SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE
BUK7275-100A,118 NXP USA Inc. BUK7275-100A, 118 -
RFQ
ECAD 4049 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo Buk72 - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500
PSMN3R0-30YL,115 Nexperia USA Inc. PSMN3R0-30YL, 115 1.3000
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Nexperia EUA Inc. - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SC-100, SOT-669 PSMN3R0 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) LFPAK56, Power-So8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 v 100a (TC) 4.5V, 10V 3mohm @ 15a, 10V 2.15V @ 1Ma 45,8 nc @ 10 V ± 20V 2822 pf @ 12 V - 81W (TC)
FDPF10N50UT Fairchild Semiconductor FDPF10N50UT 0,8600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 351 N-canal 500 v 8a (TC) 10V 1.05OHM @ 4A, 10V 5V A 250µA 24 nc @ 10 V ± 30V 1130 pf @ 25 V - 42W (TC)
BLA6G1011L-200RG,1 Ampleon USA Inc. Bla6g1011l-200rg, 1 300.7900
RFQ
ECAD 20 0,00000000 Ampleon USA Inc. - Volume Descontinuado no sic 65 v Montagem do chassi SOT-502D BLA6G1011 1,03 GHz ~ 1,09 GHz LDMOS LD mais download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 20 49a 100 ma 200w 20dB - 28 v
CMS10P10D-HF Comchip Technology CMS10P10D-HF -
RFQ
ECAD 3826 0,00000000 Tecnologia Comchip - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 CMS10 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak (TO-252) download 1 (ilimito) 641-CMS10P10D-HFTR Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 100 v 10a (TC) 210mohm @ 5a, 10V 3V A 250µA 20 NC A 10 V ± 20V 1419 pf @ 25 V - 2W (TA), 54W (TC)
CSD18537NQ5A Texas Instruments CSD18537NQ5a 0,9200
RFQ
ECAD 21 0,00000000 Texas Instruments NexFET ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-PowerTdfn CSD18537 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-vsonp (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 50a (TC) 6V, 10V 13mohm @ 12a, 10V 3,5V a 250µA 18 NC @ 10 V ± 20V 1480 pf @ 30 V - 3.2W (TA), 75W (TC)
IPA50R299CPXKSA1 Infineon Technologies IPA50R299CPXKSA1 -
RFQ
ECAD 6648 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 IPA50R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-31 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 550 v 12a (TC) 10V 299mohm @ 6.6a, 10V 3.5V @ 440µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1190 pf @ 100 V - 104W (TC)
FGPF7N60LSDTU onsemi FGPF7N60LSDTU -
RFQ
ECAD 4730 0,00000000 Onsemi - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 FGPF7 Padrão 45 w TO-220F-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 300V, 7A, 470OHM, 15V 65 ns - 600 v 14 a 21 a 2V @ 15V, 7a 270µJ (ON), 3,8MJ (Desligado) 24 NC 120ns/410ns
RCX100N25 Rohm Semiconductor RCX100N25 2.2500
RFQ
ECAD 466 0,00000000 Rohm Semiconducor - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 RCX100 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220FM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 250 v 10a (ta) 10V - - ± 30V - 40W (TC)
FS950R08A6P2BBPSA1 Infineon Technologies FS950R08A6P2BBPSA1 917.7000
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Tecnologias Infineon Hybridpack ™ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FS950R08 870 w Padrão Ag-hybridd-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 6 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 750 v 950 a 1.35V @ 15V, 450A 1 MA Sim 80 nf @ 50 V
TP5335K1-G-VAO Microchip Technology TP5335K1-G-VAO -
RFQ
ECAD 5577 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TP5335 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-TP5335K1-G-VAOTR Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 350 v 85mA (TJ) 4.5V, 10V 30ohm @ 200Ma, 10V 2.4V @ 1Ma ± 20V 110 pf @ 25 V - 360MW (TA)
FDZ661PZ Fairchild Semiconductor Fdz661pz 0,3200
RFQ
ECAD 80 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 4-XFBGA, WLCSP MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-WLCSP (0,8x0,8) download Ear99 8542.39.0001 952 Canal P. 20 v 2.6a (ta) 1.5V, 4.5V 140mohm @ 2a, 4.5V 1.2V a 250µA 8,8 nc @ 4,5 V ± 8V 555 pf @ 10 V - 1.3W (TA)
NTK3043NT1H onsemi Ntk3043nt1h 0,0700
RFQ
ECAD 132 0,00000000 Onsemi * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 4.000
AOTF15S65L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF15S65L 3.0400
RFQ
ECAD 872 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 AOTF15 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 650 v 15a (TC) 10V 290mohm @ 7.5a, 10V 4V A 250µA 17,2 nc @ 10 V ± 30V 841 pf @ 100 V - 34W (TC)
NVTYS005N04CTWG onsemi NVTYS005N04CTWG 0,7036
RFQ
ECAD 8093 0,00000000 Onsemi Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SOT-1205, 8-LFPAK56 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-lfpak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 488-NVTYS005N04CTWGTR Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 v 18a (ta), 71a (tc) 10V 5.6mohm @ 35a, 10V 3.5V @ 40µA 16 nc @ 10 V ± 20V 1000 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 50W (TC)
