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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PJQ5440-AU_R2_000A1 | 1.7700 |  | 6 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | PJQ5440 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DFN5060-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 17a (ta), 100a (tc) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 50 NC a 4,5 V | ± 20V | 5214 pf @ 25 V | - | 2.4W (TA), 83,3W (TC) | ||||||||||||
 | FQP20N06L | 1.5600 | | 4624 | 0,00000000 | Onsemi | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | FQP20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 21a (TC) | 5V, 10V | 55mohm @ 10.5a, 10V | 2,5V a 250µA | 13 NC @ 5 V | ± 20V | 630 PF @ 25 V | - | 53W (TC) | ||||||||||||
 | PJD12P06_L2_00001 | 0,2741 | | 9356 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | PJD12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PJD12P06_L2_00001TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 60 v | 2.6a (ta), 12a (tc) | 10V | 155mohm @ 6a, 10V | 4V A 250µA | 10,9 nc @ 10 V | ± 20V | 385 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 50W (TC) | |||||||||||
 | FDMC8462 | 2.4300 | | 1 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | FDMC84 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Power33 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 14a (ta), 20a (tc) | 4.5V, 10V | 5.8mohm @ 13.5a, 10V | 3V A 250µA | 43 nc @ 10 V | ± 20V | 2660 pf @ 20 V | - | 2W (TA), 41W (TC) | ||||||||||||
 | IRL3705ZSTRLPBF | 2.0500 | | 927 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRL3705 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 v | 75a (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 52a, 10V | 3V A 250µA | 60 nc @ 5 V | ± 16V | 2880 pf @ 25 V | - | 130W (TC) | ||||||||||||
 | 5HP01C-TB-E | - | | 2056 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 5HP01 | SMCP | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - | |||||||||||||||||||||||||
 | APTM120DA30CT1G | 82.6908 | | 5515 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power MOS 8 ™ | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP1 | APTM120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SP1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1200 v | 31a (TC) | 10V | 360mohm @ 25a, 10V | 5V @ 2.5mA | 560 nc @ 10 V | ± 30V | 14560 pf @ 25 V | - | 657W (TC) | ||||||||||||
| PTFB182557SH-V1-R250 | 110.0163 | | 4767 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | PTFB182557 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC066N06NSATMA1 | 1.4800 | | 12 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | BSC066 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 60 v | 64a (TC) | 6V, 10V | 6.6mohm @ 50a, 10V | 3.3V @ 20µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 30 V | - | 2.5W (TA), 46W (TC) | ||||||||||||
| IXTV03N400S | - | | 2884 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Plus-220SMD | Ixtv03 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Plus-220SMD | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 4000 v | 300mA (TC) | 10V | 290OHM @ 500MA, 10V | 4V A 250µA | 16,3 nc @ 10 V | ± 20V | 435 pf @ 25 V | - | 130W (TC) | |||||||||||||
 | TK22A65X, S5X | 3.8400 | | 188 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tubo | Ativo | 150 ° C. | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | TK22A65 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220SIS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 v | 22a (TA) | 10V | 150mohm @ 11a, 10V | 3.5V @ 1.1MA | 50 nc @ 10 V | ± 30V | 2400 pf @ 300 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||
 | MMRF5017HSR5 | 229.2100 | | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Bandeja | Ativo | 150 v | Montagem na Superfície | NI-400S-2S | MMRF5017 | 30mHz ~ 2,2 GHz | Hemt | NI-400S-2S | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 200 MA | 125W | 18.4db | - | 50 v | ||||||||||||||||
 | BLF7G20LS-140P, 112 | - | | 8270 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 65 v | Montagem na Superfície | SOT-1121B | BLF7G20 | 1,81 GHz ~ 1,88 GHz | LDMOS | LD mais | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934064444112 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | Fonte Dupla E Comum | - | 850 mA | 60W | 17.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||
 | SIR516DP-T1-RE3 | 1.8200 | | 7193 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 16.8a (ta), 63.7a (tc) | 7.5V, 10V | 8mohm @ 10a, 10V | 4V A 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 1920 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 71,4W (TC) | ||||||||||||||
