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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4305 | 10.8400 | ![]() | 112 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | padrão | DO-35 (DO-204AH) | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.10.0070 | 30 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 75V | 850 mV a 10 mA | 4 ns | 100 nA @ 50 V | 175°C (máx.) | 300mA | 2pF a 0 V, 1 MHz | |||||
![]() | TSPB10U45S S1G | - | ![]() | 2006 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Montagem em superfície | TO-277, 3-PowerDFN | TSPB10 | Schottky | SMPC4.0 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 45V | 460 mV a 10 A | 300 µA a 45 V | -55°C ~ 150°C | 10A | - | |||
![]() | SDT8A120P5Q-7 | - | ![]() | 3636 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | |||||||||||||||
![]() | CDBB5150-HF | 0,2465 | ![]() | 4218 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | CDBB5150 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 150 V | 870 mV a 5 A | 500 µA a 150 V | -50°C ~ 175°C | 5A | 380pF @ 4V, 1MHz | |||
![]() | CMSH3-60 TR13 PBFREE | 0,7700 | ![]() | 6321 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | CMSH3 | Schottky | SMC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 60 V | 700 mV a 3 A | 500 µA a 60 V | -65°C ~ 150°C | 3A | - | |||
![]() | GP10BEHM3/73 | - | ![]() | 5529 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Caixa (TB) | Obsoleto | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | GP10 | padrão | DO-204AL (DO-41) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 100V | 1,1 V a 1 A | 3 µs | 5 µA a 100 V | -65°C ~ 175°C | 1A | 8pF @ 4V, 1MHz | ||
![]() | MUR8100EG | 1.8300 | ![]() | 6922 | 0,00000000 | onsemi | SWITCHMODE™ | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | MUR8100 | padrão | PARA-220-2 | download | Compatível com ROHS3 | Não aplicável | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1,8 V a 8 A | 100 ns | 25 µA a 1000 V | -65°C ~ 175°C | 8A | - | ||
![]() | ESH1DHM3_A/I | 0,1210 | ![]() | 6357 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | ESH1 | padrão | DO-214AC (SMA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 112-ESH1DHM3_A/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 900 mV por 1 A | 25 ns | 1 µA a 200 V | -55°C ~ 175°C | 1A | 25pF @ 4V, 1MHz | |
![]() | CD214B-F3100 | - | ![]() | 7815 | 0,00000000 | Bourns Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | CD214B | padrão | PME (DO-214AA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 100V | 950 mV por 1 A | 35 ns | 5 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 10pF @ 4V, 1MHz | ||
![]() | APT30D30BG | 2.9500 | ![]() | 2863 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | APT30D30 | padrão | PARA-247 [B] | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 300V | 1,4 V a 30 A | 25 ns | 250 µA a 300 V | -55°C ~ 175°C | 30A | - | ||
| RLR4004TE-21 | - | ![]() | 9335 | 0,00000000 | Rohm Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Montagem em superfície | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | RLR4004 | padrão | SUD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | Q7165861F | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 400V | 1 V a 800 mA | 10 µA a 400 V | 150°C (máx.) | 800ma | - | |||
![]() | BAT760F | 0,3900 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SC-76, SOD-323 | BAT760 | Schottky | SOD-323 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 20 V | 550 mV por 1 A | 50 µA a 15 V | 125°C (Máx.) | 1A | 25pF @ 5V, 1MHz | |||
![]() | SS1200 | 81.0000 | ![]() | 4847 | 0,00000000 | OPTI-UPS | AF | Pacote de varejo | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | Schottky | SMA | download | 3833-SS1200 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 850 mV por 1 A | 250 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 1A | - | ||||||||
![]() | GSD2004W-G3-18 | 0,0501 | ![]() | 2074 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123 | GSD2004 | padrão | SOD-123 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 240V | 1 V a 100 mA | 50 ns | 100 nA @ 240 V | 150°C (máx.) | 225mA | 5pF a 0 V, 1 MHz | ||
| RSFML R3G | 0,1491 | ![]() | 3082 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-219AB | RSFML | padrão | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1.800 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1,3 V a 500 mA | 500 ns | 5 µA a 1000 V | -55°C ~ 150°C | 500mA | 4pF @ 4V, 1MHz | |||
