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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SDT10A100P5-13 | 0,5900 | ![]() | 8759 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | PowerDI™ 5 | SDT10 | Schottky | PowerDI™ 5 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 100V | 680 mV a 10 A | 100 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 10A | - | |||
![]() | VS-87HFR160 | 12.1499 | ![]() | 1661 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | 87HFR160 | Padrão, inversão de polaridade | DO-203AB (DO-5) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | VS87HFR160 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1600V | 1,2 V a 267 A | -65°C ~ 180°C | 85A | - | |||
![]() | VS-70HF10 | 8.0500 | ![]() | 3279 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | 70HF10 | padrão | DO-203AB (DO-5) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 100V | 1,35 V a 220 A | 15 mA a 100 V | -65°C ~ 180°C | 70A | - | |||
![]() | G3S12010C | - | ![]() | 4786 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. | - | Volume | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-252 | - | Fornecedor indefinido | 4436-G3S12010C | 1 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 33,2A | 765pF a 0 V, 1 MHz | ||||||
![]() | SL34PL-TP | 0,1464 | ![]() | 9353 | 0,00000000 | Micro Comercial | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123F | SL34 | Schottky | SOD-123FL | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 40 V | 450 mV a 3 A | 500 µA a 40 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - | |||
![]() | SF44GHB0G | - | ![]() | 2666 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | SF44 | padrão | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1 V @ 4 A | 35 ns | 5 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 4A | 100pF @ 4V, 1MHz | ||
![]() | A197RP | - | ![]() | 6591 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-205AB, DO-9, pino | A197 | Padrão, inversão de polaridade | - | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1000V | -40°C ~ 150°C | 250A | - | ||||||
![]() | MURS140-13 | - | ![]() | 6281 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | MURS140 | padrão | PME | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 400V | 1,25 V por 1 A | 50 ns | 5 µA a 400 V | -55°C ~ 175°C | 1A | 10pF @ 4V, 1MHz | ||
![]() | VS-T70HF80 | 28.4620 | ![]() | 8945 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Módulo T D-55 | T70 | padrão | D-55 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 800V | 15 mA a 800 V | 70A | - | |||||
![]() | JANTXV1N6910UTK2/TR | 521.6100 | ![]() | 1981 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/723 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | ThinKey™2 | Schottky, inversão de polaridade | ThinKey™2 | - | REACH não afetado | 150-JANTXV1N6910UTK2/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 15V | 520 mV a 25 A | 1,2 mA a 15 V | -65°C ~ 150°C | 25A | 2.000 pF a 5 V, 1 MHz | |||||
![]() | ES2G_R1_00001 | 0,4800 | ![]() | 40 | 0,00000000 | Panjit Internacional Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | ES2G | padrão | SMA (DO-214AC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 400V | 1,25 V a 2 A | 35 ns | 1 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 25pF @ 4V, 1MHz | ||
![]() | VS-50WQ06FNTRLPBF | - | ![]() | 9736 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | 50WQ06 | Schottky | D-PAK (TO-252AA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 60 V | 570 mV a 5 A | 3 mA a 60 V | -40°C ~ 150°C | 5,5A | 360pF @ 5V, 1MHz | |||
![]() | UG56G B0G | - | ![]() | 7297 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Volume | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | UG56 | padrão | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 400V | 1,55 V a 5 A | 20 ns | 10 µA a 400 V | -55°C ~ 175°C | 5A | - | ||
![]() | 2A03G-T | - | ![]() | 5314 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Através do furo | DO-204AC, DO-15, Axial | 2A03 | padrão | DO-15 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,1 V a 2 A | 5 µA a 200 V | -65°C ~ 175°C | 2A | 40pF @ 4V, 1MHz | |||
| ER2A | 0,1108 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Diotec Semicondutor | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | padrão | DO-214AA (SMB) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2796-ER2ATR | 8541.10.0000 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1 V @ 2 A | 35 ns | 5 µA a 50 V | -50°C ~ 150°C | 2A | - | |||||
![]() | STPS1L20MF | 0,6900 | ![]() | 21 | 0,00000000 | STMicroeletrônica | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-222AA | STPS1 | Schottky | Plano STmite | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 20 V | 430 mV por 1 A | 75 µA a 20 V | 150°C (máx.) | 1A | - | |||
