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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Resistência @ se, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CD5230B | 1.4630 | ![]() | 5796 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | Morrer | 500 MW | Morrer | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-CD5230B | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 4,7 v | 19 ohms | ||||||||||||||
![]() | Hzs4blltd-e | 0,1800 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Px8847ddqg004xuma1 | - | ![]() | 8634 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | PX8847DD | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||
Jantxv1N4978C | 22.2000 | ![]() | 6281 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | E, axial | 5 w | E, axial | - | Alcançar Não Afetado | 150-Jantxv1N4978C | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 A | 2 µA a 51,7 V | 68 v | 50 ohms | ||||||||||||||||
![]() | Vs-vs30bfr12lfk | - | ![]() | 7690 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | Vs30 | - | 112-VS-VS30BFR12LFK | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
Jan1n4491Cus | 26.7600 | ![]() | 7724 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | 1N4491 | 1,5 w | D-5A | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 250 Na @ 96 V | 120 v | 400 ohms | ||||||||||||||
Sdurf10p100b | 1.7000 | ![]() | 820 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | Sdurf10 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,8 V @ 10 A | 100 ns | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | ||||||||||||
![]() | V2nl63-m3/i | 0,3900 | ![]() | 5098 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 2-VDFN | V2nl63 | Schottky | DFN3820A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 580 mV @ 2 a | 50 µA A 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1.8a | 360pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | EGP10G-E3S/73 | - | ![]() | 5591 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | EGP10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BZX55C24-TR | 0,2300 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX55C24 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 100 Na @ 18 V | 24 v | 80 ohms | |||||||||||||
![]() | HZC3.6TRF-E | 0,1000 | ![]() | 36 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52-C17_R1_00001 | 0,1500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZT52 | 410 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 Na @ 13 V | 17 v | 40 ohms | ||||||||||||||
![]() | DDZ30CSF-7 | 0,1600 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | DDZ30 | 500 MW | SOD-323F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 70 Na @ 26,9 V | 29.09 v | 55 ohms | |||||||||||||
![]() | JANS1N6311DUS/TR | 356.5050 | ![]() | 4049 | 0,00000000 | Microchip Technology | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SQ-Melf, b | 500 MW | B, Sq-Melf | - | 150-JANS1N6311DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,4 V @ 1 A | 30 µA A 1 V | 3 v | 29 ohms | ||||||||||||||||
![]() | A187PE | - | ![]() | 7654 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | Do-205AA, DO-8, Stud | A187 | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1500 v | 2,3 µs | -40 ° C ~ 125 ° C. | 150a | - | ||||||||||||||
![]() | MBR760-BP | 0,3753 | ![]() | 2711 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | MBR760 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mV @ 7.5 A | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | 400pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | MMBZ5251A-HF | 0,0556 | ![]() | 3091 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5251 | 350 MW | SOT-23-3 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 641-MMBZ5251A-HFTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 100 Ma | 100 Na @ 17 V | 22 v | 29 ohms | |||||||||||||
![]() | UM4306D | - | ![]() | 9172 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Stud | - | - | Alcançar Não Afetado | 150-UM4306DTR | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 15 w | 2.2pf @ 100V, 1MHz | Pino - único | 600V | 1.5OHM @ 100MA, 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | STR8100LBF_R1_00701 | 0,5200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-221aa, SMB plat do | STR8100 | Schottky | SMBF | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-STR8100LBF_R1_00701CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 790 mV @ 8 a | 50 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 425pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | BZX384-C47115 | - | ![]() | 3270 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 50 V | 47 v | 170 ohms | |||||||||||||
![]() | BZT52C16 | 0,0412 | ![]() | 4839 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZT52C16TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1 V @ 10 Ma | 45 Na @ 11,2 V | 16 v | 40 ohms | |||||||||||||
![]() | NTE5846 | 6.9200 | ![]() | 64 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-4 | download | ROHS3 Compatível | 2368-nte5846 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,2 V @ 3 A | 10 µA a 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | ||||||||||||||
Jan1n4968 | 6.0000 | ![]() | 5092 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | E, axial | 1N4968 | 5 w | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 A | 2 µA a 20,6 V | 27 v | 6 ohms | |||||||||||||||
![]() | RC206 | 0,4400 | ![]() | 4944 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-Circular, RC-2 | Padrão | RC-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2516-RC206 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | 1,05 V @ 2 A | 200 Na @ 800 V | 2 a | Fase Única | 800 v | ||||||||||||||
![]() | BZG05B68-M3-18 | 0,1980 | ![]() | 9468 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZG05B-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG05B68 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 51 V | 68 v | 130 ohms | |||||||||||||
UZ340 | 32.2650 | ![]() | 1411 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | A, axial | 3 w | A, axial | - | Alcançar Não Afetado | 150-UZ340 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | S5JC-K | 0,2203 | ![]() | 3393 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-S5JC-KTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,15 V @ 5 A | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 34pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | Jan1n747aur-1/tr | 4.0831 | ![]() | 5060 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JAN1N747AUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 3 µA @ 1 V | 3,6 v | 24 ohms | ||||||||||||||
![]() | PZS514V7BCH-AU_R1_000A1 | 0,0378 | ![]() | 8248 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | PZS514 | 500 MW | Sod-323He | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.330.000 | 10 µA A 3 V | 4,7 v | |||||||||||||||
![]() | BZX284-C6V8,135 | - | ![]() | 7090 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-110 | BZX284 | 400 MW | SOD-110 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 11.000 | 1,1 V @ 100 Ma | 2 µA A 4 V | 6,8 v | 15 ohms |
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