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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tolerância | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tensão - Zener (Nom) (Vz) | Impedância (Máx.) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RB238T100NZC9 | 2.7600 | ![]() | 864 | 0,00000000 | Rohm Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | Pacote completo TO-220-3 | RB238 | Schottky | TO-220FN | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 100V | 40A | 860 mV a 20 A | 20 µA a 100 V | 150ºC | ||||||||||
![]() | MBRB30H60CTHE3_B/P | 1.1220 | ![]() | 2983 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MBRB30 | Schottky | TO-263AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 60 V | 15A | 680 mV a 15 A | 60 µA a 60 V | -65°C ~ 175°C | ||||||||||
![]() | SBR10U45SD1-T | 0,8900 | ![]() | 76 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | SBR® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | SBR10 | Superbarreira | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 45V | 470 mV a 10 A | 300 µA a 45 V | -65°C ~ 150°C | 10A | - | ||||||||||
![]() | 20CTH03STRL | - | ![]() | 8439 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | FRED Pt® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | 20CTH03 | padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 300V | 10A | 1,25 V a 10 A | 35 ns | 20 µA a 300 V | -65°C ~ 175°C | |||||||||
![]() | NRVUD620CTG-VF01 | 0,2373 | ![]() | 4109 | 0,00000000 | onsemi | SWITCHMODE™ | Tubo | Obsoleto | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | NRVUD620 | padrão | DPAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 200 V | 3A | 1 V @ 3 A | 35 ns | 5 µA a 200 V | -65°C ~ 175°C | |||||||||
![]() | UFS305J/TR13 | 2.6100 | ![]() | 1820 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | UFS305 | padrão | DO-214AB | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 950 mV a 3 A | 30 segundos | 10 µA a 50 V | -55°C ~ 175°C | 3A | - | |||||||||
![]() | JANTX1N1202A | 69.5850 | ![]() | 6491 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/260 | Volume | Ativo | Montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | 1N1202 | padrão | DO-203AA | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 2,3 V a 240 A | 5 µA a 200 V | -65°C ~ 150°C | 12A | - | ||||||||||
![]() | DSP8-12AS-TRL | 2.3665 | ![]() | 3238 | 0,00000000 | IXYS | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-4, D²Pak (3 derivações + guia), TO-263AA | DSP8 | padrão | TO-263 (D²Pak) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | Conexão em série de 1 par | 1200 V | 11A | 1,15 V a 7 A | 5 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | ||||||||||
![]() | TPAU3J S1G | 1.1700 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-277, 3-PowerDFN | TPAU3 | Avalanche | TO-277A (SMPC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,88 V a 3 A | 75ns | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | 3A | 60pF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | RL104-N-0-3-AP | - | ![]() | 9322 | 0,00000000 | Micro Comercial | - | Fita e Caixa (TB) | Obsoleto | Através do furo | Axial | RL104 | padrão | A-405 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | RL104-N-0-3-APMS | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 400V | 1,1 V a 1 A | 5 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 15pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | MBRF20150CT | 1.3600 | ![]() | 46 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Ativo | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | MBRF20150 | Schottky | ITO-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 150 V | 20A | 1,05 V a 20 A | 100 µA a 150 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||
![]() | UF4002TR | 0,3400 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | UF4002 | padrão | DO-41 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 100V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 20pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | SS22T3G | 0,3800 | ![]() | 8245 | 0,00000000 | onsemi | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | SS22 | Schottky | PME | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 20 V | 500 mV a 2 A | 400 µA a 40 V | -55°C ~ 150°C | 2A | - | ||||||||||
![]() | 8EWF06STR | - | ![]() | 5443 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | 8EWF06 | padrão | D-PAK (TO-252AA) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,2 V a 8 A | 140ns | 100 µA a 600 V | -40°C ~ 150°C | 8A | - | |||||||||
