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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS2672 | 1.9700 |  | 7723 | 0,00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDS26 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 200 v | 3.9a (ta) | 6V, 10V | 70mohm @ 3.9a, 10V | 4V A 250µA | 46 nc @ 10 V | ± 20V | 2535 pf @ 100 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||
 | DMN32D0LVQ-13 | 0,0682 | | 2141 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | DMN32 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 480MW (TA) | SOT-563 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 31-DMN32D0LVQ-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 2 n-canal | 30V | 680mA (TA) | 1.2OHM @ 100MA, 4V | 1.2V a 250µA | 0,62NC @ 4.5V | 44.8pf @ 15V | Padrão | ||||||||||||||
 | IRFRC20TRLPBF-BE3 | 1.8000 | | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFRC20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | 1 (ilimito) | 742-IRFRC20TRLPBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 v | 2a (TC) | 10V | 4.4OHM @ 1.2A, 10V | 4V A 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||
 | DMN65D7LFR4-7 | 0.1139 | | 6078 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-XDFN PAD EXPOSTO | DMN65 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | X2-DFN1010-4 (TIPO B) | download | Alcançar Não Afetado | 31-DMN65D7LFR4-7TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | N-canal | 60 v | 260mA (TA) | 4.5V, 10V | 5ohm @ 40ma, 10V | 2,5V a 250µA | 1,04 nc @ 10 V | ± 20V | 41 pf @ 30 V | - | 600mW (TA) | |||||||||||||
 | IRLR3705Z | - | | 2707 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 55 v | 42a (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 42a, 10V | 3V A 250µA | 66 nc @ 5 V | ± 16V | 2900 pf @ 25 V | - | 130W (TC) | |||||||||||||
 | TSM220NB06LCR RLG | 1.6800 | | 3 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-Powerldfn | TSM220 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5.2x5.75) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 8a (ta), 35a (tc) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 8a, 10V | 2,5V a 250µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1314 pf @ 30 V | - | 3.1W (TA), 68W (TC) | ||||||||||||
 | IRF2907ZPBF | 3.3600 | | 238 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF2907 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 75 v | 160A (TC) | 10V | 4.5mohm @ 75a, 10V | 4V A 250µA | 270 nc @ 10 V | ± 20V | 7500 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||
 | FDC5612_F095 | - | | 2694 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FDC5612 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SuperSot ™ -6 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 4.3a (ta) | 6V, 10V | 55mohm @ 4.3a, 10V | 4V A 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 650 pf @ 25 V | - | 1.6W (TA) | |||||||||||||
 | Sh8m24gzetb | 1.3200 | | 9 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Sh8m24 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W (TA) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 45V | 6a (ta) | 46mohm @ 4.5a, 10v, 63mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 9.6NC @ 5V, 18.2NC @ 5V | 550pf @ 10V, 1700pf @ 10V | - | ||||||||||||||
 | CSD16340Q3 | 1.2000 | | 25 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | CSD16340 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vson-clip (3.3x3.3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 v | 21a (ta), 60a (tc) | 2.5V, 8V | 4.5mohm @ 20a, 8v | 1.1V @ 250µA | 9,2 NC a 4,5 V | +10V, -8V | 1350 pf @ 12,5 V | - | 3W (TA) | ||||||||||||
 | STK800 | 2.6300 | | 17 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Polarpak® | Stk8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Polarpak® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 20a (TC) | 4.5V, 10V | 7.8mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 13,4 NC a 4,5 V | ± 16V | 1380 pf @ 25 V | - | 5.2W (TC) | ||||||||||||
 | SI2303BDS-T1 | - | | 6326 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2303 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 1.49a (ta) | 4.5V, 10V | 200mohm @ 1.7a, 10V | 3V A 250µA | 10 nc @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 15 V | - | 700mW (TA) | ||||||||||||
 | FQB7N60TM-WS | - | | 1038 | 0,00000000 | Onsemi | QFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FQB7 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 v | 7.4a (TC) | 10V | 1ohm @ 3.7a, 10V | 5V A 250µA | 38 nc @ 10 V | ± 30V | 1430 PF @ 25 V | - | 3.13W (TA), 142W (TC) | |||||||||||||
| IRFR1N60APBF-BE3 | 1.5500 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | 1 (ilimito) | 742-IRFR1N60APBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 v | 1.4a (TC) | 7ohm @ 840mA, 10V | 4V A 250µA | 14 nc @ 10 V | ± 30V | 229 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||||||||||||
