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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PSMN4R6-60BS, 118 | 2.0400 |  | 7346 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | PSMN4R6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 v | 100a (TC) | 10V | 4.4mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 70,8 nc @ 10 V | ± 20V | 4426 pf @ 30 V | - | 211W (TC) | ||||||||||||
 | 2SK536-MTK-TB-E | - | | 8288 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 125 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SK536 | - | 3-cp | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - | 100mA (TJ) | 10V | - | - | ± 12V | - | - | ||||||||||||||||
 | PJE8412_R1_00001 | 0,4900 | | 8052 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-523 | PJE8412 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PJE8412_R1_00001CT | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | N-canal | 30 v | 350mA (TA) | 1.5V, 4.5V | 1.2OHM @ 350MA, 4.5V | 1.1V @ 250µA | 0,87 nc @ 4,5 V | ± 10V | 34 pf @ 15 V | - | 300mW (TA) | |||||||||||
 | NX2020P1115 | 0,0700 | | 262 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| BLP5LA55SXY | 16.5462 | | 2680 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 30 v | Montagem na Superfície | TO-270AA | BLP5 | 520MHz | LDMOS | TO-270-2F-1 | - | ROHS3 Compatível | 1603-BLP5LA55SXYTR | 100 | N-canal | 1.4µA | 893 MA | 55W | 19.6db | - | 15 v | ||||||||||||||||||
 | AUIRF1405ZSTRL | 2.3975 | | 6618 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | AUIRF1405 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001522112 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 v | 150a (TC) | 10V | 4.9mohm @ 75a, 10V | 4V A 250µA | 180 nc @ 10 V | ± 20V | 4780 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | |||||||||||
 | PJL9402_R2_00001 | 0.1154 | | 3507 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | PJL9402 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PJL9402_R2_00001TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | - | 30 v | 5a (ta) | 4.5V, 10V | 48mohm @ 5a, 10V | 2.1V @ 250µA | 5,8 nc @ 10 V | ± 20V | 235 pf @ 15 V | - | 2.1W (TA) | |||||||||||
 | PJD25N06A_L2_00001 | 0,5900 | | 7 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | PJD25 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 5.5a (ta), 25a (tc) | 4.5V, 10V | 34mohm @ 15a, 10V | 2,5V a 250µA | 20 NC A 10 V | ± 20V | 1173 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||
 | 2SK3050TL | - | | 5671 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 2SK3050 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | CPT3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 v | 2a (ta) | 10V | 5.5Ohm @ 1A, 10V | 4V @ 1MA | 25,6 nc @ 10 V | ± 30V | 280 pf @ 10 V | - | 20W (TC) | ||||||||||||
 | PJS6834_S2_00001 | 0.1178 | | 5115 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 | PJS6834 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW (TA) | SOT-23-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PJS6834_S2_00001TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 750mA (TA) | 400mohm @ 600mA, 4,5V | 900MV A 250µA | 1.4NC @ 4.5V | 67pf @ 10V | - | |||||||||||||
| FDS8926 | 0,9400 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | FDS89 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | SIHB186N60EF-GE3 | 2.9600 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Ef | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SIHB186 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | 1 (ilimito) | 742-SIHB186N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 8.4a (TC) | 10V | 193mohm @ 9.5a, 10V | 5V A 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 1081 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | |||||||||||||
| IxtT6N120-Trl | 9.7655 | | 5996 | 0,00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA | Ixtt6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-268 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 238-IXTT6N120-TRLTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 1200 v | 6a (TC) | 10V | 2.6ohm @ 3a, 10V | 5V A 250µA | 56 nc @ 10 V | ± 20V | 1950 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||
 | PJT7002H_R1_00001 | 0,2500 | | 2 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PJT7002 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 350mW (TA) | SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 250mA (TA) | 5OHM @ 300MA, 10V | 3V A 250µA | 1.3NC @ 4.5V | 22pf @ 25V | - | ||||||||||||||
| RF5L051K0CB4 | 172.5000 | | 5027 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Volume | Ativo | 110 v | Montagem do chassi | D4E | RF5L051K0 | 500MHz | LDMOS | D4E | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 497-RF5L051K0CB4 | 100 | - | 1µA | 200 MA | 1000W | 21dB | - | 50 v | |||||||||||||||||
