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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Sdurb860 | 0,6800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Sdurb860 | Padrão | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 8 a | 50 ns | 8 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | - | - | ||
![]() | FR1D | 0,0230 | ![]() | 5830 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC, SMA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2796-FR1DTR | 8541.10.0000 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 200 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||
![]() | FR153 | - | ![]() | 1190 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | FR15 | Padrão | DO-15 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1,5 A | 150 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | Rs3a v6g | - | ![]() | 4918 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Rs3a | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 150 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||
JAN1N5621US/TR | 8.5800 | ![]() | 2190 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | Padrão | D-5A | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JAN1N5621US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,6 V @ 3 A | 300 ns | 500 Na @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | RBE05VM20ATE-17 | - | ![]() | 4473 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | Schottky | Umd2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 430 mV @ 500 mA | 200 µA a 20 V | 125 ° C (Máximo) | 500mA | - | ||||
![]() | RS2M-HF | 0,3700 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Rs2m | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 2 A | 500 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 22pf @ 4V, 1MHz | |||
SS1040HE_R1_00001 | 0,3800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123H | SS1040 | Schottky | Sod-123He | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-SS1040HE_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV @ 1 a | 30 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 155pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | UFT5005 | 94.8750 | ![]() | 5299 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | Padrão | TO-204AA (TO-3) | - | Alcançar Não Afetado | 150-UTF5005 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 25 A | 35 ns | 15 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 50a | 225pf @ 10V, 1MHz | ||||
S1G-KR3G | - | ![]() | 6281 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | S1G | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 1,5 µs | 1 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | SURA8105T3G | - | ![]() | 3990 | 0,00000000 | Onsemi | - | Volume | Obsoleto | Sura8105 | download | 488-SURA8105T3G | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||
Jantx1N5806us | 7.3200 | ![]() | 7962 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | 1N5806 | Padrão | D-5A | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 875 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA A 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 10V, 1MHz | |||
![]() | AM01AV0 | - | ![]() | 1820 | 0,00000000 | Sanken | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Axial | AM01 | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | AM01AV0 DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 980 mV @ 1 a | 10 µA A 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||
![]() | BYM11-50HE3/96 | - | ![]() | 1457 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | BYM11 | Padrão | DO-213AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | BYM11-50HE3_A/H. | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |
![]() | GP10G-138M3/54 | - | ![]() | 2930 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | LXA04B600 | 0,5300 | ![]() | 5373 | 0,00000000 | Integrações de Energia | Qspeed ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | LXA04 | Padrão | TO-263AB | download | Rohs Compatível | 2 (1 Ano) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,96 V @ 4 A | 18.5 ns | 250 µA A 600 V | 150 ° C (Máximo) | 4a | - | ||
![]() | RU 2BV | - | ![]() | 4222 | 0,00000000 | Sanken | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Axial | Ru 2 | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,5 V @ 1 A | 400 ns | 10 µA a 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||
![]() | 1n250ra | 2.5000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-5 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N250RA | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,19 V @ 90 A | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40A | - | |||
![]() | R4330IL | 102.2400 | ![]() | 4774 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | Do-205AA, DO-8, Stud | Padrão | Do-205AA (DO-8) | - | Alcançar Não Afetado | 150-R4330IL | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,1 V @ 200 A | 50 µA A 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - | |||||
![]() | UF5407-TP | - | ![]() | 3159 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | UF5407 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | Jantx1n5807/tr | 7.5600 | ![]() | 3814 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | B, axial | Padrão | B, axial | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-Jantx1N5807/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 875 mV @ 4 a | 30 ns | 5 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 60pf @ 10V, 1MHz | |||
![]() | Jan1n6304r | - | ![]() | 2759 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,18 V @ 150 A | 60 ns | 25 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 70A | |||||
![]() | Sft11g | - | ![]() | 8278 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | Padrão | TS-1 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SFT11GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | JAN1N5822US | - | ![]() | 2757 | 0,00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/620 | Volume | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | SQ-Melf | Schottky | - | download | 600-JAN1N5822US | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mv @ 3 a | 100 µA A 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - | ||||||
![]() | STTH1R02A | 0,4700 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | STTH1 | Padrão | SMA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 1,5 A | 30 ns | 3 µA A 200 V | 175 ° C (max) | 1.5a | - | ||
![]() | FFSP2065B-F085 | 6.5200 | ![]() | 9845 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | FFSP2065 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-220-2 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 20 A | 0 ns | 40 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 20a | 866pf @ 1V, 100kHz | ||
CRS10I30A (TE85L, QM | 0,3800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | CRS10I30 | Schottky | S-flat (1,6x3.5) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 390 mV @ 700 mA | 60 µA A 30 V | 150 ° C. | 1a | 50pf @ 10V, 1MHz | |||||
![]() | VS-C10ET07T-M3 | - | ![]() | 5383 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | C10ET07 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 751-VS-C10ET07T-M3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 650 v | 1,8 V @ 10 A | 55 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 430pf @ 1V, 1MHz | ||
![]() | VS-12FL60S05 | 5.3962 | ![]() | 7407 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 12fl60 | Padrão | Do-203aa (DO-4) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,4 V @ 12 A | 500 ns | 50 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - | ||
![]() | 20ETF12FP | - | ![]() | 1085 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | 20ETF12 | Padrão | TO-220AC PACK CONCLUTO | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,31 V @ 20 A | 400 ns | 100 µA A 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - |
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