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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AONS36316 | 0,6800 |  | 9501 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERSMD, FIOS Planos | AONS363 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-DFN (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 28a (ta), 32a (tc) | 4.5V, 10V | 4.1mohm @ 20a, 10V | 1.9V a 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 12V | 2005 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 26W (TC) | |||||||||||
 | FSS133-TL-E | 0,7700 | | 17 | 0,00000000 | Sanyo | * | Volume | Ativo | FSS133 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | - | |||||||||||||||||||||||||
 | FDD5N50UTF_WS | - | | 3815 | 0,00000000 | Onsemi | FRFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | FDD5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 500 v | 3a (TC) | 10V | 2OHM @ 1.5A, 10V | 5V A 250µA | 15 nc @ 10 V | ± 30V | 650 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||
 | PSMN015-110P, 127 | - | | 5936 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PSMN0 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | AUIRF9540N | 1.0400 | | 5 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal P. | 100 v | 23a (TC) | 10V | 117mohm @ 11a, 10V | 4V A 250µA | 97 nc @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||
 | FQD20N06TM | - | | 4146 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 60 v | 16.8a (TC) | 10V | 63mohm @ 8.4a, 10V | 4V A 250µA | 15 nc @ 10 V | ± 25V | 590 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 38W (TC) | ||||||||||||||||
 | NTMFS4982NFT3G | - | | 6077 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | NTMFS4982 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 30 v | 26.5a (ta), 207a (tc) | 4.5V, 10V | 1.3mohm @ 25a, 10V | 2.2V @ 1Ma | 84 nc @ 10 V | ± 20V | 6000 pf @ 15 V | - | 1.5W (TA) | |||||||||||
 | IXFP36N20X3 | 4.6800 | | 387 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™, Ultra X3 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Ixfp36 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 v | 36a (TC) | 10V | 45mohm @ 18a, 10V | 4.5V @ 500µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1425 pf @ 25 V | - | 176W (TC) | |||||||||||
 | SPD06N80C3ATMA1 | 2.2400 | | 7251 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SPD06N80 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A252-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 800 v | 6a (ta) | 10V | 900mohm @ 3.8a, 10V | 3,9V a 250µA | 41 nc @ 10 V | ± 20V | 785 pf @ 100 V | - | 83W (TC) | |||||||||||
 | EPC2302 | 8.7500 | | 53 | 0,00000000 | EPC | Egan® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 7-powerwqfn | Ganfet (Nitreto de Gálio) | 7-QFN (3x5) | download | ROHS3 Compatível | 2 (1 Ano) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0040 | 3.000 | N-canal | 100 v | 101a (TA) | 5V | 1.8mohm @ 50a, 5V | 2.5V @ 14MA | 23 NC @ 5 V | +6V, -4V | 3200 pf @ 50 V | - | - | ||||||||||||
 | FDA24N50F | 4.4800 | | 7220 | 0,00000000 | Onsemi | Unifet ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-3P-3, SC-65-3 | FDA24 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-3PN | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 2156-FDA24N50F | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 500 v | 24a (TC) | 10V | 200mohm @ 12a, 10V | 5V A 250µA | 85 nc @ 10 V | ± 30V | 4310 pf @ 25 V | - | 270W (TC) | ||||||||||
| IRFS7730pbf | - | | 4097 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET®, STROTLIRFET ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263AB) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 75 v | 195a (TC) | 6V, 10V | 2.6mohm @ 100a, 10V | 3.7V @ 250µA | 407 NC @ 10 V | ± 20V | 13660 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||
| IXTP140N12T2 | 6.5700 | | 42 | 0,00000000 | Ixys | Trencht2 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IXTP140 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 120 v | 140A (TC) | 10V | 10mohm @ 70A, 10V | 4.5V a 250µA | 174 NC @ 10 V | ± 20V | 9700 pf @ 25 V | - | 577W (TC) | |||||||||||
 | IPP60R750E6 | 0,5100 | | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos E6 ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 v | 5.7a (TC) | 10V | 750mohm @ 2a, 10V | 3,5V A 170µA | 17,2 nc @ 10 V | ± 20V | 373 pf @ 100 V | - | 48W (TC) | ||||||||||||
 | DMN2040U-7 | 0,3900 | | 2 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMN2040 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 6a (ta) | 2.5V, 4.5V | 25mohm @ 8.2a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 7,5 nc @ 4,5 V | ± 12V | 667 pf @ 10 V | - | 800mW (TA) | |||||||||||
 | STK28N3LH5 | - | | 7140 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ v | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Polarpak® | STK28 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Polarpak® | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 28a (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 14a, 10V | 2,5V a 250µA | 19 NC @ 4,5 V | ± 22V | 2300 pf @ 25 V | - | 5.2W (TC) | |||||||||||
