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Transistores (100539)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | Condição de teste | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSC034N06NSATMA1 | 1.9000 |  | 14 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | BSC034 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8-7 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 60 v | 100a (TC) | 6V, 10V | 3.4mohm @ 50a, 10V | 3.3V @ 41µA | 41 nc @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 30 V | - | 2.5W (TA), 74W (TC) | ||||||||||||||||||||
| BSC072N08NS5ATMA1 | 1.8300 | | 53 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | BSC072 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8-7 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 80 v | 74a (TC) | 6V, 10V | 7.2mohm @ 37a, 10V | 3.8V @ 36µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 2100 pf @ 40 V | - | 2.5W (TA), 69W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | BSC0924ndiatma1 | 1.3500 | | 79 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | BSC0924 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1w | Pg-tison-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canal n (Duplo) Assimético | 30V | 17a, 32a | 5mohm @ 20a, 10V | 2V A 250µA | 10NC @ 4.5V | 1160pf @ 15V | Portão de Nível Lógico, Unidade de 4.5V | ||||||||||||||||||||||
 | IPB180N10S403ATMA1 | 5.5100 | | 343 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) | IPB180 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-7-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 100 v | 180A (TC) | 10V | 3.3mohm @ 100a, 10V | 3.5V @ 180µA | 140 nc @ 10 V | ± 20V | 10120 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IPB60R600P6ATMA1 | - | | 4354 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ P6 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IPB60R | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001313874 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.4a, 10V | 4.5V @ 200µA | 12 nc @ 10 V | ± 20V | 557 pf @ 100 V | - | 63W (TC) | |||||||||||||||||||
| IPB80P04P4L04ATMA1 | - | | 5802 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IPB80P | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal P. | 40 v | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 4.4mohm @ 80a, 10V | 2.2V A 250µA | 176 NC @ 10 V | ± 16V | 3800 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IPB80P04P4L08ATMA1 | - | | 5447 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IPB80P | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal P. | 40 v | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 7.9mohm @ 80a, 10V | 2.2V @ 120µA | 92 NC @ 10 V | ± 16V | 5430 PF @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IPD5N25S3430ATMA1 | 1.1400 | | 3 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IPD5N25 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA252-3-313 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 250 v | 5a (TC) | 10V | 430mohm @ 5a, 10V | 4V @ 13µA | 6,2 nc @ 10 V | ± 20V | 422 pf @ 25 V | - | 41W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IPD80R2K8CEATMA1 | 1.2000 | | 8457 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ CE | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IPD80R2 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A252-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 800 v | 1.9a (TC) | 10V | 2.8ohm @ 1.1a, 10V | 3.9V A 120µA | 12 nc @ 10 V | ± 20V | 290 pf @ 100 V | - | 42W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IPG16N10S461AATMA1 | 1.1400 | | 1146 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 8-powervdfn | IPG16N10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 29W | PG-TDSON-8-10 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canal n (Duplo) | 100V | 16a | 61mohm @ 16a, 10V | 3.5V @ 9µA | 7NC @ 10V | 490pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||
 | IPG20N06S415ATMA2 | 1.3800 | | 5402 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | IPG20N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 50W | Pg-tdson-8-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 20a | 15.5mohm @ 17a, 10V | 4V @ 20µA | 29NC @ 10V | 2260pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||
 | IPI120P04P404AKSA1 | - | | 1023 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | IPI120P | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA262-3-1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP000842274 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal P. | 40 v | 120A (TC) | 10V | 3.8mohm @ 100a, 10V | 4V @ 340µA | 205 nc @ 10 V | ± 20V | 14790 PF @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IPI80P04P4L06AKSA1 | - | | 7235 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | IPI80P | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA262-3-1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP000842050 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal P. | 40 v | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 6.7mohm @ 80a, 10V | 2.2V @ 150µA | 104 NC @ 10 V | +5V, -16V | 6580 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IPL65R195C7Auma1 | 3.7700 | | 53 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ C7 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-Powertsfn | IPL65R | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-vson-4 | download | ROHS3 Compatível | 2a (4 semanas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 650 v | 12a (TC) | 10V | 195mohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 290µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1150 