SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Freqüência Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tensão - Teste
MCU95N06KY-TP Micro Commercial Co Mcu95n06ky-tp 1.5700
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Micro Commercial Co. - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MCU95 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK (TO-252) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 95a 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 2,5V a 250µA 72,84 nc @ 10 V ± 20V 4159 pf @ 30 V - 160W
IP111N15N3G Infineon Technologies IP111N15N3G -
RFQ
ECAD 5769 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.30.0080 1
PJW5P06A-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJW5P06A-AU_R2_000A1 0,6400
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Panjit International Inc. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-261-4, TO-261AA PJW5P06 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 60 v 5a (ta) 4.5V, 10V 68mohm @ 5a, 10V 2,5V a 250µA 17 NC @ 10 V ± 20V 879 pf @ 30 V - 3.1W (TA)
NTD78N03R-1G onsemi NTD78N03R-1G 0,4400
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Onsemi * Volume Ativo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1
SI3441DV Fairchild Semiconductor SI3441DV -
RFQ
ECAD 2419 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 3.5a (ta) 2.5V, 4.5V 80mohm @ 3.5a, 4.5V 1,5V a 250µA 10 nc @ 4,5 V ± 8V 779 pf @ 10 V - 800mW (TA)
FDP8443 Fairchild Semiconductor FDP8443 1.2300
RFQ
ECAD 12 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 40 v 20A (TA), 80A (TC) 10V 3.5mohm @ 80a, 10V 4V A 250µA 185 NC @ 10 V ± 20V 9310 pf @ 25 V - 188W (TC)
PMV48XPA215 NXP USA Inc. PMV48XPA215 -
RFQ
ECAD 1736 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 3.000
PXAC241002FC-V1-R250 Wolfspeed, Inc. PXAC241002FC-V1-R250 92.8800
RFQ
ECAD 242 0,00000000 Wolfspeed, Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 v Montagem NA Superfície H-37248C-4 PXAC241002 2,3 GHz ~ 2,4 GHz LDMOS H-37248C-4 - 3 (168 Horas) Ear99 8541.29.0075 250 Fonte Dupla E Comum 10µA 230 MA 100w 15.5dB - 28 v
FDMS5361L-F085 Fairchild Semiconductor FDMS5361L-F085 0,5000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-powervdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Power56 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-FDMS5361L-F085-600039 1 N-canal 60 v 35a (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 16.5a, 10V 3V A 250µA 44 NC @ 10 V ± 20V 1980 pf @ 25 V - 75W (TC)
FQD4P25TM onsemi FQD4P25TM -
RFQ
ECAD 3879 0,00000000 Onsemi QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 FQD4 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252AA download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 250 v 3.1a (TC) 10V 2.1ohm @ 1.55a, 10V 5V A 250µA 14 nc @ 10 V ± 30V 420 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
ALD1110EPAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1110EPAL 6.8234
RFQ
ECAD 6708 0,00000000 Avançado Linear Devices Inc. Epad® Tubo Ativo 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) ALD1110 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 600mW 8-PDIP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 50 2 N-Canal (Duplo) par correspondente 10V - 500OHM @ 5V 1.01V @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
MWT-A973 Microwave Technology Inc. MWT-A973 34.1600
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Microwave Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo 5 v Smd Não Padrão 500MHz ~ 18GHz Mesfet 73 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 500 120mA 30 mA 24.5dbm 6.5dB 1.8dB 3 v
AO3416L_103 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3416L_103 -
RFQ
ECAD 3755 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície Variante 3-SMD, SOT-23-3 AO34 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 v 6.5a (ta) 1.8V, 4.5V 22mohm @ 6.5a, 4.5V 1V a 250µA 16 nc @ 4,5 V ± 8V 1160 pf @ 10 V - 1.4W (TA)
AOH3110 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOH3110 -
RFQ
ECAD 2329 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-261-4, TO-261AA AOH31 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223-4 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 v 1a (ta) 4.5V, 10V 700MOHM @ 900MA, 10V 2,9V a 250µA 6 nc @ 10 V ± 20V 100 pf @ 50 V - 3.1W (TA)
BUZ50A Solid State Inc. Buz50a 3.2500
RFQ
ECAD 95 0,00000000 Solid State Inc. - Volume Ativo - Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 2383-Buz50a Ear99 8541.10.0080 10 N-canal - - - - - - -
AOTF160A60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF160A60L 3.2400
RFQ
