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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
DSAI35-12A IXYS Dsai35-12a -
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 ECAD 7067 0,00000000 Ixys - CAIXA Obsoleto Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Dsai35 Avalanche DO-203AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,55 V @ 150 A 4 mA a 1200 V -40 ° C ~ 180 ° C. 49a -
BAS516,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Bas516, L3f 0,1800
RFQ
 ECAD 9356 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 Bas516 Padrão ESC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 8.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,25 V @ 150 Ma 3 ns 200 Na @ 80 V 150 ° C (Máximo) 250mA 0,35pf @ 0V, 1MHz
VS-SD1500C08L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD1500C08L 140.1400
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 ECAD 1558 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Prenda Do-200ab, B-Puk SD1500 Padrão Do-200ab, B-Puk download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,64 V @ 3000 A 50 mA a 800 V 1600A -
SFT15GHA1G Taiwan Semiconductor Corporation Sft15gha1g -
RFQ
 ECAD 5487 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Descontinuado no sic Através do buraco T-18, axial SFT15 Padrão TS-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 1,3 V @ 1 a 35 ns 5 µA A 300 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
SS34L RQG Taiwan Semiconductor Corporation SS34L RQG -
RFQ
 ECAD 2901 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS34 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 500 mv @ 3 a 500 µA A 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 3a -
1N5408G onsemi 1N5408G 0,4200
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 ECAD 67 0,00000000 Onsemi - Volume Ativo Através do buraco Do-201aa, DO-27, axial 1N5408 Padrão Axial download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado 1N5408GOS Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1 V @ 3 A 10 µA A 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C. 3a -
EGP51A-E3/D Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP51A-E3/D. -
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 ECAD 3371 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-201D, axial EGP51 Padrão Do-201d download Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 960 mV @ 5 A 50 ns 5 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 5a 117pf @ 4V, 1MHz
IDW12G65C5XKSA1 Infineon Technologies IDW12G65C5XKSA1 6.8500
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 ECAD 5 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™+ Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 IDW12G65 Sic (carboneto de Silíc) Schottky PG-A247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 12 A 0 ns 190 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 12a 360pf @ 1V, 1MHz
SS56BF-HF Comchip Technology SS56BF-HF 0.1697
RFQ
 ECAD 6835 0,00000000 Tecnologia Comchip - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Do-221aa, SMB plat do SS56 Schottky SMBF download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 700 mv @ 5 a 1 mA a 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 500pf @ 4V, 1MHz
MBR140ESFT3G onsemi MBR140ESFT3G -
RFQ
 ECAD 9110 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOD-123F MBR140 Schottky SOD-123fl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 560 mV @ 1 a 30 µA A 40 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a -
BAS16,215 Nexperia USA Inc. Bas16.215 0,1300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotive, AEC-Q101, BAS16 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas16 Padrão TO-236AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V 150 ° C (Máximo) 215mA 1.5pf @ 0V, 1MHz
2A02G-T Diodes Incorporated 2A02G-T -
RFQ
 ECAD 8092 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial 2A02 Padrão DO-15 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 4.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,1 V @ 2 A 5 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 2a 40pf @ 4V, 1MHz
UH1DHE3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division Uh1dhe3/61t -
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 ECAD 2156 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-214AC, SMA UH1 Padrão DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,05 V @ 1 A 30 ns 1 µA A 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a -
VS-8EWF02STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWF02STR-M3 2.0160
RFQ
 ECAD 8051 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 8ewf02 Padrão D-Pak (TO-252AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Vs8ewf02strm3 Ear99 8541.10.0080 2.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,2 V @ 8 A 55 ns 100 µA A 200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 8a -
VS-21DQ06TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vs-21dq06tr -
RFQ
 ECAD 4982 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 21DQ06 Schottky DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 600 mV @ 2 a 500 µA A 60 V -40 ° C ~ 150 ° C. 2a -
RGP10D Fairchild Semiconductor RGP10D 0,0600
RFQ
 ECAD 33 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Padrão DO-204AL (DO-41) download Ear99 8541.10.0080 4.915 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
STTH1202FP STMicroelectronics STTH1202FP -
RFQ
 ECAD 7719 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 STTH120 Padrão TO-220FPAC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 12 A 35 ns 10 µA A 200 V 175 ° C (max) 12a -
VS-12FL40S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12FL40S02 5.1715
RFQ
 ECAD 5686 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 12fl40 Padrão Do-203aa (DO-4) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,4 V @ 12 A 200 ns 50 µA A 400 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a -
BA159GP-AP Micro Commercial Co BA159GP-AP 0,0418
RFQ
 ECAD 7837 0,00000000 Micro Commercial Co. - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial BA159 Padrão DO-41 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,3 V @ 1 a 250 ns 5 µA A 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
VS-12FL60S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12FL60S02 8.0100
RFQ
 ECAD 9418 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 12fl60 Padrão Do-203aa (DO-4) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,4 V @ 12 A 200 ns 50 µA A 600 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a -
S1G YAGEO S1G 0,3500
RFQ
 ECAD 8407 0,00000000 Yageo - Tape & Reel (TR) Ativo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 5.000
SD103CWSQ Yangjie Technology SD103CWSQ 0,0230
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-SD103CWSQTR Ear99 3.000
CD214B-F2200 Bourns Inc. CD214B-F2200 -
RFQ
 ECAD 5563 0,00000000 Bourns Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-214AA, SMB CD214b Padrão SMB (DO-214AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 920 mV @ 1 a 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 125 ° C. 2a 200pf @ 4V, 1MHz
RB521CS-30GT2RA Rohm Semiconductor RB521CS-30GT2RA 0,0963
RFQ
 ECAD 5587 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos Montagem na Superfície SOD-923 RB521 Schottky Vmn2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 8.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 350 mV a 10 mA 10 µA a 10 V 150 ° C (Máximo) 100mA -
SRAF1060HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1060HC0G -
RFQ
 ECAD 4466 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 SRAF1060 Schottky ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 700 mv @ 10 a 500 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
V20K170HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20K170HM3/H. 0,8910
RFQ
 ECAD 6359 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 8-PowerTdfn Schottky Flatpak (5x6) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 112-V20K170HM3/HTR Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 170 v 1,02 V @ 20 A 100 µA A 170 V -40 ° C ~ 165 ° C. 3.2a 800pf @ 4V, 1MHz
SBR8M100P5-13 Diodes Incorporated SBR8M100P5-13 0,5700
RFQ
 ECAD 196 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Powerdi ™ 5 SBR8M100 Super Barreira Powerdi ™ 5 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 880 mV @ 8 a 2 µA A 100 V -55 ° C ~ 175 ° C. 8a -
VS-10ETF02SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF02SPBF -
RFQ
 ECAD 1363 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Descontinuado no sic Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab 10etf02 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Vs10etf02spbf Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,2 V @ 10 A 200 ns 100 µA A 200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 10a -
JAN1N5554US Microchip Technology Jan1n5554us 9.9900
RFQ
 ECAD 5469 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/420 Volume Ativo Montagem na Superfície SQ-Melf, e 1N5554 Padrão D-5b download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,3 V @ 9 A 2 µs 1 µA A 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 5a -
HER201-AP Micro Commercial Co HER201-AP -
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 ECAD 4975 0,00000000 Micro Commercial Co. - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial HER201 Padrão DO-15 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1 V @ 2 A 50 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 50pf @ 4V, 1MHz
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    2000+

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    Unidade de produto padrão

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