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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Jantxv1n5712ubd | 118.6800 | ![]() | 4580 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 4-smd, sem chumbo | Schottky | Ub | - | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 16 v | 1 V @ 35 mA | 150 Na @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2pf @ 0V, 1MHz | |||||||
![]() | IDW15E65D2 | 1.2000 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Volume | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | PG-PARA247-3-1 | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 650 v | 2,3 V @ 15 A | 47 ns | 40 µA A 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - | ||||||
![]() | 1N5821H | 0.1903 | ![]() | 8907 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | 1N5821 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mv @ 3 a | 500 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 200pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | VS-8ETU04SHM3 | 0,7727 | ![]() | 2212 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 8ETU04 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 8 A | 43 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | ||
![]() | VS-88-6509 | - | ![]() | 2283 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | 88-6509 | - | 112-VS-88-6509 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S30420 | 39.0750 | ![]() | 5369 | 0,00000000 | Microchip Technology | S304 | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | S30420 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,19 V @ 90 A | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40A | - | ||||
B5817WQ | 0,0440 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-B5817WQTR | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | HSB83TR-E | 0,2000 | ![]() | 75 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||
![]() | GatELeadWH406XPSA1 | 29.6100 | ![]() | 1454 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | - | - | GatEleadwh406 | - | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | |||||||
![]() | Jan1n6873utk2 | 364.5450 | ![]() | 7908 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/469 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Thinkey ™ 2 | Padrão | Thinkey ™ 2 | - | Alcançar Não Afetado | 150-JAN1N6873UTK2 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 V @ 400 mA | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400mA | - | |||||||
![]() | SM5408-CT | 0,4040 | ![]() | 9399 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tira | Ativo | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | SM5408 | Padrão | Mell Do-213ab | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcança como informação de disponição mediana solicitada | 2721-SM5408-CT | 8541.10.0000 | 30 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,2 V @ 3 A | 1,5 µs | 5 µA @ 1 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | ||
![]() | R9G00212XX | - | ![]() | 2264 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Prenda | Do-200ab, B-Puk | R9G00212 | Padrão | Do-200ab, B-Puk | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,45 V @ 1500 A | 25 µs | 150 mA a 200 V | 1200A | - | ||||
![]() | 120NQ035 | - | ![]() | 5872 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | D-67 Half-Pak | 120NQ035 | Schottky | D-67 Half-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *120NQ035 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 570 mV @ 120 A | 10 mA a 35 V | 120a | 5200pf @ 5V, 1MHz | |||
![]() | TST30U45C | 1.8492 | ![]() | 2736 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | TST30 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 540 mV @ 15 A | 500 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | |||
![]() | BAT54W-HE3-08 | 0,4000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | BAT54 | Schottky | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | 125 ° C (Máximo) | 200Ma | 10pf @ 1V, 1MHz | ||
Jantx1n6622u/tr | 16.6950 | ![]() | 2377 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/585 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | Polaridada reversa padrão | A, SQ-Melf | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANTX1N6622U/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 660 v | 1,4 V @ 1,2 A | 45 ns | 500 Na @ 660 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.2a | - | |||||
![]() | UPR30/TR7 | 3.3300 | ![]() | 2167 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-216AA | UPR30 | Padrão | Powermite | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,25 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||
![]() | STPS1045BY-TR | 1.4400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | STPS1045 | Schottky | DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 630 mV @ 10 A | 100 µA A 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - | |||
![]() | C6D20065G-TR | 4.5561 | ![]() | 7173 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | C6D20065 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-263-2 | - | 1697-C6D20065G-TR | 2.400 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,27 V @ 20 A | 0 ns | -55 ° C ~ 175 ° C. | 20a | - | |||||||
![]() | 1N4151WS-G3-18 | 0,0389 | ![]() | 8431 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | 1N4151 | Padrão | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 50 v | 1 V @ 50 Ma | 4 ns | 50 Na @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 150mA | - | ||
![]() | 1n1346r | 38.3850 | ![]() | 6005 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | DO-4 (DO-203AA) | download | Alcançar Não Afetado | 150-1N1346R | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 30 A | 10 µA A 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 16a | - | |||||
![]() | BAT54_R1_00001 | 0,1600 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | Schottky | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-BAT54_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 600 mV @ 100 Ma | 2 µA A 25 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 200Ma | - | ||
![]() | BYD13GGP-E3/73 | - | ![]() | 2536 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | BYD13 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||
![]() | PDS5100H-13-2477 | - | ![]() | 7686 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Última Vez compra | Montagem na Superfície | Powerdi ™ 5 | Schottky | Powerdi ™ 5 | - | 31-PDS5100H-13-2477 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 710 mV @ 5 A | 3,5 µA a 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - | ||||||||
![]() | SK15B R5G | - | ![]() | 4522 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SK15 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 750 mv @ 1 a | 500 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||
![]() | Hs2kh | 0.1146 | ![]() | 5948 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-HS2KHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 2 A | 75 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | 1n4723/tr | 40.2601 | ![]() | 3655 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Axial | 1N4723 | Padrão | Axial | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-1N4723/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1 V @ 3 A | 25 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||
![]() | V2pm12hm3/h | 0,3500 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | MicroSMP | V2pm12 | Schottky | MicroSMP (DO-219AD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 120 v | 980 mV @ 2 A | 50 µA A 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 140pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | H1JF | 0,1900 | ![]() | 8028 | 0,00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | Padrão | SMAF | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | S70D | 9.8985 | ![]() | 1398 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | S70DGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 70 A | 10 µA A 100 V | -65 ° C ~ 180 ° C. | 70A | - |
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