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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | Condição de teste | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Tensão - Teste | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BUK7275-100A, 118 | - | ![]() | 4049 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | Buk72 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN3R0-30YL, 115 | 1.3000 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SC-100, SOT-669 | PSMN3R0 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | LFPAK56, Power-So8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 v | 100a (TC) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 15a, 10V | 2.15V @ 1Ma | 45,8 nc @ 10 V | ± 20V | 2822 pf @ 12 V | - | 81W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF10N50UT | 0,8600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Unifet ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F-3 | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 351 | N-canal | 500 v | 8a (TC) | 10V | 1.05OHM @ 4A, 10V | 5V A 250µA | 24 nc @ 10 V | ± 30V | 1130 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bla6g1011l-200rg, 1 | 300.7900 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Volume | Descontinuado no sic | 65 v | Montagem do chassi | SOT-502D | BLA6G1011 | 1,03 GHz ~ 1,09 GHz | LDMOS | LD mais | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 20 | 49a | 100 ma | 200w | 20dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMS10P10D-HF | - | ![]() | 3826 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | CMS10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak (TO-252) | download | 1 (ilimito) | 641-CMS10P10D-HFTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 100 v | 10a (TC) | 210mohm @ 5a, 10V | 3V A 250µA | 20 NC A 10 V | ± 20V | 1419 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 54W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD18537NQ5a | 0,9200 | ![]() | 21 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | CSD18537 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vsonp (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 50a (TC) | 6V, 10V | 13mohm @ 12a, 10V | 3,5V a 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 1480 pf @ 30 V | - | 3.2W (TA), 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA50R299CPXKSA1 | - | ![]() | 6648 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | IPA50R | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-31 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 550 v | 12a (TC) | 10V | 299mohm @ 6.6a, 10V | 3.5V @ 440µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1190 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGPF7N60LSDTU | - | ![]() | 4730 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | FGPF7 | Padrão | 45 w | TO-220F-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 300V, 7A, 470OHM, 15V | 65 ns | - | 600 v | 14 a | 21 a | 2V @ 15V, 7a | 270µJ (ON), 3,8MJ (Desligado) | 24 NC | 120ns/410ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RCX100N25 | 2.2500 | ![]() | 466 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | RCX100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 250 v | 10a (ta) | 10V | - | - | ± 30V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS950R08A6P2BBPSA1 | 917.7000 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Hybridpack ™ | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | FS950R08 | 870 w | Padrão | Ag-hybridd-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | Inversor Trifásico | Parada de Campo da Trinceira | 750 v | 950 a | 1.35V @ 15V, 450A | 1 MA | Sim | 80 nf @ 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TP5335K1-G-VAO | - | ![]() | 5577 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TP5335 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-TP5335K1-G-VAOTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 350 v | 85mA (TJ) | 4.5V, 10V | 30ohm @ 200Ma, 10V | 2.4V @ 1Ma | ± 20V | 110 pf @ 25 V | - | 360MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdz661pz | 0,3200 | ![]() | 80 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 4-XFBGA, WLCSP | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-WLCSP (0,8x0,8) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 952 | Canal P. | 20 v | 2.6a (ta) | 1.5V, 4.5V | 140mohm @ 2a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 8,8 nc @ 4,5 V | ± 8V | 555 pf @ 10 V | - | 1.3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ntk3043nt1h | 0,0700 | ![]() | 132 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOTF15S65L | 3.0400 | ![]() | 872 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | AOTF15 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 650 v | 15a (TC) | 10V | 290mohm @ 7.5a, 10V | 4V A 250µA | 17,2 nc @ 10 V | ± 30V | 841 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVTYS005N04CTWG | 0,7036 | ![]() | 8093 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-1205, 8-LFPAK56 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-lfpak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 488-NVTYS005N04CTWGTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 18a (ta), 71a (tc) | 10V | 5.6mohm @ 35a, 10V | 3.5V @ 40µA | 16 nc @ 10 V | ± 20V | 1000 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCAC50P03B-TP | 0,9500 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | MCAC50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DFN5060 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canal P. | 30 v | 50a | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 20a, 10V | 2,8V a 250µA | 111,7 nc @ 10 V | ± 25V | 6464 pf @ 15 V | - | 83W | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVTYS010N04CTWG | 0,5844 | ![]() | 4208 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-1205, 8-LFPAK56 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-lfpak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 488-NVTYS010N04CTWGTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 12a (ta), 38a (tc) | 10V | 12mohm @ 10a, 10V | 3.5V @ 20µA | 7 nc @ 10 V | ± 20V | 492 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 32W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7Y25-40B, 115 | - | ![]() | 3044 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SC-100, SOT-669 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | LFPAK56, Power-So8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 40 v | 35.3a (TC) | 10V | 25mohm @ 20a, 10V | 4V @ 1MA | 12,1 nc @ 10 V | ± 20V | 693 pf @ 25 V | - | 59.4W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixtq28n15p | - | ![]() | 6432 | 0,00000000 | Ixys | Polar | Tubo | Ativo | - | Através do buraco | TO-3P-3, SC-65-3 | Ixtq28 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-3P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL2203NSTRR | - | ![]() | 8315 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 v | 116a (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 60a, 10V | 3V A 250µA | 60 nc @ 4,5 V | ± 16V | 3290 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 180W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS240B | 0,7200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 v | 12.8a (TC) | 10V | 180mohm @ 6.4a, 10V | 4V A 250µA | 58 nc @ 10 V | ± 30V | 1700 pf @ 25 V | - | 73W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD50N04S308ATMA1 | 0,6684 | ![]() | 1845 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IPD50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA252-3-11 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 50a (TC) | 10V | 7.5mohm @ 50a, 10V | 4V @ 40µA | 35 nc @ 10 V | ± 20V | 2350 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF840APBF-BE3 | 1.9400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF840 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | - | 1 (ilimito) | 742-IRF840APBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 500 v | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V A 250µA | 38 nc @ 10 V | ± 30V | 1018 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI10N20CTU | 0,4100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak (to-262) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 200 v | 9.5a (TC) | 10V | 360mohm @ 4.75a, 10V | 4V A 250µA | 26 NC A 10 V | ± 30V | 510 pf @ 25 V | - | 72W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC014N06NSSCATMA1 | 3.6000 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-POWERWDFN | BSC014 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-WSON-8-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 60 v | 261a (TC) | 6V, 10V | 1.4mohm @ 50a, 10V | 3.3V A 120µA | 104 NC @ 10 V | ± 20V | 8125 pf @ 30 V | - | 3W (TA), 188W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2724UT1A-E2-AY | 1.0700 | ![]() | 594 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 280 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP052NE7N3GXKSA1 | 2.9400 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP052 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 75 v | 80a (TC) | 10V | 5.2mohm @ 80a, 10V | 3,8V a 91µA | 68 nc @ 10 V | ± 20V | 4750 PF @ 37,5 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFT1450-TL-H | - | ![]() | 2071 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SFT145 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TP-fa | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 700 | N-canal | 40 v | 21a (TA) | 10V | 28mohm @ 10.5a, 10V | 2.6V @ 1Ma | 14,4 nc @ 10 V | ± 20V | 715 pf @ 20 V | - | 1W (TA), 23W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP4760-EPBF | - | ![]() | 7167 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | 325 w | TO-247AD | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001535750 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 48A, 10OHM, 15V | - | 650 v | 90 a | 144 a | 2V @ 15V, 48a | 1,7MJ (ON), 1MJ (Desligado) | 145 NC | 70ns/140ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ600R65KE3NOSA1 | 2.0000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | -50 ° C ~ 125 ° C. | Montagem do chassi | Módlo | FZ600R65 | 2400 w | Padrão | Módlo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | - | 6500 v | 600 a | 3.4V @ 15V, 600A | 5 MA | Não | 160 NF @ 25 V |
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