pf @ 400 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IPL65R310E6Auma1 | - | | 7003 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ E6 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-Powertsfn | IPL65R | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-vson-4 | download | 2a (4 semanas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 650 v | 13.1a (TC) | 10V | 310mohm @ 4.4a, 10V | 3,5V a 400µA | 45 nc @ 10 V | ± 20V | 950 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IPP020N08N5AKSA1 | 6.2400 | | 494 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP020 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 80 v | 120A (TC) | 6V, 10V | 2mohm @ 100a, 10V | 3.8V @ 280µA | 223 NC @ 10 V | ± 20V | 16900 pf @ 40 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IPP120N08S403AKSA1 | 5.9900 | | 8 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 80 v | 120A (TC) | 10V | 2.8mohm @ 100a, 10V | 4V @ 223µA | 167 NC @ 10 V | ± 20V | 11550 pf @ 25 V | - | 278W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IPP120N08S404AKSA1 | - | | 7519 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 80 v | 120A (TC) | 10V | 4.4mohm @ 100a, 10V | 4V A 120µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 6450 pf @ 25 V | - | 179W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | CSD18542KTTT | 3.0200 | | 10 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-4, D²PAK (3 leads + guia), TO-263AA | CSD18542 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DDPAK/TO-263-3 | download | ROHS3 Compatível | 2 (1 Ano) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 200a (TA), 170A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 100a, 10V | 2.2V A 250µA | 57 nc @ 10 V | ± 20V | 5070 pf @ 30 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | CSD25480F3T | 0,9500 | | 43 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-xfdfn | CSD25480 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3-Picosstar | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal P. | 20 v | 1.7a (ta) | 1.8V, 8V | 132mohm @ 400ma, 8V | 1.2V a 250µA | 0,91 nc @ 10 V | -12v | 155 pf @ 10 V | - | 500mW (TA) | ||||||||||||||||||||
 | DMTH6005LPSQ-13 | 1.5000 | | 4056 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | DMTH6005 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerDi5060-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 20.6a (ta), 100a (tc) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 50a, 10V | 3V A 250µA | 47,1 nc @ 10 V | ± 20V | 2962 pf @ 30 V | - | 3.2W (TA), 150W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | CGHV60040D-GP4 | 51.4890 | | 140 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | Gan | Bandeja | Ativo | 150 v | Morrer | CGHV60040 | 6GHz | Hemt | Morrer | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0075 | 10 | - | 65 mA | 40W | 17db | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||
 | PTFA08051E-V4-R0 | 54.9642 | | 5872 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | Tira | Não é para desenhos para Novos | 65 v | Montagem do chassi | H-36265-2 | PTFA080551 | 869MHz ~ 960MHz | LDMOS | H-36265-2 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 10µA | 450 Ma | 55W | 18.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||
 | PTFA091201E-V4-R0 | - | | 3907 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | Tira | Obsoleto | 65 v | 2-flatpack, Lidera de Barraca, Flangeada | 920MHz ~ 960MHz | LDMOS | H-36248-2 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 10µA | 750 Ma | 120W | 19dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||
 | DMNH4011SK3Q-13 | 0,4939 | | 7703 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | DMNH4011 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 50a (TC) | 10V | 10mohm @ 50a, 10V | 4V A 250µA | 25,5 nc @ 10 V | ± 20V | 1405 PF @ 20 V | - | 2.6W (TA) | ||||||||||||||||||||
| CSD19505KTT | 3.4400 | | 142 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-4, D²PAK (3 leads + guia), TO-263AA | CSD19505 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DDPAK/TO-263-3 | download | ROHS3 Compatível | 2 (1 Ano) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 80 v | 200a (TA) | 6V, 10V | 3.1mohm @ 100a, 10V | 3.2V @ 250µA | 76 nc @ 10 V | ± 20V | 7920 PF @ 40 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | SIHG33N65E-GE3 | 4.4659 | | 3198 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | SIHG33 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 v | 32.4a (TC) | 10V | 105mohm @ 16.5a, 10V | 4V A 250µA | 173 NC @ 10 V | ± 30V | 4040 pf @ 100 V | - | 313W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | CSD17313Q2Q1T | 0,8664 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6 WDFN PAD Exposto | CSD173 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-WSON (2x2) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 30 v | 5a (ta) | 3V, 8V | 30mohm @ 4a, 8v | 1.8V a 250µA | 2,7 nc a 4,5 V | +10V, -8V | 340 pf @ 15 V | - | 2.4W (TA), 17W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IGC11T120T8LX1SA1 | - | | 1158 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Trenchstop ™ | Volume | Descontinuado no sic | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Morrer | IGC11T120 | Padrão | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 24 a | 2.07V @ 15V, 8a | - | - | ||||||||||||||||||||||||
| IGC99T120T8RLX1SA3 | - | | 1789 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | IGC99T120 | Padrão | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 300 a | 1,97V @ 15V, 100A | - | - |
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