 | NVMFS5C410NAFT1G | 4.5000 | | 5606 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | Nvmfs5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 40 v | 46a (TA), 300A (TC) | 10V | 0,92mohm @ 50a, 10V | 3,5V a 250µA | 86 nc @ 10 V | ± 20V | 6100 pf @ 25 V | - | 3.9W (TA), 166W (TC) | ||||||||||||
 | C3M0015065K | 46.2800 | | 1 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | C3M ™ | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-4 | C3M0015065 | Sicfet (Carboneto de Silício) | To-247-4L | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 v | 120A (TC) | 15V | 21mohm @ 55.8a, 15V | 3.6V @ 15.5mA | 188 NC @ 15 V | +15V, -4V | 5011 pf @ 400 V | - | 416W (TC) | |||||||||||||
 | CG2H40035F | 160.6200 | | 2706 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | Gan | Bandeja | Ativo | 28 v | CG2H40035 | 6GHz | Hemt | download | 1 (ilimito) | 1697-CG2H40035F | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 35W | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | IRF6216PBF | - | | 2909 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF6216 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | Canal P. | 150 v | 2.2a (ta) | 10V | 240mohm @ 1.3a, 10V | 5V A 250µA | 49 NC @ 10 V | ± 20V | 1280 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||
| IPC90R120C3X1SA1 | - | | 6658 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | IPC90R | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP000464892 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | SI7224DN-T1-GE3 | - | | 9964 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 Dual | SI7224 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 17.8W, 23W | PowerPak® 1212-8 Dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6a | 35mohm @ 6.5a, 10V | 2.2V A 250µA | 14.5NC @ 10V | 570pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||
 | IPSA70R1K2P7SAKMA1 | 0,7900 | | 6 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ P7 | Tubo | Não é para desenhos para Novos | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | Ipsa70 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A251-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 700 v | 4.5a (TC) | 10V | 1.2OHM @ 900MA, 10V | 3.5V @ 40µA | 4,8 nc @ 400 V | ± 16V | 174 pf @ 400 V | - | 25W (TC) | ||||||||||||
 | ISP26DP06NMSATMA1 | 0,6700 | | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | ISP26DP06 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-SOT223 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 60 v | 1.9a (ta) | - | - | - | ± 20V | - | - | ||||||||||||||
 | 2SJ463A (91) -T1 -A | 0,1800 | | 57 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| NP80N04PDG-E1B-AY | 1.8400 | | 1 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Volume | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 40 v | 80a (TC) | 4.5mohm @ 40a, 10V | 2,5V a 250µA | 135 NC @ 10 V | 6900 pf @ 25 V | - | 1.8W (TA), 115W (TC) | |||||||||||||||||
| UPA2766T1A-SSA-AY | - | | 2514 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Bandeja | Obsoleto | download | 559-UPA2766T1A-SSA-AY | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK2980ZZ-TL-E | 0,3800 | | 14 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| ISK024NE2LM5Aula1 | 0,9200 | | 8 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™, Strongirfet ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | - | Montagem na Superfície | 6-Powervdfn | ISK024N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-pqfn dual (2x2) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - | 40 v | - | - | - | - | ± 16V | - | - | ||||||||||||||
 | IRF3808SPBF | 1.0000 | | 5209 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 75 v | 106a (TC) | 10V | 7mohm @ 82a, 10V | 4V A 250µA | 220 NC @ 10 V | ± 20V | 5310 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||
 | DMTH10H009SPSQ-13 | 0,4648 | | 9686 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | DMTH10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerDi5060-8 | download | Alcançar Não Afetado | 31-DMTH10H009SPSQ-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 v | 14a (ta), 86a (tc) | 10V | 8.9mohm @ 20a, 10V | 4V A 250µA | 30 NC a 10 V | ± 20V | 2085 PF @ 50 V | - | 1.6W (TA), 100W (TC) | |||||||||||||
 | SI2328DS-T1-BE3 | 0,8600 | | 7496 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | 1 (ilimito) | 742-SI2328DS-T1-BE3DKR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 1.15a (ta) | 10V | 250mohm @ 1.5a, 10V | 4V A 250µA | 5 nc @ 10 V | ± 20V | - | 730mW (TA) |
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