![]() | R30640 | 40.6350 | ![]() | 8518 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | R306 | Volume | Ativo | Montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | R30640 | padrão | DO-203AB (DO-5) | download | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 400V | 1,25 V a 200 A | 25 µA a 400 V | -65°C ~ 200°C | 70A | - | ||||
![]() | 1N5833 | 10.0000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Estado Sólido Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | Schottky | DO-5 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Fornecedor indefinido | 2383-1N5833 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 30 V | 550 mV a 40 A | 20 mA a 30 V | -65°C ~ 125°C | 40A | - | |||
![]() | V12P12HM3_A/H | 0,8600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-277, 3-PowerDFN | V12P12 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 120 V | 830 mV a 10 A | 400 µA a 120 V | -40°C ~ 150°C | 3.9A | - | |||
![]() | S2JAL | 0,4800 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-221AC, cabos planos SMA | S2J | padrão | SMA fino | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 14.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,1 V a 2 A | 1 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 12pF @ 4V, 1MHz | |||
![]() | SRA257GP-TP | - | ![]() | 4955 | 0,00000000 | Micro Comercial | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Montagem em superfície | SRA | SRA257 | padrão | SRA | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1,1 V a 25 A | 25 µA a 1000 V | - | 25A | 300pF @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | VS-88-7311 | - | ![]() | 9974 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última compra | 88-7311 | - | 112-VS-88-7311 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S310 | 0,3400 | ![]() | 378 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | Schottky | SMC (DO-214AB) | download | EAR99 | 8541.10.0080 | 948 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 100V | 850 mV a 3 A | 500 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - | |||||||
![]() | FR1D | 0,0311 | ![]() | 5512 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | FR1 | padrão | PME (DO-214AA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,3 V a 1 A | 150 ns | 5 µA a 200 V | -50°C ~ 150°C | 1A | 10pF @ 4V, 1MHz | ||
![]() | BYC15-600P127 | 0,4800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | NXP EUA Inc. | - | Volume | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | padrão | TO-220AC | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 628 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 3,2 V a 15 A | 18 ns | 10 µA a 600 V | 175°C (máx.) | |||||
![]() | S38F | 0,0460 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | - | Compatível com RoHS | REACH não afetado | 4617-S38FTR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | SBT350-04L | 0,5200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | onsemi | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | REACH afetado | 2156-SBT350-04L-488 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | CD214B-B320LF | - | ![]() | 1568 | 0,00000000 | Bourns Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | CD214B | Schottky | PME (DO-214AA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 20 V | 500 mV a 3 A | 500 µA a 20 V | -55°C ~ 125°C | 3A | 250pF @ 4V, 1MHz | |||
![]() | PMEG4005AEA/ZLX | - | ![]() | 7918 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | PMEG4005 | Schottky | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 934068672115 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 40 V | 470 mV a 500 mA | 100 µA a 40 V | 150°C (máx.) | 500mA | 43pF @ 1V, 1MHz | ||||
![]() | 1N4007W | 0,0670 | ![]() | 2547 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | padrão | DO-41 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N4007WTR | 8541.10.0000 | 3.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1,1 V a 1 A | 2 µs | 5 µA a 1000 V | -65°C ~ 175°C | 1A | 15pF @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | V8PM153HM3/I | 0,2400 | ![]() | 3400 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-277, 3-PowerDFN | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 112-V8PM153HM3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 150 V | 870 mV a 8 A | 100 µA a 150 V | -40°C ~ 175°C | 8A | 470pF @ 4V, 1MHz |

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