![]() | UFR3150 | 94.5300 | ![]() | 6793 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | Montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | padrão | DO-203AA (DO-4) | - | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 500 V | 1,25 V a 30 A | 50 ns | 175°C (máx.) | 30A | 115pF @ 10V, 1MHz | ||||||
| RSFML RQG | - | ![]() | 4107 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-219AB | RSFML | padrão | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1000V | 1,3 V a 500 mA | 500 ns | 5 µA a 1000 V | -55°C ~ 150°C | 500mA | 4pF @ 4V, 1MHz | |||
![]() | RD0506LS-SB5 | - | ![]() | 5700 | 0,00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | Através do furo | Pacote Completo TO-220-2 | RD050 | padrão | TO-220FI(LS)-SB | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1,6 V a 5 A | 50 ns | 50 µA a 600 V | 150°C (máx.) | 5A | - | ||||
![]() | BAT42W_R1_00001 | 0,2200 | ![]() | 81 | 0,00000000 | Panjit Internacional Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123 | BAT42W | Schottky | SOD-123 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 3757-BAT42W_R1_00001DKR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 30 V | 1 V a 200 mA | 500 nA a 30 V | -55°C ~ 125°C | 200mA | - | ||
| HS1KL RQG | - | ![]() | 1794 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-219AB | HS1K | padrão | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 800V | 1,7 V a 1 A | 75ns | 5 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 15pF @ 4V, 1MHz | |||
![]() | SB15H45-E3/73 | - | ![]() | 3243 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita Cortada (CT) | Obsoleto | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | SB15H45 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 300 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 45V | 480 mV a 5 A | 300 µA a 45 V | 200°C (Máx.) | 7A | 1020pF @ 4V, 1MHz | |||
| MMBD6050-G3-08 | 0,0306 | ![]() | 7578 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBD6050 | padrão | SOT-23-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0070 | 15.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 70 V | 1,1 V a 100 mA | 4 ns | 100 nA @ 50 V | 150°C (máx.) | 200mA | - | |||
![]() | R6030435ESYA | - | ![]() | 8524 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-205AB, DO-9, pino | R6030435 | Padrão, inversão de polaridade | DO-205AB (DO-9) | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 400V | 1,5 V a 800 A | 2 µs | 50 mA a 400 V | -45°C ~ 150°C | 350A | - | |||
![]() | AR4PM-M3/87A | 0,4373 | ![]() | 3777 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | eSMP® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-277, 3-PowerDFN | AR4 | Avalanche | TO-277A (SMPC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1000V | 1,9 V a 4 A | 120ns | 10 µA a 1000 V | -55°C ~ 175°C | 1,8A | 55pF @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SD340S_L2_00001 | 0,2187 | ![]() | 5728 | 0,00000000 | Panjit Internacional Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SD340 | Schottky | PARA-252 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 201.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 40 V | 500 mV a 3 A | 200 µA a 40 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - | |||
![]() | S25G | 5.2485 | ![]() | 1181 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | padrão | - | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | S25GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 400V | 1,1 V a 25 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 25A | - | ||||
![]() | BYD33GGP-E3/54 | - | ![]() | 4124 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | PORD33 | padrão | DO-204AL (DO-41) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 400 V | 1,3 V a 1 A | 150 ns | 5 µA a 400 V | -65°C ~ 175°C | 1A | 15pF @ 4V, 1MHz | ||
![]() | S5B | 0,2997 | ![]() | 8498 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | padrão | DO-214AB (SMC) | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1801-S5BTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 100V | 1,15 V a 5 A | 1,5µs | 10 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 5A | 60pF @ 4V, 1MHz | ||
![]() | UTR3350 | 12.8400 | ![]() | 8843 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | Através do furo | B, axial | padrão | B, axial | - | REACH não afetado | 150-UTR3350 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 500 V | 1,1 V a 3 A | 350 ns | 5 µA a 500 V | -65°C ~ 175°C | 3A | 200pF a 0 V, 1 MHz |

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