 | FDZ375P | 1.5400 | | 4 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-XFBGA, WLCSP | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-WLCSP (1x1) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal P. | 20 v | 3.7a (ta) | 1.5V, 4.5V | 78mohm @ 2a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 15 NC a 4,5 V | ± 8V | 865 pf @ 10 V | - | 1.7W (TA) | ||||||||||||||||
 | IRLMS1902TRPBF | - | | 9999 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 | IRLMS1902 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Micro6 ™ (TSOP-6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 3.2a (ta) | 2.7V, 4.5V | 100mohm @ 2.2a, 4.5V | 700mv @ 250µA (min) | 7 nc @ 4,5 V | ± 12V | 300 pf @ 15 V | - | 1.7W (TA) | ||||||||||||
 | IXFV26N60P | - | | 8220 | 0,00000000 | Ixys | PolarHV ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-220-3, Guia Curta | IXFV26 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Plus220 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 26a (TC) | 10V | 270mohm @ 500mA, 10V | 5V @ 4MA | 72 NC @ 10 V | ± 30V | 4150 PF @ 25 V | - | 460W (TC) | |||||||||||||
 | ISL9N322AS3ST | 1.0300 | | 8 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 v | 35a (TC) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 35a, 10V | 3V A 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 970 pf @ 15 V | - | 50W (TA) | |||||||||||||
 | FQD5N40TM | 0,4400 | | 157 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 400 v | 3.4a (TC) | 10V | 1.6OHM @ 1.7A, 10V | 5V A 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 460 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||
 | 2N7002K-AU_R1_000A2 | 0,2200 | | 28 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 300mA (TA) | 4.5V, 10V | 3ohm @ 500Ma, 10V | 2,5V a 250µA | 0,8 nc @ 5 V | ± 20V | 35 pf @ 25 V | - | 500mW (TA) | ||||||||||||
 | PSMN5R6-100XS, 127 | - | | 3010 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | PSMN5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 61.8a (TC) | 10V | 5.6mohm @ 15a, 10V | 4V @ 1MA | 145 NC @ 10 V | ± 20V | 8061 pf @ 50 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||
 | DMP3015LSS-13 | 0,8700 | | 1740 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | DMP3015 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 30 v | 13A (TA) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 13a, 10V | 2V A 250µA | 60,4 nc @ 10 V | ± 20V | 2748 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||
 | PMN120ENEAX | 0,3700 | | 1 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-74, SOT-457 | PMN120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 2.5a (ta) | 4.5V, 10V | 123mohm @ 2.5a, 10V | 2.7V @ 250µA | 6 nc @ 10 V | ± 20V | 196 pf @ 30 V | - | 670MW (TA), 7,5W (TC) | ||||||||||||
 | 3LN01SS-TL-E | - | | 3609 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-81 | 3LN01 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3-SSFP | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N-canal | 30 v | 150mA (TA) | 1.5V, 4V | 3.7Ohm @ 80MA, 4V | - | 1,58 nc @ 10 V | ± 10V | 7 pf @ 10 V | - | 150mW (TA) | |||||||||||||
 | Apt10090sllg | 17.8700 | | 2907 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power MOS 7® | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA | APT10090 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D3 [s] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1000 v | 12a (TC) | 900MOHM @ 6A, 10V | 5V @ 1MA | 71 nc @ 10 V | 1969 pf @ 25 V | - | ||||||||||||||||
 | STB34N50DM2AG | 6.1200 | | 1237 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotivo, AEC-Q101, MDMESH ™ DM2 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | STB34 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 500 v | 26a (TC) | 10V | 120mohm @ 12.5a, 10V | 5V A 250µA | 44 NC @ 10 V | ± 25V | 1850 pf @ 100 V | - | 190W (TC) | ||||||||||||
 | IRFH8337TRPBF | - | | 4620 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PQFN (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 v | 12a (ta), 35a (tc) | 4.5V, 10V | 12.8mohm @ 16.2a, 10V | 2.35V @ 25µA | 10 nc @ 10 V | ± 20V | 790 pf @ 10 V | - | 3.2W (TA), 27W (TC) | |||||||||||||
| PJD10N10_L2_00001 | 0,2226 | | 1066 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | PJD10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PJD10N10_L2_00001TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 2.6a (ta), 34.7a (tc) | 6V, 10V | 130mohm @ 5a, 10V | 3,5V a 250µA | 12 nc @ 10 V | ± 25V | 707 pf @ 30 V | - | 2W (TA), 34,7W (TC) | |||||||||||
 | DMN65D8LDWQ-7 | 0,4600 | | 3170 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN65 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 300mw | SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 180mA | 6ohm a 115mA, 10V | 2V A 250µA | 0,87NC @ 10V | 22pf @ 25V | Portão de Nível Lógico |
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