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Diodos (166326)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
CD214A-FS1G Bourns Inc. CD214A-FS1G 0,1200
RFQ
 ECAD 1484 0,00000000 Bourns Inc. CD214A-FS1X Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-SMD, sem chumbo Padrão 2-SMD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,25 V @ 1 A 35 ns 5 µA A 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 8pf @ 4V, 1MHz
SMBJ5358C-TP Micro Commercial Co SMBJ5358C-TP -
RFQ
 ECAD 3903 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SMBJ5358 5 w DO-214AA (SMB) - 353-SMBJ5358C-TP Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 1 MA 500 Na @ 16,7 V 22 v 3,5 ohms
1N4495US/TR Microchip Technology 1N4495US/TR 16.0000
RFQ
 ECAD 4980 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície SQ-Melf, a 1,5 w D-5A - Ear99 8541.10.0050 100 1,5 V @ 1 A 250 Na @ 144 V 180 v 1300 ohms
1N1125R Microchip Technology 1N1125R 38.3850
RFQ
 ECAD 4252 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-4, Stud Polaridada reversa padrão DO-4 (DO-203AA) download Alcançar Não Afetado 150-1N1125R Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 300 v 1,2 V @ 30 A 10 µA A 300 V -65 ° C ~ 200 ° C. 12a -
BZX84C51-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C51-G3-18 0,0353
RFQ
 ECAD 1245 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos BZX84-G Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C51 300 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 50 Na @ 35,7 V 51 v 180 ohms
S5M R6 Taiwan Semiconductor Corporation S5M R6 -
RFQ
 ECAD 1647 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-S5MR6TR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,15 V @ 5 A 1,5 µs 10 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 60pf @ 4V, 1MHz
SS315 R7 Taiwan Semiconductor Corporation SS315 R7 -
RFQ
 ECAD 7096 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SS315R7TR Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 950 mV @ 3 a 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
JANTX1N6331DUS/TR Microchip Technology Jantx1n6331dus/tr 58.0500
RFQ
 ECAD 7335 0,00000000 Microchip Technology MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Ativo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície SQ-Melf, b 500 MW B, Sq-Melf - 150-JANTX1N6331DUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1,4 V @ 1 A 50 Na @ 15 V 20 v 18 ohms
PDS540-13-52 Diodes Incorporated PDS540-13-52 0,2059
RFQ
 ECAD 3835 0,00000000 Diodos Incorporados - Volume Ativo Montagem na Superfície Powerdi ™ 5 PDS540 Schottky Powerdi ™ 5 download 31-PDS540-13-52 Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 520 mV @ 5 A 250 µA A 40 V -65 ° C ~ 150 ° C. 5a -
S1T-CT Diotec Semiconductor S1T-CT 0,3093
RFQ
 ECAD 457 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tira Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Padrão DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada 2721-S1T-CT 8541.10.0000 30 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1300 v 1,1 V @ 1 A 1,5 µs 5 µA A 1,3 V -50 ° C ~ 150 ° C. 1a -
SR8045-AP Micro Commercial Co SR8045-AP 0,1658
RFQ
 ECAD 7821 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Ativo Através do buraco Do-201D, axial SR8045 Schottky Do-201d download 353-SR8045-AP Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 650 mV @ 8 a 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 125 ° C. 8a 500pf @ 4V, 1MHz
ZMY8V2-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMY8V2-GS18 0,4200
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 175 ° C. Montagem na Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) ZMY8V2 1 w DO-213AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 500 Na @ 6 V 8.2 v 2 ohms
1N6004B Fairchild Semiconductor 1N6004B 1.8400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 163 1,2 V @ 200 mA 100 Na @ 11 V 15 v 32 ohms
BZX79C5V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C5V1 0,0287
RFQ
 ECAD 3819 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX79 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZX79C5V1TR Ear99 8541.10.0050 20.000 1,5 V @ 100 Ma 2 µA @ 2 V 5.1 v 60 ohms
JANTXV1N4962C Microchip Technology Jantxv1N4962C 19.1850
RFQ
