SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
JANTXV1N5712UBD Microchip Technology Jantxv1n5712ubd 118.6800
RFQ
ECAD 4580 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/444 Volume Ativo Montagem na Superfície 4-smd, sem chumbo Schottky Ub - Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 16 v 1 V @ 35 mA 150 Na @ 16 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2pf @ 0V, 1MHz
IDW15E65D2 Infineon Technologies IDW15E65D2 1.2000
RFQ
ECAD 19 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™+ Volume Ativo Através do buraco To-247-3 Padrão PG-PARA247-3-1 download Ear99 8542.39.0001 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 650 v 2,3 V @ 15 A 47 ns 40 µA A 650 V -40 ° C ~ 175 ° C. 30a -
1N5821H Taiwan Semiconductor Corporation 1N5821H 0.1903
RFQ
ECAD 8907 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial 1N5821 Schottky Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 500 mv @ 3 a 500 µA A 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 3a 200pf @ 4V, 1MHz
VS-8ETU04SHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETU04SHM3 0,7727
RFQ
ECAD 2212 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® Tubo Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab 8ETU04 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 8 A 43 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 175 ° C. 8a -
VS-88-6509 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-88-6509 -
RFQ
ECAD 2283 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Última Vez compra 88-6509 - 112-VS-88-6509 1
S30420 Microchip Technology S30420 39.0750
RFQ
ECAD 5369 0,00000000 Microchip Technology S304 Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AB, DO-5, Stud S30420 Padrão DO-203AB (DO-5) download Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,19 V @ 90 A 10 µA A 200 V -65 ° C ~ 200 ° C. 40A -
B5817WQ Yangjie Technology B5817WQ 0,0440
RFQ
ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-B5817WQTR Ear99 3.000
HSB83TR-E Renesas Electronics America Inc HSB83TR-E 0,2000
RFQ
ECAD 75 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0070 3.000
GATELEADWH406XPSA1 Infineon Technologies GatELeadWH406XPSA1 29.6100
RFQ
ECAD 1454 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo - - GatEleadwh406 - - - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 0000.00.0000 1 - - - -
JAN1N6873UTK2 Microchip Technology Jan1n6873utk2 364.5450
RFQ
ECAD 7908 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/469 Volume Ativo Montagem na Superfície Thinkey ™ 2 Padrão Thinkey ™ 2 - Alcançar Não Afetado 150-JAN1N6873UTK2 Ear99 8541.10.0070 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 V @ 400 mA -65 ° C ~ 175 ° C. 400mA -
SM5408-CT Diotec Semiconductor SM5408-CT 0,4040
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ECAD 9399 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tira Ativo Montagem na Superfície Do-213ab, Mell SM5408 Padrão Mell Do-213ab download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcança como informação de disponição mediana solicitada 2721-SM5408-CT 8541.10.0000 30 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,2 V @ 3 A 1,5 µs 5 µA @ 1 V -50 ° C ~ 175 ° C. 3a -
R9G00212XX Powerex Inc. R9G00212XX -
RFQ
ECAD 2264 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Ativo Prenda Do-200ab, B-Puk R9G00212 Padrão Do-200ab, B-Puk download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,45 V @ 1500 A 25 µs 150 mA a 200 V 1200A -
120NQ035 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 120NQ035 -
RFQ
ECAD 5872 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Obsoleto Montagem do chassi D-67 Half-Pak 120NQ035 Schottky D-67 Half-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *120NQ035 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 35 v 570 mV @ 120 A 10 mA a 35 V 120a 5200pf @ 5V, 1MHz
TST30U45C Taiwan Semiconductor Corporation TST30U45C 1.8492
RFQ
ECAD 2736 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 TST30 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 540 mV @ 15 A 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 15a -
BAT54W-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54W-HE3-08 0,4000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123 BAT54 Schottky SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 800 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA A 25 V 125 ° C (Máximo) 200Ma 10pf @ 1V, 1MHz
JANTX1N6622U/TR Microchip Technology Jantx1n6622u/tr 16.6950
RFQ