MCAC50P03B-TP Micro Commercial Co MCAC50P03B-TP 0,9500
RFQ
ECAD 17 0,00000000 Micro Commercial Co. - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-PowerTdfn MCAC50 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DFN5060 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 Canal P. 30 v 50a 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 2,8V a 250µA 111,7 nc @ 10 V ± 25V 6464 pf @ 15 V - 83W
NVTYS010N04CTWG onsemi NVTYS010N04CTWG 0,5844
RFQ
ECAD 4208 0,00000000 Onsemi Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SOT-1205, 8-LFPAK56 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-lfpak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 488-NVTYS010N04CTWGTR Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 v 12a (ta), 38a (tc) 10V 12mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 20µA 7 nc @ 10 V ± 20V 492 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 32W (TC)
BUK7Y25-40B,115 Nexperia USA Inc. BUK7Y25-40B, 115 -
RFQ
ECAD 3044 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SC-100, SOT-669 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) LFPAK56, Power-So8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 v 35.3a (TC) 10V 25mohm @ 20a, 10V 4V @ 1MA 12,1 nc @ 10 V ± 20V 693 pf @ 25 V - 59.4W (TC)
IXTQ28N15P IXYS Ixtq28n15p -
RFQ
ECAD 6432 0,00000000 Ixys Polar Tubo Ativo - Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq28 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 N-canal - - - - -
IRL2203NSTRR Infineon Technologies IRL2203NSTRR -
RFQ
ECAD 8315 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 30 v 116a (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 60a, 10V 3V A 250µA 60 nc @ 4,5 V ± 16V 3290 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 180W (TC)
IRFS240B Fairchild Semiconductor IRFS240B 0,7200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 200 v 12.8a (TC) 10V 180mohm @ 6.4a, 10V 4V A 250µA 58 nc @ 10 V ± 30V 1700 pf @ 25 V - 73W (TC)
IPD50N04S308ATMA1 Infineon Technologies IPD50N04S308ATMA1 0,6684
RFQ
ECAD 1845 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD50 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA252-3-11 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 v 50a (TC) 10V 7.5mohm @ 50a, 10V 4V @ 40µA 35 nc @ 10 V ± 20V 2350 pf @ 25 V - 68W (TC)
IRF840APBF-BE3 Vishay Siliconix IRF840APBF-BE3 1.9400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Vishay Siliconix - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRF840 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB - 1 (ilimito) 742-IRF840APBF-BE3 Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 500 v 8a (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V A 250µA 38 nc @ 10 V ± 30V 1018 pf @ 25 V - 125W (TC)
FQI10N20CTU Fairchild Semiconductor FQI10N20CTU 0,4100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 200 v 9.5a (TC) 10V 360mohm @ 4.75a, 10V 4V A 250µA 26 NC A 10 V ± 30V 510 pf @ 25 V - 72W (TC)
BSC014N06NSSCATMA1 Infineon Technologies BSC014N06NSSCATMA1 3.6000
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-POWERWDFN BSC014 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-WSON-8-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 v 261a (TC) 6V, 10V 1.4mohm @ 50a, 10V 3.3V A 120µA 104 NC @ 10 V ± 20V 8125 pf @ 30 V - 3W (TA), 188W (TC)
UPA2724UT1A-E2-AY Renesas Electronics America Inc UPA2724UT1A-E2-AY 1.0700
RFQ
ECAD 594 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * Volume Ativo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 280
IPP052NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP052NE7N3GXKSA1 2.9400
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP052 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 75 v 80a (TC) 10V 5.2mohm @ 80a, 10V 3,8V a 91µA 68 nc @ 10 V ± 20V 4750 PF @ 37,5 V - 150W (TC)
SFT1450-TL-H onsemi SFT1450-TL-H -
RFQ
ECAD 2071 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 SFT145 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TP-fa download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 700 N-canal 40 v 21a (TA) 10V 28mohm @ 10.5a, 10V 2.6V @ 1Ma 14,4 nc @ 10 V ± 20V 715 pf @ 20 V - 1W (TA), 23W (TC)
IRGP4760-EPBF Infineon Technologies IRGP4760-EPBF -
RFQ
ECAD 7167 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 325 w TO-247AD download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001535750 Ear99 8541.29.0095 25 400V, 48A, 10OHM, 15V - 650 v 90 a 144 a 2V @ 15V, 48a 1,7MJ (ON), 1MJ (Desligado) 145 NC 70ns/140ns
FZ600R65KE3NOSA1 Infineon Technologies FZ600R65KE3NOSA1 2.0000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo -50 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo FZ600R65 2400 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 8541.29.0095 1 Solteiro - 6500 v 600 a 3.4V @ 15V, 600A 5 MA Não 160 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque