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Diodos (168966)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Resistência @ se, f | Razão de Capacitânncia | Condição da Razão de Capacitância | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MV31019-P00 | - |  | 5494 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | Morrer | Chip | - | Alcançar Não Afetado | 150-MV31019-P00 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 2.7pf @ 4V, 1MHz | Solteiro | 22 v | 10.8 | C2/C20 | 2000 @ 4V, 50MHz | ||||||||||
| MV32005-150A | - | | 4894 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | Morrer | Chip | - | Alcançar Não Afetado | 150-MV32005-150ATR | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 1.8pf @ 4V, 1MHz | Solteiro | 22 v | 3.4 | C2/C20 | 3000 @ 4V, 50MHz | ||||||||||
| UM9601 | - | | 6203 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Bolsa | Ativo | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2-SMD | - | - | Alcançar Não Afetado | 150-UM9601 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 7,5 w | 1.2pf @ 100V, 1MHz | Pino - único | 100V | 600MOHM @ 100MA, 100MHz | ||||||||||||
| Um7201b | - | | 2407 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -65 ° C ~ 175 ° C. | Axial | Axial | - | Alcançar Não Afetado | 150-UM7201BTR | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 5,5 w | 2.2pf @ 100V, 1MHz | Pino - único | 100V | 250mohm @ 100mA, 100MHz | ||||||||||||
| UM7010SM | - | | 6725 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -65 ° C ~ 175 ° C. | SQ-Melf | - | - | Alcançar Não Afetado | 150-UM7010SMTR | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 8 w | 0,9pf @ 100V, 1MHz | Pino - único | 1000V | 1OHM @ 100MA, 100MHz | ||||||||||||
| GC15012-150D/TR | - | | 3173 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 125 ° C. | Montagem na Superfície | Morrer | GC15012 | Chip | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-GC15012-150D/TR | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 6.8pf @ 20V, 1MHz | Solteiro | 22 v | 13 | C0/C20 | 400 @ 4V, 50MHz | |||||||
| GC2532-150A/TR | - | | 4803 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 125 ° C. | Montagem na Superfície | Morrer | GC2532 | Chip | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-GC2532-150A/tr | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 0,8pf @ 6V, 1MHz | Solteiro | 30 v | - | - | ||||||||
| G3SBA60L-5700E3/51 | - | | 8244 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | G3SBA60 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 2 A | 5 µA A 600 V | 2.3 a | Fase Única | 600 v | |||||||||
| G3SBA60L-5705M3/51 | - | | 7388 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | G3SBA60 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 2 A | 5 µA A 600 V | 2.3 a | Fase Única | 600 v | |||||||||
| G3SBA60L-6088E3/51 | - | | 6354 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | G3SBA60 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 2 A | 5 µA A 600 V | 2.3 a | Fase Única | 600 v | |||||||||
| G3SBA60L-6841E3/51 | - | | 2792 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | G3SBA60 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 2 A | 5 µA A 600 V | 2.3 a | Fase Única | 600 v | |||||||||
| GBL06L-5308E3/51 | - | | 8306 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, gbl | GBL06 | Padrão | Gbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 4 a | 5 µA A 600 V | 3 a | Fase Única | 600 v | |||||||||
| GBL06L-6870E3/51 | - | | 5070 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, gbl | GBL06 | Padrão | Gbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 4 a | 5 µA A 600 V | 3 a | Fase Única | 600 v | |||||||||
| GBL08L-5701E3/51 | - | | 4223 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, gbl | GBL08 | Padrão | Gbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 4 a | 5 µA A 800 V | 3 a | Fase Única | 800 v | |||||||||
| GBU4A-1E3/51 | - | | 3015 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU4 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 4 a | 5 µA a 50 V | 3 a | Fase Única | 50 v | |||||||||
| GBU4DL-5303M3/51 | - | | 3014 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU4 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 4 a | 5 µA A 200 V | 3 a | Fase Única | 200 v | |||||||||
| GBU4JL-5708M3/51 | - | | 4223 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU4 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 4 a | 5 µA A 600 V | 3 a | Fase Única | 600 v | |||||||||
| GBU4KL-6437M3/51 | - | | 6261 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU4 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 4 a | 5 µA A 800 V | 3 a | Fase Única | 800 v | |||||||||
| GBU6DL-5300M3/51 | - | | 2827 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU6 | Padrão | GBU | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 A | 5 µA A 200 V | 3.8 a | Fase Única | 200 v | |||||||||
| GBU6J-1E3/51 | - | | 9783 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU6 | Padrão | GBU | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 A | 5 µA A 600 V | 3.8 a | Fase Única | 600 v | |||||||||
| GBU6J-1M3/51 | - | | 3197 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU6 | Padrão | GBU | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 A | 5 µA A 600 V | 3.8 a | Fase Única | 600 v | |||||||||
| GBU6JL-5000E3/51 | - | | 7092 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU6 | Padrão | GBU | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 A | 5 µA A 600 V | 3.8 a | Fase Única | 600 v | |||||||||
| GBU6JL-5303E3/45 | - | | 6488 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU6 | Padrão | GBU | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 A | 5 µA A 600 V | 3.8 a | Fase Única | 600 v | |||||||||
| GBU6JL-7001E3/45 | - | | 5589 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU6 | Padrão | GBU | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 A | 5 µA A 600 V | 3.8 a | Fase Única | 600 v | |||||||||
| GBU6JL-7002M3/45 | - | | 8373 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU6 | Padrão | GBU | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 A | 5 µA A 600 V | 3.8 a | Fase Única | 600 v | |||||||||
| GBU6KL-5300E3/51 | - | | 7395 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU6 | Padrão | GBU | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 A | 5 µA A 800 V | 3.8 a | Fase Única | 800 v | |||||||||
| GBU6KL-6441E3/51 | - | | 8301 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU6 | Padrão | GBU | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 A | 5 µA A 800 V | 3.8 a | Fase Única | 800 v | |||||||||
| GBU6KL-6441M3/51 | - | | 4027 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU6 | Padrão | GBU | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 A | 5 µA A 800 V | 3.8 a | Fase Única | 800 v | |||||||||
| GBU8DL-6903M3/51 | - | | 6146 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU8 | Padrão | GBU | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 8 A | 5 µA A 200 V | 3.9 a | Fase Única | 200 v | |||||||||
| GBU8JL-5700E3/51 | - | | 2144 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU8 | Padrão | GBU | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 8 A | 5 µA A 600 V | 3.9 a | Fase Única | 600 v |
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