![]() | SFAF1002G C0G | - | ![]() | 2261 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Ativo | Através do furo | Pacote Completo TO-220-2 | SFAF1002 | padrão | ITO-220AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 100V | 975 mV a 10 A | 35 ns | 10 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 10A | 170pF @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 8ETH03 | - | ![]() | 8935 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | FRED Pt® | Tubo | Obsoleto | Através do furo | PARA-220-2 | 8ETH03 | padrão | TO-220AC | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 300V | 1,25 V a 8 A | 35 ns | 20 µA a 300 V | -65°C ~ 175°C | 8A | - | ||||||||||
![]() | MBRF1045 C0G | - | ![]() | 9880 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Descontinuado na SIC | Através do furo | Pacote Completo TO-220-2 | MBRF104 | Schottky | ITO-220AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 45V | 700 mV a 10 A | 100 µA a 45 V | -55°C ~ 150°C | 10A | - | ||||||||||
![]() | 1N5936CE3/TR13 | - | ![]() | 2959 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N5936 | 1,5W | DO-204AL (DO-41) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 22,8 V | 30 V | 28 Ohms | |||||||||||
![]() | 1N6841 | 181.8750 | ![]() | 6040 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | Montagem em superfície | 3-SMD, sem chumbo | 1N6841 | Schottky | U3 (SMD-0,5) | download | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 45V | 10A | 750 mV a 10 A | 100 µA a 45 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
![]() | HS3KB R5G | 0,7600 | ![]() | 270 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | HS3K | padrão | DO-214AA (SMB) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 800V | 1,7 V a 3 A | 75ns | 10 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 50pF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | CMDSH05-45 TR PBFREE | 0,4400 | ![]() | 60 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SC-76, SOD-323 | CMDSH05 | Schottky | SOD-323 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 45V | 470 mV a 500 mA | 100 µA a 30 V | -65°C ~ 150°C | 500mA | 50pF @ 1V, 1MHz | ||||||||||
![]() | RU3AMV | - | ![]() | 2783 | 0,00000000 | Sanken | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Através do furo | Axial | RU 3 | padrão | - | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,1 V a 1,5 A | 400 ns | 10 µA a 600 V | -40°C ~ 150°C | 1,5A | - | ||||||||||
![]() | MURS260-E3/52T | 0,5300 | ![]() | 700 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | MURS260 | padrão | DO-214AA (SMB) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,45 V a 2 A | 75ns | 5 µA a 600 V | -65°C ~ 175°C | 2A | - | |||||||||
| 1N5249 | 2.2650 | ![]() | 4943 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | - | REACH não afetado | 150-1N5249 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 200 mA | 100 nA a 13,3 V | 19V | 23 Ohms | ||||||||||||||
![]() | NSVM1MA152WAT1G | 0,0456 | ![]() | 8160 | 0,00000000 | onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | NSVM1 | padrão | SC-59 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 1 par de anodo comum | 80 V | 100mA (CC) | 1,2 V a 100 mA | 10 ns | 100 nA @ 75 V | 150°C (máx.) | |||||||||
![]() | D56U40CXPSA1 | - | ![]() | 9900 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem em pino | Garanhão | D56S40C | padrão | BG-DSW272-1 | download | Não aplicável | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 4000 V | 4,5 V a 320 A | 3,3µs | 5 mA a 4.000 V | 125ºC | 102A | - | ||||||||||
![]() | VS-SD1553C18S20K | 306.1650 | ![]() | 3004 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última compra | Fixar | DO-200AC, K-PUK | SD1553 | padrão | DO-200AC, K-PUK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | VSSD1553C18S20K | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1800 V | 2,23 V a 4.000 A | 2 µs | -40°C ~ 150°C | 1825A | - | |||||||||
![]() | ZHCS350QTA | 0,1580 | ![]() | 6301 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SC-79, SOD-523 | Schottky | SOD-523 | download | REACH não afetado | 31-ZHCS350QTATR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 40 V | 810 mV a 350 mA | 1,6ns | 12 µA a 30 V | 125ºC | 510mA | 6pF a 25 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | PDS4150Q-13 | 1.5200 | ![]() | 4102 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | PowerDI™ 5 | PDS4150 | Schottky | PowerDI™ 5 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 150 V | 810 mV a 8 A | 10 µA a 150 V | -65°C ~ 175°C | 4A | - | ||||||||||
![]() | 30WQ06FN | - | ![]() | 6340 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | 30WQ06 | Schottky | D-PAK (TO-252AA) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 60 V | 610 mV a 3 A | 2 mA a 60 V | -40°C ~ 150°C | 3,5A | - |

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