SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Freqüência Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tensão - Teste
WS1A2639-V1-R1 Wolfspeed, Inc. WS1A2639-V1-R1 41.0060
RFQ
ECAD 7616 0,00000000 Wolfspeed, Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo 125 v Montagem na Superfície 20-Tflga Pad Exposta WS1A2639 2,496 GHz ~ 2,69 GHz - 20-lga (6x6) - 1697-WS1A2639-V1-R1TR 100 - - 50 MA 8w 16.9dB - 48 v
FDS4435BZ-F085 onsemi FDS4435BZ-F085 -
RFQ
ECAD 2826 0,00000000 Onsemi Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS4435 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 30 v 8.8a (ta) 4.5V, 10V 20mohm @ 8.8a, 10V 3V A 250µA 40 nc @ 10 V ± 25V 1845 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
BSS7728NH6327 Infineon Technologies BSS7728NH6327 -
RFQ
ECAD 9911 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT23-3-5 download Ear99 8541.21.0095 1 N-canal 60 v 200Ma (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500mA, 10V 2.3V @ 26µA 1,5 nc @ 10 V ± 20V 56 pf @ 25 V - 360MW (TA)
MMIX1F520N075T2 IXYS MMIX1F520N075T2 24.3200
RFQ
ECAD 455 0,00000000 Ixys Gigamos ™, Trencht2 ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 24-Powersmd, 21 leads MMIX1F520 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 24-smpd download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 625162 Ear99 8541.29.0095 20 N-canal 75 v 500A (TC) 10V 1.6mohm @ 100a, 10V 5V @ 8MA 545 nc @ 10 V ± 20V 41000 pf @ 25 V - 830W (TC)
SPB73N03S2L-08 Infineon Technologies SPB73N03S2L-08 -
RFQ
ECAD 6033 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Spb73n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 30 v 73a (TC) 4.5V, 10V 8.1mohm @ 36a, 10V 2V @ 55µA 46,2 nc @ 10 V ± 20V 1710 pf @ 25 V - 107W (TC)
IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies IPD50P03P4L11ATMA2 1.6400
RFQ
ECAD 14 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotive, AEC-Q101, Optimos®-P2 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD50 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA252-3-11 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 30 v 50a (TC) 10.5mohm @ 50a, 10V 2V @ 85µA 55 nc @ 10 V +5V, -16V 3770 pf @ 25 V - 58W (TC)
UPA2708GR-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA2708GR-E1-A 1.0200
RFQ
ECAD 17 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * Volume Ativo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500
CMPDM7002AG TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMPDM7002AG TR PBFREE 0,5100
RFQ
ECAD 147 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Tape & Reel (TR) Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CMPDM7002 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 v 280mA (TA) 5V, 10V 2OHM @ 500MA, 10V 2,5V a 250µA 40V 50 pf @ 25 V - 350mW (TA)
BSC600N25NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC600N25NS3GATMA1 3.5900
RFQ
ECAD 1710 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn BSC600 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 250 v 25a (TC) 10V 60mohm @ 25a, 10V 4V A 90µA 29 NC @ 10 V ± 20V 2350 pf @ 100 V - 125W (TC)
IXFH52N30Q IXYS IXFH52N30Q 11.7520
RFQ
ECAD 2899 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Q CLASSE Tubo Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IXFH52 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-247AD (IXFH) download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado IXFH52N30Q-NDR Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 300 v 52a (TC) 10V 60mohm @ 500mA, 10V 4V @ 4MA 150 nc @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 25 V - 360W (TC)
1N65G UMW 1n65g 0,6400
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Umw Umw Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 2.500 N-canal 650 v 1a (TJ) 10V 11ohm @ 500Ma, 10V 4V A 250µA 4,8 nc @ 10 V ± 30V 150 pf @ 25 V - -
BSS138DWQ-7 Diodes Incorporated BSS138DWQ-7 0,4200
RFQ
ECAD 85 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS138 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 200mw SOT-363 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 50V 200Ma 3.5OHM @ 220MA, 10V 1,5V a 250µA - 50pf @ 10V -
NVTFS5C460NLTAG onsemi NVTFS5C460NLTAG 1.3500
RFQ
ECAD 5207 0,00000000 Onsemi Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERWDFN Nvtfs5 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-WDFN (3,3x3.3) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 v 19a (ta), 74a (tc) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 35a, 10V 2V @ 40µA 11 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 50W (TC)
STD10NM60ND STMicroelectronics Std10nm60nd 2.1600
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 STD10 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 v 8a (TC) 10V 600MOHM @ 4A, 10V 5V A 250µA 20 NC A 10 V ± 25V 577 PF @ 50 V - 70W (TC)
FDMS86102LZ onsemi FDMS86102LZ 2.0900
RFQ
ECAD 3029 0,00000000 Onsemi PowerTrench® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn FDMS86102 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 v 7a (ta), 22a (tc) 4.5V, 10V 25mohm @ 7a, 10V 2,5V a 250µA 22 NC @ 10 V ± 20V 1305 pf @ 50 V - 2.5W (TA), 69W (TC)