ECAD 615 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS5 ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 AOTF160 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 785-AOTF160A60L Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 24a (TJ) 10V 160mohm @ 12a, 10V 3,6V a 250µA 46 nc @ 10 V ± 20V 2340 pf @ 100 V - 34.7W (TC)
IXTQ36N20T IXYS Ixtq36n20t -
RFQ
ECAD 8891 0,00000000 Ixys Trincheira Tubo Ativo - Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq36 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 200 v - - - - -
IRFB7540PBF Infineon Technologies IRFB7540PBF 1.6900
RFQ
ECAD 459 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, STROTLIRFET ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRFB7540 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 110A (TC) 6V, 10V 5.1mohm @ 65a, 10V 3.7V @ 100µA 130 nc @ 10 V ± 20V 4555 pf @ 25 V - 160W (TC)
BLP8G27-10Z Ampleon USA Inc. BLP8G27-10Z -
RFQ
ECAD 9640 0,00000000 Ampleon USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 v Montagem NA Superfície Pad Exposto de 16-VDFN BLP8 2,14 GHz LDMOS 16-Hvson (6x4) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 Fonte Dupla E Comum - 110 MA 2W 17db - 28 v
BF908R,215 NXP USA Inc. BF908R, 215 -
RFQ
ECAD 9836 0,00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 12 v Montagem NA Superfície SOT-143R BF908 200MHz MOSFET SOT-143R download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Canal Portão Duplo 40mA 15 MA - - 0,6dB 8 v
DMTH10H030LK3-13 Diodes Incorporated DMTH10H030LK3-13 -
RFQ
ECAD 1800 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 DMTH10 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 v 28a (TC) 6V, 10V 30mohm @ 20a, 10V 3,5V a 250µA 33,3 nc @ 10 V ± 20V 1871 pf @ 50 V - 2.1W (TA)
SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFE, LM 0,3300
RFQ
ECAD 28 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SOT-563, SOT-666 SSM6N7002 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 150mW ES6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 2 canal n (Duplo) 60V 200Ma 2.1OHM @ 500MA, 10V 3.1V @ 250µA - 17pf @ 25V Portão de Nível Lógico
IXFP36N55X2 IXYS IXFP36N55X2 8.8776
RFQ
ECAD 1281 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra X2 Tubo Ativo - - - Ixfp36 - - - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 238-IXFP36N55X2 Ear99 8541.29.0095 50 - - - - - - - -
FDMS5352 onsemi FDMS5352 2.9300
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Onsemi PowerTrench® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-PowerTdfn FDMS53 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 v 13.6a (ta), 49a (tc) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 13.6a, 10V 3V A 250µA 131 nc @ 10 V ± 20V 6940 pf @ 30 V - 2.5W (TA), 104W (TC)
BSS8402DWQ-13-52 Diodes Incorporated BSS8402DWQ-13-52 0,0608
RFQ
ECAD 9416 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS8402 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 200MW (TA) SOT-363 download 1 (ilimito) 31-BSS8402DWQ-13-52 Ear99 8541.21.0095 10.000 N e P-Canal complementar 60V, 50V 115mA (ta), 130mA (ta) 13.5OHM @ 500MA, 10V, 10OHM @ 100MA, 5V 2,5V A 250µA, 2V @ 1MA - 50pf @ 25V, 45pf @ 25V Padrão
UPA2379T1P-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA2379T1P-E1-A -
RFQ
ECAD 3673 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 6-xflga UPA2379 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.8W 6-EFLIP-LGA (2.17X1.47) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 2-canal n (Duplo) Dreno Comum - - - - 20NC @ 4V - Portão de Nível Lógico, Unidade de 2.5V
PMN40UPEA115 NXP USA Inc. PMN40UPEA115 0,2700
RFQ
ECAD 46 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SC-74, SOT-457 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 6-TSOP download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 4.7a (ta) 1.8V, 4.5V 43mohm @ 3a, 4.5V 950MV A 250µA 23 NC @ 4,5 V ± 8V 1820 pf @ 10 V - 500mW (TA), 8,33W (TC)
MTD5P06VT4G onsemi Mtd5p06vt4g -
RFQ
ECAD 6166 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Mtd5p MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 60 v 5a (TC) 10V 450mohm @ 2.5a, 10V 4V A 250µA 20 NC A 10 V ± 15V 510 pf @ 25 V - 2.1W (TA), 40W (TC)
UPA2631T1R-E2-AX Renesas Electronics America Inc UPA2631T1R-E2-AX -
RFQ
ECAD 2085 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 6-WFDFN PAD EXPOSTO UPA2631 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 6-Huson (2x2) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 20 v 6a (ta) 1.8V, 4.5V 62mohm @ 3a, 1.8V - 12,5 nc a 4,5 V ± 8V 1240 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
PTFB260605ELV1XWSA1 Infineon Technologies PTFB260605ELV1XWSA1 -
RFQ
ECAD 1245 0,00000000 Tecnologias Infineon * Bandeja Obsoleto download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000800738 Obsoleto 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque