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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SK32B-LTP | 0,4800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Micro Comercial | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | SK32 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 20 V | 500 mV a 3 A | 500 µA a 20 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - | |||
![]() | VS-4EWH02FNHM3 | 0,5930 | ![]() | 7116 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, FRED Pt® | Tubo | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | 4EWH02 | padrão | TO-252, (D-Pak) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | VS4EWH02FNHM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 950 mV a 4 A | 20 ns | 3 µA a 200 V | -65°C ~ 175°C | 4A | - | |
![]() | GL34B/1 | - | ![]() | 3133 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | SUPERECTIFICADOR® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Montagem em superfície | DO-213AA (vídeo) | GL34 | padrão | DO-213AA (GL34) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 100V | 1,2 V a 500 mA | 1,5µs | 5 µA a 100 V | -65°C ~ 175°C | 500mA | 4pF @ 4V, 1MHz | ||
| CRH01(TE85R,Q,M) | 0,5200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123F | CRH01 | padrão | S-PLANO (1,6x3,5) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 980 mV por 1 A | 35 ns | 10 µA a 200 V | -40°C ~ 150°C | 1A | - | ||||
![]() | PMEG6030EVP115 | 0,1300 | ![]() | 47 | 0,00000000 | NXP EUA Inc. | * | Volume | Ativo | PMEG6030 | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.270 | ||||||||||||||
| JANTXV1N5807US/TR | 12.8250 | ![]() | 9198 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SQ-MELF, E | padrão | D-5B | - | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 150-JANTXV1N5807US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 875 mV a 4 A | 30 segundos | 5 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 3A | 60pF @ 10V, 1MHz | ||||
![]() | V20K170HM3/H | 0,8910 | ![]() | 6359 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | Schottky | FlatPAK (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 112-V20K170HM3/HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 170 V | 1,02 V a 20 A | 100 µA a 170 V | -40°C ~ 165°C | 3.2A | 800pF @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | NTE5896 | 10.4300 | ![]() | 77 | 0,00000000 | NTE Eletrônica, Inc. | - | Bolsa | Ativo | Montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | padrão | DO-4 | download | Compatível com ROHS3 | 2368-NTE5896 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,23 V a 50 A | 12 mA a 200 V | -65°C ~ 175°C | 16A | - | |||||
![]() | GP15G-E3/73 | - | ![]() | 3653 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | SUPERECTIFICADOR® | Fita e Caixa (TB) | Ativo | Através do furo | DO-204AC, DO-15, Axial | GP15 | padrão | DO-204AC (DO-15) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,1 V a 1,5 A | 3,5µs | 5 µA a 400 V | -65°C ~ 175°C | 1,5A | - | ||
![]() | VB20120S-E3/8W | 0,8088 | ![]() | 4296 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | VB20120 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 120 V | 1,12 V a 20 A | 300 µA a 120 V | -40°C ~ 150°C | 20A | - | |||
| FR505-AP | - | ![]() | 8810 | 0,00000000 | Micro Comercial | - | Fita e Caixa (TB) | Obsoleto | Através do furo | DO-201AD, Axial | FR505 | padrão | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,35 V a 5 A | 250 ns | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 5A | 65pF @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | U1J | 0,0520 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | - | Compatível com RoHS | REACH não afetado | 4617-U1JTR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | HS1BL | 0,2228 | ![]() | 7412 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123 | padrão | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-HS1BLTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 100V | 950 mV por 1 A | 50 ns | 5 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 20pF @ 4V, 1MHz | |||
![]() | PMEG6010EP/6X | - | ![]() | 2499 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Montagem em superfície | SOD-128 | PMEG6010 | Schottky | SOD-128/CFP5 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 934071081115 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 60 V | 530 mV por 1 A | 60 µA a 60 V | 150°C (máx.) | 1A | 120pF @ 1V, 1MHz | ||
![]() | GS8M | 0,4000 | ![]() | 4097 | 0,00000000 | Tecnologia eletrônica Co. de Yangzhou Yangjie, Ltd | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | padrão | DO-214AB (SMC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1000V | 1,1 V a 8 A | 5 µA a 1000 V | -55°C ~ 150°C | 8A | 55pF @ 4V, 1MHz | |||||
