SIC
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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
JANTX1N6941UTK3CS/TR Microchip Technology Jantx1n6941utk3cs/tr 438.9902
RFQ
 ECAD 6498 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/726 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Thinkey ™ 3 Schottky Thinkey ™ 3 - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-JANTX1N6941UTK3CS/TR Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 500 mV @ 50 A 5 mA a 30 V -65 ° C ~ 175 ° C. 150a 7500pf @ 5V, 1MHz
VS-1N3208 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N3208 6.9600
RFQ
 ECAD 4250 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 1N3208 Padrão DO-203AB (DO-5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,5 V @ 15 A 10 mA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 15a -
VS-6EWX06FNTRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6EWX06fntrlhm3 1.0025
RFQ
 ECAD 1082 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 6EWX06 Padrão D-Pak (TO-252AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Vs6ewx06fntrlhm3 Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 3,1 V @ 6 A 21 ns 20 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 6a -
MBR30H100MFST3G onsemi MBR30H100MFST3G 2.0600
RFQ
 ECAD 7158 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 8-powertdfn, 5 leads MBR30 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SOFL) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 900 mV @ 30 A 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 30a -
MBR860_T0_00001 Panjit International Inc. MBR860_T0_00001 0,6600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Panjit International Inc. - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 MBR860 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 3757-MBR860_T0_00001 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 750 mv @ 8 a 50 µA A 60 V -65 ° C ~ 175 ° C. 8a -
V10PM63HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10pm63hm3/h 0,6600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN Schottky TO-277A (SMPC) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 650 mV @ 10 A 25 µA A 60 V -40 ° C ~ 175 ° C. 4.5a 2190pf @ 4V, 1MHz
1N1612R Solid State Inc. 1N1612R 1.9500
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - CAIXA Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-4, Stud Polaridada reversa padrão Do-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 2383-1N1612R Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,3 V @ 30 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 16a -
GDB5818WS Good-Ark Semiconductor GDB5818WS 0,2200
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor de Boa Coisa - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 Schottky SOD-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 600 mV @ 1 a 1 mA a 30 V -65 ° C ~ 125 ° C. 1a 120pf @ 4V, 1MHz
NRVBB1645T4G onsemi NRVBB1645T4G -
RFQ
 ECAD 7125 0,00000000 Onsemi Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab NRVBB1645 Schottky D²pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 630 mV @ 16 a 200 µA @ 45 V -65 ° C ~ 175 ° C. 16a -
MBR1060HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1060HE3/45 -
RFQ
 ECAD 4951 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-2 MBR106 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 800 mv @ 10 a 100 µA A 60 V -65 ° C ~ 150 ° C. 10a -
1N4935-TP Micro Commercial Co 1N4935-TP -
RFQ
 ECAD 1108 0,00000000 Micro Commercial Co. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4935 Padrão DO-41 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,3 V @ 1 a 200 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
SS15HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ss15he3_a/h -
RFQ
 ECAD 6534 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AC, SMA SS15 Schottky DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 750 mv @ 1 a 200 µA a 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a -
R3620 Microchip Technology R3620 33.6000
RFQ
 ECAD 1815 0,00000000 Microchip Technology R36 Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AB, DO-5, Stud R3620 Padrão DO-203AB (DO-5) download Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,25 V @ 200 A 25 µA A 200 V -65 ° C ~ 200 ° C. 70A -
406DMQ200 SMC Diode Solutions 406DMQ200 73.3100
RFQ
 ECAD 164 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Volume Ativo Montagem do chassi Prm4 406DMQ Schottky Prm4 (Isolado) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 9 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 990 mV @ 200 A 10 mA a 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 200a 3000pf @ 5V, 1MHz
RU 4A Sanken Electric USA Inc. Ru 4a -
RFQ
