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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S53120 | 158.8200 | ![]() | 4295 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-S53120 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4003-E3/54 | 0,3700 | ![]() | 27 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4003 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | S5JC | 0,0966 | ![]() | 2496 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S5J | Padrão | SMC (DO-214AB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,15 V @ 5 A | 10 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 40pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | VS-APU3006-N3 | 6.0800 | ![]() | 486 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | APU3006 | Padrão | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2 V @ 30 A | 45 ns | 30 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - | ||
![]() | ES3J R6 | - | ![]() | 4047 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-ES3JR6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SL04-HE3-08 | 0,4200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SL04 | Schottky | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 540 mV @ 1.1 A | 10 ns | 20 µA A 40 V | 175 ° C (max) | 1.1a | 65pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SF21GHA0G | - | ![]() | 7121 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | SF21 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 2 a | 35 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 40pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | FR605G | 0,1550 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-FR605GTB | Ear99 | 500 | ||||||||||||||||
![]() | VS-50WQ04fntrlhm3 | 0,9839 | ![]() | 7426 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 50WQ04 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs50wq04fntrlhm3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 510 mV @ 5 A | 3 ma @ 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 5.5a | 405pf @ 5V, 1MHz | ||
![]() | SRA256GP-TP | - | ![]() | 8634 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SRA | SRA256 | Padrão | SRA | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1.1 V @ 25 A | 25 µA a 800 V | - | 25a | 300pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | US1KWF-HF | 0,0690 | ![]() | 8582 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | US1K | Padrão | SOD-123F | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 641-US1KWF-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,65 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | Mur860 | 0,8500 | ![]() | 8685 | 0,00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,6 V @ 8 A | 35 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 40pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | R5030613LSWA | - | ![]() | 3534 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-205AA, DO-8, Stud | R5030613 | Polaridada reversa padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,5 V @ 470 A | 700 ns | 45 mA a 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 125a | - | |||
![]() | TSUP10M60SH S1G | 1.7300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Tsup10 | Schottky | SMPC4.6U | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 640 mV @ 10 A | 250 µA A 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 658pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | B340LB-E3/52T | 0,4800 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | B340 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 450 mv @ 3 a | 400 µA A 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||
![]() | VS-HFA15TB60-1-M3 | 1.3000 | ![]() | 791 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | HFA15 | Padrão | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2 V @ 30 A | 60 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | ||
![]() | S3MH | 0,1561 | ![]() | 9412 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,15 V @ 3 A | 1,5 µs | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | AS3PJ-M3/86A | 0,2871 | ![]() | 4676 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | AS3 | Avalanche | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 920 mV @ 1,5 A | 1,2 µs | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2.1a | 37pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | PMEG2010EB/S500115 | 0,0700 | ![]() | 1772 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||
![]() | S4A M6G | - | ![]() | 8779 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S4A | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,15 V @ 4 A | 1,5 µs | 100 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 1n2066r | 158.8200 | ![]() | 5725 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | Polaridada reversa padrão | DO-205AB (DO-9) | download | Alcançar Não Afetado | 150-1N2066R | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 300 A | 75 µA A 800 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - | |||||
![]() | 1N5554 BK | - | ![]() | 2773 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Volume | Última Vez compra | Através do buraco | R-4, axial | 1N5554 | Padrão | GPR-4am | - | Alcançar Não Afetado | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 10 Ma | 4 µs | 1 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | ||||||
![]() | GL34J-CT | 0,3935 | ![]() | 3561 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tira | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA | GL34J | Padrão | DO-213AA, Mini-Melf | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcança como informação de disponição mediana solicitada | 2721-GL34J-CT | 8541.10.0000 | 30 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 500 mA | 1,5 µs | 5 µA A 600 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | - | ||
CMSH2-20L TR13 PBFREE | 1.0100 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Cmsh2 | Schottky | SMB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 400 mv @ 2 a | 500 µA A 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 150pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | FR201GT-G | 0,0600 | ![]() | 1909 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Padrão | DO-15 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 641-FR201GT-GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,3 V @ 2 A | 150 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||
![]() | S43150 | 112.3200 | ![]() | 6878 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-S43150 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | Sr6133rlg | 0,0500 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | |||||||||||||||
![]() | SF22GHB0G | - | ![]() | 2055 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | SF22 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 950 mV @ 2 a | 35 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 40pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | Nrvb540mfst1g | 0,6700 | ![]() | 2838 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | NRVB540 | Schottky | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 580 mV @ 5 A | 2 mA a 40 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - | |||
![]() | FMB-G16L | - | ![]() | 6385 | 0,00000000 | Sanken | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Schottky | TO-220F-2L | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FMB-G16L DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 720 mv @ 6 a | 5 mA a 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - |
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