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Transistores (100539)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | Condição de teste | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CMS09N10D-HF | - |  | 5221 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak (TO-252) | download | 1 (ilimito) | 641-CMS09N10D-HFTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 v | 9.6a (TC) | 10V | 140mohm @ 6a, 10V | 2,5V a 250µA | 15,5 nc @ 10 V | ± 20V | 690 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | NXH010P90MNF1PG | - | | 3288 | 0,00000000 | Onsemi | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | NXH010 | Carboneto de Silício (sic) | 328W (TJ) | - | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 488-NXH010P90MNF1PG | Ear99 | 8541.29.0095 | 28 | 2-Canal N (Duplo) Fonte Comum | 900V | 154a (TC) | 14mohm @ 100a, 15V | 4.3V @ 40MA | 546.4NC @ 15V | 7007pf @ 450V | - | ||||||||||||||||||||||
| ECH8411-TL-E | - | | 4188 | 0,00000000 | Sanyo | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C. | Montagem NA Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-ECH | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-ECH8411-TL-E-600057 | 1 | N-canal | 20 v | 9a (ta) | 1.8V, 4V | 16mohm @ 4a, 4v | 1.3V @ 1MA | 21 NC @ 10 V | ± 12V | 1740 pf @ 10 V | - | 1.4W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRF7739L1TRPBF | 5.3200 | | 5370 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | DirectFet ™ ISOMÉTRICO L8 | IRF7739 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFet ™ ISOMÉTRICO L8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 40 v | 46a (ta), 270a (tc) | 10V | 1MOHM @ 160A, 10V | 4V A 250µA | 330 NC @ 10 V | ± 20V | 11880 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IPI126N10N3GXKSA1 | 0,6900 | | 10 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ 3 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA262-3 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 v | 58a (TC) | 6V, 10V | 12.6mohm @ 46a, 10V | 3,5V a 46µA | 35 nc @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 50 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | NX138AKMYL | 0,2800 | | 36 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SC-101, SOT-883 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-883 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-canal | 60 v | 270mA (TA) | 2.5V, 10V | 4.2OHM @ 190MA, 10V | 1,5V a 250µA | 0,6 nc @ 10 V | ± 20V | 15 pf @ 30 V | - | 340MW (TA), 2,3W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | BSO203SP | 0,3600 | | 5 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-DSO-8 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P. | 20 v | 7a (ta) | 2.5V, 4.5V | 21mohm @ 8.9a, 4.5V | 1.2V @ 50µA | 39 NC a 4,5 V | ± 12V | 3750 pf @ 15 V | - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | IPA60R125CP | - | | 1680 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-31 | download | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 600 v | 25a (TC) | 10V | 125mohm @ 16a, 10V | 3.5V @ 1.1MA | 70 nc @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRFI9Z24GPBF | 2.6600 | | 1536 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | IRFI9 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *Irfi9z24gpbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P. | 60 v | 8.5a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.1a, 10V | 4V A 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | RW1A030APT2CR | - | | 3626 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-SMD, FiOS Planos | RW1A030 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-WEMT | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | Canal P. | 12 v | 3a (ta) | 1.5V, 4.5V | 42mohm @ 3a, 4.5V | 1V @ 1MA | 22 NC a 4,5 V | -8V | 2700 pf @ 6 V | - | 700mW (TA) | |||||||||||||||||||||
 | SIHB30N60E-GE3 | 6.0700 | | 879 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SIHB30 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | SIHB30N60EGE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 29a (TC) | 10V | 125mohm @ 15a, 10V | 4V A 250µA | 130 nc @ 10 V | ± 30V | 2600 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||
| BLF8G10LS-160V, 112 | 66.3900 | | 5 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Ativo | 65 v | Montagem de flange | SOT-502B | Blf8 | 920MHz ~ 960MHz | LDMOS | SOT502B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 a | 35W | 19.7db | - | 30 v | ||||||||||||||||||||||||||
