]() | 2584 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±1% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | SQ-MELF, B | 5 W | E-MELF | - | 150-JANS1N4973DUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,5 V a 1 A | 2 µA a 32,7 V | 43V | 20 Ohms | |||||||||||||||||||
![]() | HZS30NB4TD-E | 0,1100 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Renesas Electronics América Inc. | * | Volume | Ativo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMJ5386AE3/TR13 | 0,8100 | ![]() | 2642 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | SMJ5386 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA @ 130 V | 180 V | 430 Ohms | ||||||||||||||||
| MV32006-129A | - | ![]() | 6695 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Bandeja | Ativo | -55°C ~ 175°C | Montagem em superfície | 2-SMD, cabo plano | - | - | REACH não afetado | 150-MV32006-129A | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 2,2pF @ 4V, 1MHz | Solteiro | 22V | 3.5 | C2/C20 | 3000 a 4 V, 50 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | SMAZ5926B-M3/5A | 0,1063 | ![]() | 5653 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | SMAZ5926 | 500 mW | DO-214AC (SMA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,5 V a 200 mA | 5 µA a 8,4 V | 11V | 5,5 Ohms | ||||||||||||||||
![]() | VS-113MT160KPBF | 109.5933 | ![]() | 5124 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo MT-K | 113MT160 | padrão | MT-K | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | VS113MT160KPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 110A | Trifásico | 1,6kV | |||||||||||||||||
![]() | GBPC606/1 | - | ![]() | 1208 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4 quadrados, GBPC-6 | GBPC606 | padrão | GBPC6 | - | RoHS não compatível | Não aplicável | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 V @ 3 A | 5 µA a 600 V | 3A | Monofásico | 600 V | ||||||||||||||||
![]() | 1N4148WS | - | ![]() | 7476 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Montagem em superfície | SC-76, SOD-323 | 1N4148 | padrão | SOD-323 | download | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 75V | 4 ns | -55°C ~ 150°C | 150mA | 2pF a 0 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MA46580-1209 | 12.8933 | ![]() | 9663 | 0,00000000 | Soluções de tecnologia MACOM | - | Bandeja | Ativo | -65°C ~ 150°C | Montagem em superfície | Morrer | MA46580 | Morrer | - | 1 (ilimitado) | 1465-MA46580-1209 | EAR99 | 8541.10.0060 | 100 | 0,5pF @ 4V, 1MHz | Solteiro | 18V | 6,5 | C2/C12 | 3000 a 4 V, 50 MHz | |||||||||||||||||
![]() | B108S_R2_00001 | 0,5000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Panjit Internacional Inc. | B1005S | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | B108S | padrão | 4-MDI | download | Compatível com ROHS3 | Não aplicável | REACH não afetado | 3757-B108S_R2_00001CT | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1,1 V a 1 A | 5 µA a 800 V | 1A | Monofásico | 800V | |||||||||||||||
![]() | 3N257 | - | ![]() | 5289 | 0,00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, KBPM | 3N25 | padrão | KBPM | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 1,1 V a 3,14 A | 5 µA a 600 V | 2A | Monofásico | 600 V | |||||||||||||||||
![]() | BZM55C18-TR | 0,2800 | ![]() | 1929 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZM55 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | - | -65°C ~ 175°C | Montagem em superfície | 2-SMD, sem chumbo | BZM55C18 | 500 mW | MicroMELF | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V a 200 mA | 100 nA @ 13 V | 18V | 170 Ohms | ||||||||||||||||
![]() | FFSH3065B | 9.5200 | ![]() | 464 | 0,00000000 | onsemi | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | FFSH3065 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-247-2 | download | Compatível com ROHS3 | Não aplicável | REACH não afetado | 488-FFSH3065B | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 30 A | 0 ns | 40 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 37A | 1260pF @ 1V, 100kHz | |||||||||||||
