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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S1FLB-GS08 | 0,3400 | ![]() | 264 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S1f | Padrão | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 700mA | 4pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 1N3975 | 15.5000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | Do-205AA, DO-8, Stud | Padrão | Do-8 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N3975 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,2 V @ 200 A | 50 µA A 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - | |||
![]() | MBR2100_R2_00001 | 0,4600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | MBR2100 | Schottky | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-MBR2100_R2_00001CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 800 mv @ 2 a | 50 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - | ||
![]() | Jantx1N6304 | - | ![]() | 5572 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,18 V @ 150 A | 60 ns | 25 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 70A | |||||
![]() | CFRM103-G | - | ![]() | 5121 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-123T | CFRM103 | Padrão | Mini SMA/SOD-123 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||
![]() | G3S06510C | 5.3000 | ![]() | 2289 | 0,00000000 | Tecnologia de Energia Global-GPT | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-252 | download | 1 (ilimito) | Alcança como informação de disponição mediana solicitada | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 34a | 690pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | UFT5140 | 94.8750 | ![]() | 5574 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-UUuft5140 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4246GPHE3/54 | - | ![]() | 9430 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4246 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 1 A | 1 µA A 400 V | -65 ° C ~ 160 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | SR504HB0G | - | ![]() | 2728 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SR504 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV @ 5 A | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 5a | - | |||
![]() | 1N3493 | 66.2550 | ![]() | 3792 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Presente Ajuste | Do-208aa | Padrão | DO-21 | download | Alcançar Não Afetado | 150-1N3493 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 35 A | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 35a | - | |||||
![]() | Rgl1g | 0,0721 | ![]() | 8359 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA | Padrão | DO-213AA, Mini-Melf | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-RGL1GTR | 8541.10.0000 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 400 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | 8ewf12s | - | ![]() | 9535 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 8ewf12 | Padrão | D-Pak (TO-252AA) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,3 V @ 8 A | 270 ns | 100 µA A 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||
S1DLHM2G | - | ![]() | 1038 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S1D | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | SE50PAJHM3/H. | 0,5600 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221BC, SMA PLL PLAT PAD | Padrão | DO-221BC (SMPA) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,16 V @ 5 A | 2 µs | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.6a | 32pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | 60CDQ045 | 84.1950 | ![]() | 9246 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | Schottky | TO-204AA (TO-3) | - | Alcançar Não Afetado | 150-60CDQ045 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 680 mV @ 30 A | 1,2 mA a 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - | |||||
![]() | SR010HB0G | - | ![]() | 7051 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SR010 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mV a 500 mA | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 65pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | SBM545LSS_AY_00001 | 0,5200 | ![]() | 972 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SBM545 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 490 mV @ 5 A | 210 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||
![]() | LSR105 L0 | - | ![]() | 4771 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | Schottky | Mell | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-LSR105L0TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 1 a | 1 mA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 80pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | 1F5 | 0,0300 | ![]() | 5127 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | R-1, axial | - | Padrão | R-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | GP10M-E3/73 | - | ![]() | 1934 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,2 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 7pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | CDBK0520 | - | ![]() | 8633 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-123F | CDBK0520 | Schottky | SOD-123F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 470 mV @ 500 mA | 100 µA a 20 V | 125 ° C (Máximo) | 500mA | 100pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | DB2S31000L | - | ![]() | 7520 | 0,00000000 | Componentes eletrônicos da Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | DB2S310 | Schottky | Ssmini2-f5-b | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 470 mV a 200 mA | 1.6 ns | 200 µA a 30 V | 125 ° C (Máximo) | 200Ma | 4.5pf @ 10V, 1MHz | |||
![]() | R504150 | 158.8200 | ![]() | 6897 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-R504150 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | B120B-13 | - | ![]() | 9273 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | B120 | Schottky | SMB | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA A 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 110pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | Jan1N6306 | - | ![]() | 9356 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | - | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,18 V @ 150 A | 60 ns | 25 µA A 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 70A | ||||||
![]() | VS-41HFR20 | 7.0370 | ![]() | 4343 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 41HFR20 | Polaridada reversa padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 125 A | 9 mA a 200 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 40A | - | |||
![]() | BAV303-TR3 | 0,2700 | ![]() | 8448 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | BAV303 | Padrão | Micromell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 100 Ma | 50 ns | 100 Na @ 200 V | 175 ° C (max) | 250mA | 1.5pf @ 0V, 1MHz | ||
![]() | GC9700-150E | - | ![]() | 6100 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | Schottky | Chip | - | Alcançar Não Afetado | 150-GC9700-150TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 70 v | 430 mv @ 1 mA | 200 Na @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15m | 2.1pf @ 0V, 1MHz | |||||
![]() | RL107-AP | - | ![]() | 1208 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Axial | RL107 | Padrão | A-405 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | FFSM0465A | 3.8100 | ![]() | 6900 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 4-Powertsfn | FFSM0465 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | 4-PQFN (8x8) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,75 V @ 4 a | 0 ns | 200 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 247pf @ 1V, 100kHz |
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