| ES1G R3G | - | ![]() | 8165 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | ES1G | padrão | DO-214AC (SMA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,3 V a 1 A | 35 ns | 5 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 18pF @ 4V, 1MHz | |||
![]() | A390PD | 97.5873 | ![]() | 4617 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | DO-200AA, A-PUK | A390 | padrão | DO-200AA, R62 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1400 V | 1,4 V a 400 A | 25 mA a 1400 V | 400A | - | |||||
![]() | 60HF80 | 2.4670 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Estado Sólido Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | padrão | DO-5 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Fornecedor indefinido | 2383-60HF80 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 800V | 1,3 V a 60 A | 200 µA a 800 V | -65°C ~ 150°C | 60A | - | |||
![]() | NRVUA220VT3G-GA01 | - | ![]() | 3767 | 0,00000000 | onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | padrão | SMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 488-NRVUA220VT3G-GA01TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 950 mV a 2 A | 35 ns | 2 µA a 200 V | -65°C ~ 175°C | 2A | - | ||
![]() | LR7482 | - | ![]() | 9444 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | * | Volume | Ativo | - | REACH não afetado | 150-LR7482 | 100 | ||||||||||||||||||
![]() | 85HQ045 | 117.7800 | ![]() | 8723 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | Montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | 85HQ045 | Schottky | DO-203AB (DO-5) | download | RoHS não compatível | REACH não afetado | 85HQ045MS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 45V | 740 mV a 80 A | 2 mA a 45 V | -65°C ~ 175°C | 80A | - | |||
| FR601-AP | - | ![]() | 5213 | 0,00000000 | Micro Comercial | - | Fita e Caixa (TB) | Obsoleto | Através do furo | R-6, Axiais | FR601 | padrão | R-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 450 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1,3 V a 6 A | 150 ns | 10 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 6A | 150pF @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | SFS1604GH | 0,8052 | ![]() | 2245 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SFS1604 | padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 975 mV a 8 A | 35 ns | 10 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 16A | 80pF @ 4V, 1MHz | ||
![]() | GS3B | 0,4000 | ![]() | 3498 | 0,00000000 | Tecnologia eletrônica Co. de Yangzhou Yangjie, Ltd | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | padrão | DO-214AB (SMC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 3.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 100V | 1,1 V a 3 A | 5 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 25pF @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | S2130 | 33.4500 | ![]() | 5519 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | * | Volume | Ativo | - | REACH não afetado | 150-S2130 | 1 | ||||||||||||||||||
| VS-18TQ040HN3 | 1.0350 | ![]() | 1375 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | 18TQ040 | Schottky | TO-220AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 40 V | 600 mV a 18 A | 2,5 mA a 35 V | -55°C ~ 175°C | 18A | 1400pF @ 5V, 1MHz | ||||
![]() | STPSC806G-TR | - | ![]() | 8695 | 0,00000000 | STMicroeletrônica | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | STPSC806 | SiC (carboneto de silício) Schottky | D²PAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 600V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 100 µA a 600 V | -40°C ~ 175°C | 8A | 450pF a 0 V, 1 MHz | ||
![]() | SK225L-TP | 0,0618 | ![]() | 7793 | 0,00000000 | Micro Comercial | - | Volume | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | SK225 | Schottky | DO-214AC (HSMA) | download | 353-SK225L-TP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 25 V | 550 mV a 2 A | 500 µA a 25 V | -40°C ~ 125°C | 2A | 50pF @ 5V, 1MHz | |||||
![]() | B350B-E3/5BT | 0,4100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | B350 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.200 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 660 mV a 3 A | 100 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - | |||
![]() | 1T5G A0G | - | ![]() | 9543 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Caixa (TB) | Ativo | Através do furo | T-18, Axial | 1T5G | padrão | TS-1 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 600V | 1 V @ 1 A | 5 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 10pF @ 4V, 1MHz |

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