 ECAD 8508 0,00000000 Sanken Electric USA Inc. - Volume Obsoleto Através do buraco Axial Padrão - download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,5 V @ 3 A 400 ns 10 µA A 600 V -40 ° C ~ 150 ° C. 3a -
EP05Q04 KYOCERA AVX EP05Q04 -
RFQ
 ECAD 7845 0,00000000 Kyocera Avx - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOD-123 Schottky SOD-123 download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 510 mV @ 500 mA 100 µA A 40 V -40 ° C ~ 150 ° C. 500mA -
SE60PWBCHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE60PWBCHM3/i 0,2985
RFQ
 ECAD 5732 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 SE60 Padrão Slimdpak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 112-SE60PWBCHM3/ITR Ear99 8541.10.0080 4.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,1 V @ 3 A 1,2 µs 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3a 22pf @ 4V, 1MHz
CR3-120 TR Central Semiconductor Corp CR3-120 TR -
RFQ
 ECAD 8952 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-201D, axial Padrão Do-201d download 1514-CR3-120TR Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,1 V @ 3 A 10 µA A 1200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a 25pf @ 4V, 1MHz
RB541VM-40TE-17 Rohm Semiconductor RB541VM-40TE-17 0,3500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F RB541 Schottky Umd2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 40 v 610 mV @ 100 Ma 100 µA A 40 V 125 ° C (Máximo) 200Ma -
VS-66-8059 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-66-8059 -
RFQ
 ECAD 6739 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Última Vez compra 66-8059 - 112-VS-66-8059 1
P3D06004G2 PN Junction Semiconductor P3D06004G2 2.1000
RFQ
 ECAD 6325 0,00000000 Semicondutor de Junção PN P3d Tape & Reel (TR) Ativo TO-263-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-263-2 download ROHS3 Compatível ALCANCE AFETADO 4237-P3D06004G2TR 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 0 ns 20 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 14a
VSS8D2M15HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vss8d2m15hm3/h 0,4500
RFQ
 ECAD 75 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-221AC, SMA Flat Leads S8D2 Schottky Slimsmaw (DO-221AD) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 700 mv @ 1 a 150 µA @ 150 V -40 ° C ~ 175 ° C. 1.8a 150pf @ 4V, 1MHz
S3GHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3ghe3_a/i 0,4800
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC S3G Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,15 V @ 2,5 A 2,5 µs 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 60pf @ 4V, 1MHz
LS101A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LS101A-GS18 0.0611
RFQ
 ECAD 4879 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Variante SOD-80 LS101 Schottky Sod-80 Quadromell download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 60 v 1 V @ 15 mA 200 Na @ 50 V 125 ° C (Máximo) 30Ma 2pf @ 0V, 1MHz
EP01CV0 Sanken EP01CV0 -
RFQ
 ECAD 4623 0,00000000 Sanken - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Axial EP01 Padrão - download Rohs Compatível 1 (ilimito) EP01CV0 DK Ear99 8541.10.0070 1.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1000 v 4 V @ 200 mA 200 ns 5 µA A 1000 V -40 ° C ~ 150 ° C. 200Ma -
1N5399G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5399G A0G -
RFQ
 ECAD 1322 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial 1N5399 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1 V @ 1,5 A 5 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 15pf @ 4V, 1MHz
VS-10WQ045FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10WQ045FNTL-M3 0,4712
RFQ
 ECAD 8332 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 10WQ045 Schottky D-Pak (TO-252AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Vs10wq045fntlm3 Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 630 mV @ 10 A 1 ma @ 45 V -40 ° C ~ 175 ° C. 10a 760pf @ 5V, 1MHz
S5MB Taiwan Semiconductor Corporation S5MB 0,1328
RFQ
 ECAD 2068 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB S5m Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,1 V @ 5 A 10 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 40pf @ 4V, 1MHz
BYM10-1000-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM10-1000-E3/97 0,4100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) BYM10 Padrão DO-213AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,2 V @ 1 A 10 µA A 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 8pf @ 4V, 1MHz
1N5553US Microchip Technology 1N5553US 11.1900
RFQ
 ECAD 2143 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem na Superfície SQ-Melf, b 1N5553 Padrão B, Sq-Melf download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,2 V @ 9 A 2 µs 1 µA A 800 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a -
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