| FTS1011-TL-E | 0,6500 | | 6 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| On5451.518 | - | | 1667 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | On5451 | - | - | - | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 934063297518 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
 | AUIRFS4010-7TRL | 4.4141 | | 4085 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (7 derivados) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001518838 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 v | 190a (TC) | 4mohm @ 110a, 10V | 4V A 250µA | 230 NC @ 10 V | 9830 PF @ 50 V | - | 380W (TC) | ||||||||||||||
| BLF7G20LS-90PH | - | | 6127 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 v | Montagem na Superfície | SOT-1121B | 1,81 GHz ~ 1,88 GHz | LDMOS | LD mais | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 100 | Fonte Dupla E Comum | 18a | 550 Ma | 40W | 19.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||||
 | PMV32UP, 215 | 0,5800 | | 4 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMV32 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-236AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 4a (ta) | 1.8V, 4.5V | 36mohm @ 2.4a, 4.5V | 950MV A 250µA | 15,5 nc @ 4,5 V | ± 8V | 1890 pf @ 10 V | - | 510MW (TA) | ||||||||||||
 | BSO350N03 | - | | 6117 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | BSO350N03 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4w | PG-DSO-8 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 5a | 35mohm @ 6a, 10V | 2V @ 6µA | 3.7NC @ 5V | 480pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||
 | NTMFS4834NT3G | - | | 2194 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | NTMFS4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 v | 13a (ta), 130a (tc) | 4.5V, 11.5V | 3mohm @ 30a, 10V | 2,5V a 250µA | 48 NC a 4,5 V | ± 20V | 4500 pf @ 12 V | - | 900MW (TA), 86,2W (TC) | |||||||||||||
| CTLDM8120-M832D TR | - | | 4166 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TDFN PAD EXPOSTO | CTLDM8120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.65W (TA) | TLM832D | download | 1514-CTLDM8120-M832DTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 860mA (TA) | 150mohm @ 950mA, 4,5V | 1V a 250µA | 3.56NC @ 10V | 200pf @ 16V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||||
 | BUK7E11-55B, 127 | - | | 6209 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | Buk7 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 v | 75a (TC) | 10V | 11mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 37 nc @ 10 V | ± 20V | 2604 pf @ 25 V | - | 157W (TC) | ||||||||||||
| IRF3205pbf | 1.8700 | | 7426 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF3205 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 v | 110A (TC) | 10V | 8mohm @ 62a, 10V | 4V A 250µA | 146 NC @ 10 V | ± 20V | 3247 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||
 | BLF6G10L-40BRN, 118 | - | | 5825 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 v | Montagem do chassi | SOT-1112A | BLF6G10 | 788,5MHz ~ 823,5MHz | LDMOS | CDFM6 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934064277118 | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | Fonte Dupla E Comum | 11a | 390 MA | 2.5W | 23dB | - | 28 v | |||||||||||||||
 | STB16NF06LT4 | 1.7000 | | 1482 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | STB16 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 60 v | 16a (TC) | 5V, 10V | 90mohm @ 8a, 10V | 1V @ 250µA (min) | 10 nc @ 4,5 V | ± 16V | 345 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||
 | PJL9402_R2_00001 | 0.1154 | | 3507 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | PJL9402 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PJL9402_R2_00001TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | - | 30 v | 5a (ta) | 4.5V, 10V | 48mohm @ 5a, 10V | 2.1V @ 250µA | 5,8 nc @ 10 V | ± 20V | 235 pf @ 15 V | - | 2.1W (TA) | |||||||||||
 | STD60NF06T4 | 2.0800 | | 8484 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Std60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 60a (TC) | 10V | 16mohm @ 30a, 10V | 4V A 250µA | 66 nc @ 10 V | ± 20V | 1810 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||
 | ATF-36163-TR2G | - | | 1440 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 3 v | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | ATF-36163 | 4GHz | phemt fet | SOT-363 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 5A991G | 8541.21.0075 | 10.000 | 40mA | 15 MA | 5DBM | 15.8dB | 0,6dB | 2 v | ||||||||||||||||||
 | CSD25480F3 | 0,4600 | | 11 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-xfdfn | CSD25480 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3-Picosstar | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 1.7a (ta) | 1.8V, 8V | 132mohm @ 400ma, 8V | 1.2V a 250µA | 0,91 nc @ 4,5 V | -12v | 155 pf @ 10 V | - | 500mW (TA) |
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