ECAD 2377 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/585 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SQ-Melf, a Polaridada reversa padrão A, SQ-Melf - Alcançar Não Afetado 150-JANTX1N6622U/TR Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 660 v 1,4 V @ 1,2 A 45 ns 500 Na @ 660 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1.2a -
UPR30/TR7 Microchip Technology UPR30/TR7 3.3300
RFQ
ECAD 2167 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-216AA UPR30 Padrão Powermite download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 1,25 V @ 1 A 50 ns 10 µA A 300 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
STPS1045BY-TR STMicroelectronics STPS1045BY-TR 1.4400
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Stmicroelectronics Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 STPS1045 Schottky DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 630 mV @ 10 A 100 µA A 45 V -40 ° C ~ 175 ° C. 10a -
C6D20065G-TR Wolfspeed, Inc. C6D20065G-TR 4.5561
RFQ
ECAD 7173 0,00000000 Wolfspeed, Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab C6D20065 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-263-2 - 1697-C6D20065G-TR 2.400 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,27 V @ 20 A 0 ns -55 ° C ~ 175 ° C. 20a -
1N4151WS-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4151WS-G3-18 0,0389
RFQ
ECAD 8431 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 1N4151 Padrão SOD-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 50 v 1 V @ 50 Ma 4 ns 50 Na @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 150mA -
1N1346R Microchip Technology 1n1346r 38.3850
RFQ
ECAD 6005 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-4, Stud Padrão DO-4 (DO-203AA) download Alcançar Não Afetado 150-1N1346R Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 30 A 10 µA A 400 V -65 ° C ~ 200 ° C. 16a -
BAT54_R1_00001 Panjit International Inc. BAT54_R1_00001 0,1600
RFQ
ECAD 24 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 3757-BAT54_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 600 mV @ 100 Ma 2 µA A 25 V -55 ° C ~ 125 ° C. 200Ma -
BYD13GGP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYD13GGP-E3/73 -
RFQ
ECAD 2536 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial BYD13 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 1 A 3 µs 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a -
PDS5100H-13-2477 Diodes Incorporated PDS5100H-13-2477 -
RFQ
ECAD 7686 0,00000000 Diodos Incorporados - Volume Última Vez compra Montagem na Superfície Powerdi ™ 5 Schottky Powerdi ™ 5 - 31-PDS5100H-13-2477 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 710 mV @ 5 A 3,5 µA a 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 5a -
SK15B R5G Taiwan Semiconductor Corporation SK15B R5G -
RFQ
ECAD 4522 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SK15 Schottky DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 750 mv @ 1 a 500 µA A 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
HS2KH Taiwan Semiconductor Corporation Hs2kh 0.1146
RFQ
ECAD 5948 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-HS2KHTR Ear99 8541.10.0080 6.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,7 V @ 2 A 75 ns 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 30pf @ 4V, 1MHz
1N4723/TR Microchip Technology 1n4723/tr 40.2601
RFQ
ECAD 3655 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Axial 1N4723 Padrão Axial download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-1N4723/tr Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1 V @ 3 A 25 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a -
V2PM12HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2pm12hm3/h 0,3500
RFQ
ECAD 12 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície MicroSMP V2pm12 Schottky MicroSMP (DO-219AD) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 4.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 120 v 980 mV @ 2 A 50 µA A 120 V -40 ° C ~ 175 ° C. 2a 140pf @ 4V, 1MHz
H1JF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd H1JF 0,1900
RFQ
ECAD 8028 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-221AC, SMA Flat Leads Padrão SMAF download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 1 A 75 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
S70D GeneSiC Semiconductor S70D 9.8985
RFQ
ECAD 1398 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S70DGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 70 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 180 ° C. 70A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque