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Diodos (166326)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BYVB32-150-E3/81 | 1.0050 |  | 4982 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | BYVB32 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 18a | 1,15 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA A 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
| BYVB32-150HE3_A/i | 0,9405 | | 2827 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | BYVB32 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 18a | 1,15 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA A 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
| BYVB32-200-E3/81 | 1.6500 | | 496 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | BYVB32 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 18a | 1,15 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
| BYVB32-200HE3_A/i | 0,9405 | | 3133 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | BYVB32 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 18a | 1,15 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
| BYWB29-100-E3/81 | 0,8147 | | 4904 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | BYWB29 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||||
| BYWB29-100HE3_A/i | 0,9264 | | 2609 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | BYWB29 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||||
| BYWB29-150-E3/81 | 0,8147 | | 2739 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | BYWB29 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,3 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA A 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||||
 | GI818-E3/54 | - | | 9831 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | GI818 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,2 V @ 1 A | 750 ns | 10 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||||
 | GI824-E3/54 | - | | 8118 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | P600, axial | GI824 | Padrão | P600 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 5 A | 200 ns | 10 µA A 400 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 300pf @ 4V, 1MHz | ||||
 | GI854-E3/54 | - | | 4390 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | GI854 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 3 A | 200 ns | 10 µA A 400 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||
| GI914-E3/54 | - | | 2982 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | GI914 | Padrão | Do-201d | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 3 A | 750 ns | 10 µA A 400 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||
| Gib1401-E3/81 | 0,7496 | | 3308 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Gib1401 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 5 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||||
| Gib2401he3_a/i | 1.2800 | | 3851 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Gib2401 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 16a | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 50 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
| Gib2402he3_a/i | 1.2800 | | 8797 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Gib2402 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 16a | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 50 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
 | GL34G-E3/83 | 0,1505 | | 7770 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | GL34 | Padrão | DO-213AA (GL34) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 500 mA | 1,5 µs | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | 4pf @ 4V, 1MHz | ||||
| GL34GHE3/83 | - | | 3163 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | GL34 | Padrão | DO-213AA (GL34) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Gl34Ghe3_A/i | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 500 mA | 1,5 µs | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | 4pf @ 4V, 1MHz | |||
| GL34J-E3/83 | 0,4100 | | 8 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | GL34 | Padrão | DO-213AA (GL34) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 500 mA | 1,5 µs | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | 4pf @ 4V, 1MHz | ||||
 | GL41D-E3/97 | 0,1246 | | 4523 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | GL41 | Padrão | DO-213AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||
 | GP02-20HE3/54 | - | | 4336 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | GP02 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2000 v | 3 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 2000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 250mA | - | ||||
| GP02-40-E3/54 | 0,5700 | | 675 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | GP02 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 4000 v | 3 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 4000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 250mA | - | ||||
| GP08DHE3/54 | - | | 6891 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | GP08 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 800 mA | 2 µs | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 800mA | - | ||||
| GP08J-E3/54 | 0,1780 | | 3291 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | GP08 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 800 mA | 2 µs | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 800mA | - | ||||
| GP08JHE3/54 | - | | 4225 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | GP08 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 800 mA | 2 µs | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 800mA | - | ||||
| GP10-4002E-E3/54 | 0,1840 | | 4331 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | - | 1a | - | |||||||
| GP10B-4002EHE3/54 | - | | 5576 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | - | 1a | - | |||||||
| GP10D-4003EHE3/54 | - | | 5242 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | - | 1a | - | |||||||
| GP10-4004-E3/54 | 0,1780 | | 3331 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | - | 1a | - | |||||||
| GP10-4005-E3/54 | 0,1780 | | 8628 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | - | 1a | - | |||||||
| GP10J-4005EHE3/54 | - | | 6966 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | - | 1a | - | |||||||
| GP10J-4005HE3/54 | - | | 8224 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | - | 1a | - |
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