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A EPC é líder em dispositivos de gerenciamento de energia baseados em nitreto de gálio em modo aprimorado. A EPC foi a primeira a introduzir FETs de nitreto de gálio sobre silício (eGaN®) de modo aprimorado como substitutos de MOSFET de potência em aplicações como conversores DC-DC, transferência de energia sem fio, rastreamento de envelope, transmissão de RF, inversores de potência, tecnologia de sensoriamento remoto (LiDAR) e amplificadores de áudio classe D com desempenho de dispositivo muitas vezes maior do que os melhores MOSFETs de potência de silício.
Terça-feira, 4 de novembro de 202528
Quinta-feira, 30 de outubro de 202516
Segunda-feira, 27 de outubro de 202514
Sexta-feira, 17 de outubro de 20254
Terça-feira, 14 de outubro de 20255

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