 ECAD 3090 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/356 Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco E, axial 5 w E, axial - Alcançar Não Afetado 150-Jantxv1N4962C Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 A 5 µA A 11,4 V 15 v 3,5 ohms
SR10100H Taiwan Semiconductor Corporation SR10100H 0,5037
RFQ
 ECAD 2038 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SR10100 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-SR10100H Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 10a 850 mv @ 5 a 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
HZU12A1LTRF-E Renesas Electronics America Inc Hzu12a1ltrf-e 0,1000
RFQ
 ECAD 114 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0050 3.000
HS2MA SURGE HS2MA 0,1500
RFQ
 ECAD 195 0,00000000 Surto HS2 Bolsa Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Padrão DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 2616-HS2MA 3A001 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,7 V @ 1,5 A 75 ns 5 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 30pf @ 4V, 1MHz
TSZU52C12 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C12 0,0669
RFQ
 ECAD 7654 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície 0603 (1608 Mética) Tszu52 150 MW 0603 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSZU52C12TR Ear99 8541.10.0050 20.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 9 V 12 v 20 ohms
SMZJ3800B-M3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3800B-M3/52 0.1304
RFQ
 ECAD 7054 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SMZJ3800 1,5 w DO-214AA (SMBJ) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 750 5 µA A 22,8 V 30 v 26 ohms
SMA2EZ75D5-TP Micro Commercial Co SMA2EZ75D5-TP -
RFQ
 ECAD 3699 0,00000000 Micro Commercial Co. - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AC, SMA SMA2EZ75 2 w DO-214AC (SMA) - ROHS3 Compatível 353-SMA2EZ75D5-TPTR Ear99 8541.10.0050 7.500 1,5 V @ 200 mA 500 Na @ 56 V 75 v 90 ohms
BZX884-C2V4,315 Nexperia USA Inc. BZX884-C2V4,315 0,2900
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SOD-882 BZX884-C2V4 250 MW DFN1006-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mV a 10 mA 50 µA @ 1 V 2,4 v 100 ohms
1N5375B NTE Electronics, Inc 1N5375B 0,7600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco T-18, axial 5 w Axial download ROHS3 Compatível 2368-1N5375B Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 1 A 500 Na @ 62,2 V 82 v 65 ohms
1N4370A/TR Microchip Technology 1n4370a/tr 3.4363
RFQ
 ECAD 6557 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-1N4370A/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 mA 100 µA @ 1 V
AZ23B4V7-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B4V7-HE3-18 0,0534
RFQ
 ECAD 5938 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, AZ23 Tape & Reel (TR) Última Vez compra ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B4V7 300 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1 par ânodo comum 4,7 v 78 ohms
BZV90-C9V1,115 NXP USA Inc. BZV90-C9V1,115 -
RFQ
 ECAD 9630 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo BZV90 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.000
CBRHDSH1-40L TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CBRHDSH1-40L TR13 PBFREE 1.0200
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Tape & Reel (TR) Ativo -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota CBRHDSH1 Schottky Mergulhe 4-HD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 440 mV @ 1 a 50 µA A 40 V 1.2 a Fase Única 40 v
SML4750AHE3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4750AHE3/5A -
RFQ
 ECAD 9436 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic ± 5% 150 ° C. Montagem na Superfície DO-214AC, SMA SML4750 1 w DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 5 µA a 20,6 V 27 v 35 ohms
JANTX1N4954 Microchip Technology Jantx1N4954 6.3300
RFQ
 ECAD 6395 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/356 Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Através do buraco E, axial 1N4954 5 w download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 A 150 µA a 5,2 V 6,8 v 1 ohms
SMZJ3790BHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smzj3790bhm3_a/h 0,1815
RFQ
 ECAD 4105 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AA, SMB Smzj3790 1,5 w DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 750 10 µA a 8,4 V 11 v 6 ohms
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