![]() | APTDF30H1201G | 40.7200 | ![]() | 7653 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | SP1 | APTDF30 | padrão | SP1 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 3,1 V a 30 A | 100 µA a 1200 V | 43A | Monofásico | 1,2kV | ||||||||||||||||
| GBL005-E3/45 | 0,7456 | ![]() | 8984 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, GBL | GBL005 | padrão | GBL | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.000 | 1,1 V a 4 A | 5 µA a 50 V | 3A | Monofásico | 50 V | |||||||||||||||||
![]() | JANTXV1N3038BUR-1/TR | 16.1196 | ![]() | 8517 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -55°C ~ 175°C | Montagem em superfície | DO-213AB, MELF (vídeo) | 1W | DO-213AB (MELF, LL41) | - | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 150-JANTXV1N3038BUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 42,6 V | 56 V | 110 Ohms | |||||||||||||||||
| BR1001SG-G | 2.1600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | 4-Quadrado, BR-8 | BR1001 | padrão | BR-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 641-1822 | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V a 5 A | 10 µA a 100 V | 10A | Monofásico | 100 V | ||||||||||||||||
![]() | AS1FDHM3/I | 0,1125 | ![]() | 3260 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-219AB | Avalanche | DO-219AB (SMF) | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 112-AS1FDHM3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,15 V a 1,5 A | 1,3µs | 5 µA a 200 V | -55°C ~ 175°C | 1,5A | 8,8 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||
| LVB1560-M3/45 | 6.9300 | ![]() | 889 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, GSIB-5S | LVB1560 | padrão | GSIB-5S | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 900 mV a 7,5 A | 10 µA a 600 V | 15A | Monofásico | 600 V | |||||||||||||||||
![]() | 2M110Z | 0,1565 | ![]() | 8201 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AC, DO-15, Axial | 2M110 | 2W | DO-204AC (DO-15) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.500 | 500 nA a 83,6 V | 110 V | 250 Ohms | |||||||||||||||||
![]() | BZT52C18L3P-TP | 0,0360 | ![]() | 7583 | 0,00000000 | Micro Comercial | - | Volume | Ativo | ±6,39% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 0402 (Métrica 1006) | BZT52C18 | 100 mW | 2-DFN1006 | download | 353-BZT52C18L3P-TP | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 12,6 V | 18V | 45 Ohms | ||||||||||||||||||
![]() | MA47416-132 | 4.6814 | ![]() | 600 | 0,00000000 | Soluções de tecnologia MACOM | - | Bandeja | Ativo | 175°C (TJ) | Morrer | MA47416 | Morrer | download | 1 (ilimitado) | 1465-MA47416-132 | EAR99 | 8541.10.0060 | 100 | 5 W | 0,15pF a 100 V, 1 MHz | PIN - Único | 200V | 6 Ohm a 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | SF43G | - | ![]() | 5568 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | padrão | DO-201AD | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1801-SF43GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 150 V | 1 V @ 4 A | 35 ns | 5 µA a 150 V | -55°C ~ 150°C | 4A | 100pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | JANTXV1N4103DUR-1/TR | 36.8809 | ![]() | 2773 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Montagem em superfície | DO-213AA (vídeo) | 500 mW | DO-213AA | - | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 150-JANTXV1N4103DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 500 nA a 7 V | 9,1 V | 200 Ohms | |||||||||||||||||
![]() | TS15P02GHD2G | - | ![]() | 6995 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado na SIC | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, TS-6P | TS15P02 | padrão | TS-6P | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V a 15 A | 10 µA a 100 V | 15A | Monofásico | 100 V | ||||||||||||||||
![]() | 1PMT4099/TR13 | 1.1250 | ![]() | 1054 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | POWERMITE® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montagem em superfície | DO-216AA | 13:004099 | 1W | DO-216 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,1 V a 200 mA | 10 µA a 5,17 V | 6,8 V | 200 Ohms |

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