IPP60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R125CFD7XKSA1 5.0500
RFQ
ECAD 390 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP60R125 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 18a (TC) 10V 125mohm @ 7.8a, 10V 4.5V @ 390µA 36 nc @ 10 V ± 20V 1503 pf @ 400 V - 92W (TC)
SI7485DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7485DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6840 0,00000000 Vishay Siliconix - Fita de Corte (CT) Obsoleto Montagem na Superfície PowerPak® SO-8 SI7485 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PowerPak® SO-8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 20 v 12.5a (TA) 7.3mohm @ 20a, 4.5V 900MV @ 1MA 150 nc @ 5 V -
TPN3300ANH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN3300AN, LQ 0,9000
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-musviii-h Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn TPN3300 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento 8-Tson (3,3x3.3) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 v 9.4a (TC) 10V 33mohm @ 4.7a, 10V 4V @ 100µA 11 NC @ 10 V ± 20V 880 pf @ 50 V - 700mW (TA), 27W (TC)
PJQ1916_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ1916_R1_00001 -
RFQ
ECAD 2608 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-ufdfn PJQ1916 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DFN1006-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 10.000 N-canal 20 v 950mA (TA) 1.2V, 4.5V 300MOHM @ 500MA, 4,5V 1V a 250µA 1,1 nc @ 4,5 V ± 8V 46 pf @ 10 V - 500mW (TA)
BUK662R7-55C,118 Nexperia USA Inc. BUK662R7-55C, 118 -
RFQ
ECAD 9191 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 55 v 120A (TC) 10V 2.7mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 258 nc @ 10 V ± 16V 15300 pf @ 25 V - 306W (TC)
SPB80N06S2L-07 Infineon Technologies SPB80N06S2L-07 -
RFQ
ECAD 2635 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Spb80n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 55 v 80a (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 60a, 10V 2V A 150µA 130 nc @ 10 V ± 20V 4210 pf @ 25 V - 210W (TC)
IXTA86N20X4 IXYS Ixta86n20x4 11.8200
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Ixys Ultra X4 Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Ixta86 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263 (D2PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 238-IXTA86N20X4 Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 200 v 86a (TC) 10V 13mohm @ 43a, 10V 4.5V a 250µA 70 nc @ 10 V ± 20V 2250 pf @ 25 V - 300W (TC)
ART1K6PHZ Ampleon USA Inc. ART1K6PHZ -
RFQ
ECAD 3926 0,00000000 Ampleon USA Inc. Arte Bandeja Ativo 177 v Montagem na Superfície OMP-1230-4G-1 ART1K6 1MHz ~ 450MHz LDMOS OMP-1230-4G-1 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 20 Fonte Dupla E Comum 960na 50 MA 1600W 27.4dB - 55 v
IRF9Z14PBF Vishay Siliconix IRF9Z14PBF 1.2900
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Vishay Siliconix - Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRF9Z14 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) *IRF9Z14PBF Ear99 8541.29.0095 50 Canal P. 60 v 6.7a (TC) 10V 500mohm @ 4a, 10V 4V A 250µA 12 nc @ 10 V ± 20V 270 pf @ 25 V - 43W (TC)
RF4E110GNTR Rohm Semiconductor RF4E110GNTR 0,5600
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-Powerudfn RF4E110 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) HUML2020L8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 11a (ta) 4.5V, 10V 11.3mohm @ 11a, 10v 2,5V a 250µA 7,4 nc @ 10 V ± 20V 504 pf @ 15 V - 2W (TA)
BSS192PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS192PH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 7575 0,00000000 Tecnologias Infineon SIPMOS ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA BSS192 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT89 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001195030 Ear99 8541.29.0095 1.000 Canal P. 250 v 190mA (TA) 2.8V, 10V 12OHM @ 190MA, 10V 2V @ 130µA 6.1 NC @ 10 V ± 20V 104 pf @ 25 V - 1W (TA)
RV8L002SNHZGG2CR Rohm Semiconductor Rv8l002snhzgg2cr 0,5800
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Rohm Semiconducor Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-xfdfn Rv8L002 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DFN1010-3W download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 8.000 N-canal 60 v 250mA (TA) 2.4OHM @ 250MA, 10V 2.3V @ 1MA ± 20V 15 pf @ 25 V - 1W (TA)
RDX045N60FU6 Rohm Semiconductor RDX045N60FU6 -
RFQ
ECAD 7226 0,00000000 Rohm Semiconducor - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 RDX045 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220FM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 600 v 4.5a (ta) 10V 2.1ohm @ 2.25a, ​​10V 4V @ 1MA 16 nc @ 10 V ± 30V 500 pf @ 25 V - 35W (TC)
CPH3322-TL-E onsemi CPH3322-TL-E 0,1500
RFQ
ECAD 222 0,00000000 Onsemi * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 3.000
IRF2807Z Infineon Technologies IRF2807Z -
RFQ
ECAD 7281 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 75 v 75a (TC) 10V 9.4mohm @ 53a, 10V 4V A 250µA 110 nc @ 10 V ± 20V 3270 pf @ 25 V - 170W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque