SIC
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Transistores (100539)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
IPA60R230P6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R230P6XKSA1 2.9300
RFQ
 ECAD 109 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ P6 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 IPA60R230 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A220-FP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 16.8a (TC) 10V 230mohm @ 6.4a, 10V 4.5V @ 530µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1450 PF @ 100 V - 33W (TC)
IRGB4607DPBF International Rectifier IRGB4607DPBF 0,8100
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Retificador Internacional - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Padrão 58 w TO-220AB download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 400V, 4A, 100OHM, 15V 48 ns - 600 v 11 a 12 a 2.05V @ 15V, 4A 140µJ (ON), 62µJ (Off) 9 NC 27ns/120ns
MMBT4403LT3G onsemi MMBT4403LT3G 0,1400
RFQ
 ECAD 1973 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4403 300 MW SOT-23-3 (TO-236) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 10.000 40 v 600 mA - Pnp 750mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 2V 200MHz
2SA2011-TD-E onsemi 2SA2011-TD-E 0,1800
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Onsemi * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0075 1.000
TK17A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A65W5, S5X 3.1400
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 ECAD 100 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo 150 ° C. Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK17A65 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 650 v 17.3a (TA) 10V 230mohm @ 8.7a, 10V 4.5V A 900µA 50 nc @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 300 V - 45W (TC)
DMP4026LSSQ-13 Diodes Incorporated DMP4026LSSQ-13 0,2597
RFQ
 ECAD 9360 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 31-DMP4026LSSQ-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 40 v 7.2a (ta) 4.5V, 10V 25mohm @ 3a, 10V 1.8V a 250µA 45 nc @ 10 V ± 20V 2083 pf @ 20 V - 1.5W (TA)
DMN10H170SFDE-7 Diodes Incorporated DMN10H170SFDE-7 0,1790
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 ECAD 3541 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-Powerudfn DMN10 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) U-DFN2020-6 (TIPO E) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100 v 2.9a (ta) 4.5V, 10V 160mohm @ 5a, 10V 3V A 250µA 9,7 nc @ 10 V ± 20V 1167 pf @ 25 V - 660MW (TA)
ON5213,118 NXP USA Inc. ON5213,118 -
RFQ
 ECAD 4336 0,00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-5, D²PAK (4 leads + guia), to-263bb ON52 - - D2PAK - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 934056669118 Ear99 8541.29.0095 800 - - - - -
BC817K-25 Diotec Semiconductor BC817K-25 0,0333
RFQ
 ECAD 6726 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 500 MW SOT-23-3 (TO-236) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 2796-BC817K-25TR 8541.21.0000 3.000 45 v 500 MA 100na (ICBO) Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 160 @ 100MA, 1V 170MHz
IRF5803D2 Infineon Technologies IRF5803D2 -
RFQ
 ECAD 5941 0,00000000 Tecnologias Infineon Fetky ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 95 Canal P. 40 v 3.4a (ta) 4.5V, 10V 112mohm @ 3.4a, 10V 3V A 250µA 37 nc @ 10 V ± 20V 1110 pf @ 25 V Diodo Schottky (Isolado) 2W (TA)
BSM100GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies BSM100GB120DN2HOSA1 185.3680
RFQ
 ECAD 9504 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo BSM100 800 w Padrão Módlo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Meia Ponte - 1200 v 150 a 3V @ 15V, 100A 2 MA Não 6,5 NF @ 25 V
APT20M18B2VRG Microchip Technology APT20M18B2VRG 21.5900
RFQ
 ECAD 7614 0,00000000 Microchip Technology Power Mos V® Tubo Ativo Através do buraco TO-247-3 Variante APT20M18 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) T-MAX ™ [B2] download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 200 v 100a (TC) 18mohm @ 50a, 10V 4V @ 2.5MA 330 NC @ 10 V 9880 PF @ 25 V -
ZXMN2F34FHTA Diodes Incorporated ZXMN2F34FHTA 0,4600
RFQ
 ECAD 52 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Zxmn2 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 v 3.4a (ta) 2.5V, 4.5V 60mohm @ 2.5a, 4.5V 1,5V a 250µA 2,8 nc @ 4,5 V ± 12V 277 pf @ 10 V - 950MW (TA)
2N3055 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N3055 PBFREE 4.9812
RFQ
 ECAD 9888 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Volume Última Vez compra -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-204AA, TO-3 115 w TO-3 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 20 70 v 15 a 700µA Npn 3V @ 3.3a, 10a 20 @ 4A, 4V 2,5MHz
IXFH80N30P3 IXYS IXFH80N30P3 -
RFQ
 ECAD 7688 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Polar3 ™ Tubo Ativo IXFH80 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30
SQ7415AEN-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ7415AEN-T1_BE3 -
RFQ
 ECAD 9246 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície PowerPak® 1212-8 SQ7415 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PowerPak® 1212-8 download Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 60 v 16a (TC) 4.5V, 10V 65mohm @ 5.7a, 10V 2,5V a 250µA 38 nc @ 10 V ± 20V 1385 pf @ 25 V - 53W (TC)
AON6970_002 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6970_002 -
RFQ
 ECAD 9625 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície 8-POWERWDFN AON697 8-DFN (5x6) - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 -
SUP36N20-54P-E3 Vishay Siliconix SUP36N20-54P-E3 -
RFQ
 ECAD 2773 0,00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 SUP36 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 200 v 36a (TC) 10V, 15V 53mohm @ 20a, 15V 4.5V a 250µA 127 nc @ 15 V ± 25V 3100 pf @ 25 V - 3.12W (TA), 166W (TC)
RN1703,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1703, lf 0,3100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1703 200mw USV download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500na 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
AUXTALR3915 Infineon Technologies AUXTALR3915 -
RFQ
 ECAD 8718 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 1 -
STW11NB80 STMicroelectronics STW11NB80 -
RFQ
 ECAD 2615 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 STW11N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 497-2789-5 Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 800 v 11a (TC) 10V 800mohm @ 5.5a, 10V 5V A 250µA 70 nc @ 10 V ± 30V 2900 pf @ 25 V - 190W (TC)
FDB2552-F085 onsemi FDB2552-F085 -
RFQ
 ECAD 3419 0,00000000 Onsemi Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab FDB2552 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D²PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 150 v 5a (ta), 37a (tc) 10V 36mohm @ 16a, 10V 4V A 250µA 51 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 25 V - 150W (TC)
FDBL0330N80 onsemi FDBL0330N80 5.6900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Onsemi PowerTrench® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERSFN FDBL0330 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-hpsof download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 80 v 220A (TC) 10V 3mohm @ 80a, 10V 4V A 250µA 112 NC @ 10 V ± 20V 6320 pf @ 40 V - 300W (TC)
YJL02N10A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL02N10A 0,2800
RFQ
 ECAD 7406 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 v 2a (ta) 4.5V, 10V 280mohm @ 2a, 10V 3V A 250µA 9,56 nc @ 10 V ± 20V 387 pf @ 10 V - 1.3W (TA)
IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies IRFS4115TRLPBF 3.6500
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRFS4115 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 150 v 195a (TC) 10V 12.1mohm @ 62a, 10V 5V A 250µA 120 nc @ 10 V ± 20V 5270 pf @ 50 V - 375W (TC)
PMST5550-QF Nexperia USA Inc. PMST5550-QF 0,0447
RFQ
 ECAD 7346 0,00000000 Nexperia EUA Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 PMST5550 200 MW SOT-323 - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1727-PMST5550-QFTR Ear99 8541.21.0075 10.000 140 v 300 mA 100na (ICBO) Npn 250mv @ 5Ma, 50Ma 60 @ 10MA, 5V 300MHz
SQD40030E_GE3 Vishay Siliconix SQD40030E_GE3 0,7297
RFQ
 ECAD 2938 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 SQD40030 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 40 v 100a (TC) 10V - - 65 nc @ 10 V - - -
PMPB20ENA115 Nexperia USA Inc. PMPB20ENA115 -
RFQ
 ECAD 7128 0,00000000 Nexperia EUA Inc. * Volume Ativo download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 3.000
IPP048N12N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP048N12N3GXKSA1 4.7900
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 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP048 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 120 v 100a (TC) 10V 4.8mohm @ 100a, 10V 4V @ 230µA 182 NC @ 10 V ± 20V 12000 pf @ 60 V - 300W (TC)
BCP56-10115 NXP USA Inc. BCP56-10115 1.0000
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 ECAD 5217 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo download Ear99 8541.29.0075 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

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    15.000 m2

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