 | SPB04N60S5ATMA1 | - | | 5997 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Spb04n | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 4.5a (TC) | 10V | 950mohm @ 2.8a, 10V | 5.5V @ 200µA | 22,9 nc @ 10 V | ± 20V | 580 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| AUIRFB3806-IR | - | | 6895 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | - | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-AUIRFB3806-IR | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 60 v | 43a (TC) | 15.8mohm @ 43a, 10V | - | - | - | 71W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| E3M0045065K | 12.2872 | | 5692 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | Automotivo, AEC-Q101, e | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-4 | Sic (transistor de junção de carboneto de Silício) | To-247-4L | - | 1697-E3M0045065K | 30 | N-canal | 650 v | 46a (TC) | 15V | 60mohm @ 17.6a, 15V | 3.6V @ 4.84MA | 64 nc @ 15 V | +19V, -8V | 122 pf @ 400 V | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | IXTX400N15X4 | 44.1200 | | 1 | 0,00000000 | Ixys | Ultra X4 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-247-3 Variante | Ixtx400 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Plus247 ™ -3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 150 v | 400A (TC) | 10V | 3.1mohm @ 100a, 10V | 4.5V @ 1MA | 430 NC @ 10 V | ± 20V | 14500 pf @ 25 V | - | 1500W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IRF8852TRPBF | - | | 5013 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | IRF8852 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1w | 8-TSSOP | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 canal n (Duplo) | 25V | 7.8a | 11.3mohm @ 7.8a, 10V | 2.35V @ 25µA | 9.5NC @ 4.5V | 1151pf @ 20V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||||||||||||
 | SQJ146ELP-T1_GE3 | 0,9400 | | 2030 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 | SQJ146 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | 1 (ilimito) | 742-SQJ146ELP-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 74a (TC) | 4.5V, 10V | 5.8mohm @ 15a, 10V | 2.2V A 250µA | 35 nc @ 10 V | ± 20V | 1780 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | SQJ444EP-T1_BE3 | 1.3300 | | 9631 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | 1 (ilimito) | 742-SQJ444EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 60a (TC) | 4.5V, 10V | 3.2mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 80 nc @ 10 V | ± 20V | 5000 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | FDMS2506SDC | - | | 4733 | 0,00000000 | Onsemi | Dual Cool ™, PowerTrench®, Syncfet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | FDMS25 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pqfn (5x6) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 v | 39A (TA), 49A (TC) | 4.5V, 10V | 1.45mohm @ 30a, 10V | 3V @ 1Ma | 93 NC @ 10 V | ± 20V | 5945 pf @ 13 V | - | 3.3W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | Dmp31d7ldw-7 | 0,0706 | | 6056 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Dmp31 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Dmp31d7ldw-7di | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 550mA (TA) | 900MOHM @ 420MA, 10V | 2.6V a 250µA | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | FCP099N60E | - | | 4506 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Superfet® II | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 v | 37a (TC) | 10V | 99mohm @ 18.5a, 10V | 3,5V a 250µA | 114 NC @ 10 V | ± 20V | 3465 pf @ 380 v | - | 357W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | Php18nq10t, 127 | 0,6000 | | 4 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | Php18 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN004-55W, 127 | - | | 8607 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | PSMN0 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 55 v | 100a (TC) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1MA | 226 NC @ 5 V | ± 15V | 13000 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IXGQ90N27PB | - | | 9153 | 0,00000000 | Ixys | Polar ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-3P-3, SC-65-3 | IXGQ90 | Padrão | 150 w | TO-3P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - | - | 270 v | 90 a | 2.1V @ 15V, 50A | - | 79 NC | - | |||||||||||||||||||||||
 | PSMN7R0-100es, 127 | - | | 5074 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 100a (TC) | 10V | 6.8mohm @ 15a, 10V | 4V @ 1MA | 125 nc @ 10 V | ± 20V | 6686 PF @ 50 V | - | 269W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| WS1A2639-V1-R1 | 41.0060 | | 7616 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 125 v | Montagem NA Superfície | 20-Tflga Pad Exposta | WS1A2639 | 2,496 GHz ~ 2,69 GHz | - | 20-lga (6x6) | - | 1697-WS1A2639-V1-R1TR | 100 | - | - | 50 MA | 8w | 16.9dB | - | 48 v | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRL3803VPBF | 1.0000 | | 5678 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 v | 140A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 71a, 10V | 1V a 250µA | 76 nc @ 4,5 V | ± 16V | 3720 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | MSC035SMA070B | 15.0500 | | 5081 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | MSC035 | Sicfet (Carboneto de Silício) | To-247-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 700 v | 77a (TC) | 20V | 44mohm @ 30a, 20V | 2.7V @ 2Ma | 99 NC @ 20 V | +25V, -10V | 2010 pf @ 700 V | - | 283W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | DMP3017SFG-13 | - | | 9396 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-powervdfn | DMP3017 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerDI3333-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | DMP3017SFG-13DITR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 11.5a (TA) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 11.5a, 10V | 3V A 250µA | 41 nc @ 10 V | ± 25V | 2246 pf @ 15 V | - | 940MW (TA) |
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