 | IPP180N10N3GXKSA1 | 2.0700 | | 500 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP180 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 43a (TC) | 6V, 10V | 18mohm @ 33a, 10V | 3.5V @ 33µA | 25 nc @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 50 V | - | 71W (TC) | |||||||||||
 | R8005anjfrgtl | 3.2100 | | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | R8005 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Lpts | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 800 v | 5a (TC) | 10V | 2.1ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 1MA | 20 NC A 10 V | ± 30V | 500 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | |||||||||||
 | CMS09N10D-HF | - | | 5221 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak (TO-252) | download | 1 (ilimito) | 641-CMS09N10D-HFTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 v | 9.6a (TC) | 10V | 140mohm @ 6a, 10V | 2,5V a 250µA | 15,5 nc @ 10 V | ± 20V | 690 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||
| NXH010P90MNF1PG | - | | 3288 | 0,00000000 | Onsemi | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | NXH010 | Carboneto de Silício (sic) | 328W (TJ) | - | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 488-NXH010P90MNF1PG | Ear99 | 8541.29.0095 | 28 | 2-Canal N (Duplo) Fonte Comum | 900V | 154a (TC) | 14mohm @ 100a, 15V | 4.3V @ 40MA | 546.4NC @ 15V | 7007pf @ 450V | - | ||||||||||||
| ECH8411-TL-E | - | | 4188 | 0,00000000 | Sanyo | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C. | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-ECH | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-ECH8411-TL-E-600057 | 1 | N-canal | 20 v | 9a (ta) | 1.8V, 4V | 16mohm @ 4a, 4v | 1.3V @ 1MA | 21 NC @ 10 V | ± 12V | 1740 pf @ 10 V | - | 1.4W (TA) | ||||||||||||||
 | IRF7739L1TRPBF | 5.3200 | | 5370 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFet ™ ISOMÉTRICO L8 | IRF7739 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFet ™ ISOMÉTRICO L8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 40 v | 46a (ta), 270a (tc) | 10V | 1MOHM @ 160A, 10V | 4V A 250µA | 330 NC @ 10 V | ± 20V | 11880 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 125W (TC) | |||||||||||
 | IPI126N10N3GXKSA1 | 0,6900 | | 10 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ 3 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA262-3 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 v | 58a (TC) | 6V, 10V | 12.6mohm @ 46a, 10V | 3,5V a 46µA | 35 nc @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 50 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||
 | NX138AKMYL | 0,2800 | | 36 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-101, SOT-883 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-883 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-canal | 60 v | 270mA (TA) | 2.5V, 10V | 4.2OHM @ 190MA, 10V | 1,5V a 250µA | 0,6 nc @ 10 V | ± 20V | 15 pf @ 30 V | - | 340MW (TA), 2,3W (TC) | ||||||||||||
| IPA60R125CP | - | | 1680 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-31 | download | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 600 v | 25a (TC) | 10V | 125mohm @ 16a, 10V | 3.5V @ 1.1MA | 70 nc @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||
 | IRFI9Z24GPBF | 2.6600 | | 1536 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | IRFI9 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *Irfi9z24gpbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P. | 60 v | 8.5a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.1a, 10V | 4V A 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | |||||||||||
 | RW1A030APT2CR | - | | 3626 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-SMD, FiOS Planos | RW1A030 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-WEMT | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | Canal P. | 12 v | 3a (ta) | 1.5V, 4.5V | 42mohm @ 3a, 4.5V | 1V @ 1MA | 22 NC a 4,5 V | -8V | 2700 pf @ 6 V | - | 700mW (TA) | |||||||||||
 | SIHB30N60E-GE3 | 6.0700 | | 879 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SIHB30 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | SIHB30N60EGE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 29a (TC) | 10V | 125mohm @ 15a, 10V | 4V A 250µA | 130 nc @ 10 V | ± 30V | 2600 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||||||||
| BLF8G10LS-160V, 112 | 66.3900 | | 5 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Ativo | 65 v | Montagem de flange | SOT-502B | Blf8 | 920MHz ~ 960MHz | LDMOS | SOT502B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 a | 35W | 19.7db | - | 30 v | ||||||||||||||||
 | SPB04N60S5ATMA1 | - | | 5997 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Spb04n | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 4.5a (TC) | 10V | 950mohm @ 2.8a, 10V | 5.5V @ 200µA | 22,9 nc @ 10 V | ± 20V | 580 pf @ 25 V | - | 50W (TC) |
2000+
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