SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Freqüência Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tensão - Teste
BUK9M31-60ELX Nexperia USA Inc. Buk9M31-60elx 1.2100
RFQ
ECAD 8352 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 FLEDES) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) LFPAK33 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.500 N-canal 60 v 35a (ta) 4.5V, 10V 20.6mohm @ 10a, 10V 2.1V @ 1Ma 37 nc @ 10 V ± 10V 1867 pf @ 25 V - 62W (TA)
SI5485DU-T1-E3 Vishay Siliconix SI5485DU-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5665 0,00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície Single PowerPak® Chipfet ™ SI5485 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Single PowerPak® Chipfet ™ download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 20 v 12a (TC) 2.5V, 4.5V 25mohm @ 5.9a, 4.5V 1,5V a 250µA 42 NC @ 8 V ± 12V 1100 pf @ 10 V - 3.1W (TA), 31W (TC)
PMZ200UNE/S500YL Nexperia USA Inc. PMZ200une/S500YL 0,0500
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Nexperia EUA Inc. - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SC-101, SOT-883 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DFN1006-3 - 2156-PMZ200une/S500YL 5.657 N-canal 30 v 1.4a (ta) 1.5V, 4.5V 250mohm @ 1.4a, 4.5V 0,95V a 250µA 2,7 nc a 4,5 V ± 8V 89 pf @ 15 V - 350mW (TA), 6,25W (TC)
FQPF8N80C onsemi FQPF8N80C -
RFQ
ECAD 9485 0,00000000 Onsemi QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 Fqpf8 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 800 v 8a (TC) 10V 1.55OHM @ 4A, 10V 5V A 250µA 45 nc @ 10 V ± 30V 2050 PF @ 25 V - 59W (TC)
BUK7D25-40EX Nexperia USA Inc. BUK7D25-40EX 0,4200
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 6-AUDFN PAD EXPOSTO BUK7D25 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DFN2020MD-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 v 8a (ta) 10V 25mohm @ 8a, 10V 4V A 250µA 13 NC @ 10 V ± 20V 460 pf @ 20 V - 15W (TC)
IRFS7734TRLPBF Infineon Technologies IRFS7734TRLPBF 3.0400
RFQ
ECAD 797 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, STROTLIRFET ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRFS7734 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 75 v 183a (TC) 6V, 10V 3.5mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 250µA 270 nc @ 10 V ± 20V 10150 pf @ 25 V - 290W (TC)
STF4N52K3 STMicroelectronics STF4N52K3 1.1200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh3 ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 STF4N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220FP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 525 v 2.5a (TC) 10V 2.6ohm @ 1.25a, ​​10V 4.5V @ 50µA 11 NC @ 10 V ± 30V 334 pf @ 100 V - 20W (TC)
FDS9431A-F085CT onsemi FDS9431A-F085CT -
RFQ
ECAD 9293 0,00000000 Onsemi Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Fornecedor indefinido Fornecedor indefinido 2156-FDS9431A-F085CT-488 0000.00.0000 1 Canal P. 20 v 3.5a (ta) 130mohm @ 3.5a, 4.5V 1V a 250µA 8,5 nc a 4,5 V ± 8V 405 pf @ 10 V - 1W (TA)
BLF8G22LS-270V,112 Ampleon USA Inc. BLF8G22LS-270V, 112 -
RFQ
ECAD 7627 0,00000000 Ampleon USA Inc. - Bandeja Obsoleto 65 v Montagem do chassi SOT-1244B Blf8 2,11 GHz ~ 2,17 GHz LDMOS CDFM6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 934066767112 Ear99 8541.29.0075 20 - 2.4 a 80W 17.3db - 28 v
FQI47P06TU Fairchild Semiconductor Fqi47p06tu 1.5300
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 Canal P. 60 v 47a (TC) 10V 26mohm @ 23.5a, 10V 4V A 250µA 110 nc @ 10 V ± 25V 3600 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 160W (TC)
FDS5682 onsemi FDS5682 -
RFQ
ECAD 1104 0,00000000 Onsemi PowerTrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS56 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 7.5a (ta) 4.5V, 10V 21mohm @ 7.5a, 10V 2V A 250µA 35 nc @ 10 V ± 20V 1650 PF @ 25 V - 2.5W (TA)
MCQ14P02-TP Micro Commercial Co MCQ14P02-TP 0,3141
RFQ
ECAD 8279 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem NA Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MCQ14 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOP download 353-MCQ14P02-TP Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 20 v 14a 2.5V, 4.5V 8.5mohm @ 13.5a, 4.5V 1V a 250µA 47,6 nc @ 4,5 V ± 10V 4500 pf @ 10 V - 3.1W
G50N03D5 Goford Semiconductor G50N03D5 0,6100
RFQ
ECAD 5 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-DFN (4.9x5.75) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 50a (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 20a, 10V 2.4V a 250µA 38,4 nc @ 10 V ± 20V 1784 pf @ 15 V - 20W (TC)
AOC2802 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2802 -
RFQ
ECAD 9826 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 4-UFBGA, WLCSP AOC280 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.3W 4-WLCSP (1,57x1,57) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 2-canal n (Duplo) Dreno Comum - - - - 10.4nc @ 4.5V - Portão de Nível Lógico
DMP2100UFU-7 Diodes Incorporated DMP2100UFU-7 0,1736
RFQ
ECAD 8343 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 6-UFDFN PAD EXPOSTO DMP2100 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW U-DFN2030-6 (TIPO B) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 2 canal P (Duplo) Dreno Comum 20V 5.7a 38mohm @ 3.5a, 10V 1.4V A 250µA 21.4NC @ 10V 906pf @ 10V -
MRF6S19100HR3 NXP USA Inc. MRF6S19100HR3 -
RFQ
ECAD 3060 0,00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 v Montagem do chassi SOT-957A MRF6 1,99 GHz LDMOS NI-780H-2L download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 935316735128 Ear99 8541.29.0075 250 - 900 MA 22W 16.1db - 28 v
FDP8D5N10C onsemi FDP8D5N10C 2.8900
RFQ
ECAD 1777 0,00000000 Onsemi PowerTrench® Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 FDP8D5 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado 2156-FDP8D5N10C-488 Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 100 v 76a (TC) 10V 8.5mohm @ 76a, 10V 4V A 130µA 34 NC @ 10 V ± 20V 2475 pf @ 50 V - 2.4W (TA), 107W (TC)
PMV37EN,215 NXP USA Inc. PMV37EN, 215 -
RFQ
ECAD 9564 0,00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 (TO-236AB) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 v 3.1a (ta) 4.5V, 10V 36mohm @ 3.1a, 10V 2,5V a 250µA 10 nc @ 10 V ± 20V 330 pf @ 10 V - 380MW (TA)
MSCSM170AM058CT6LIAG Microchip Technology MSCSM170AM058CT6LIAG 1.0000
RFQ
ECAD 13 0,00000000 Microchip Technology - Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo MSCSM170 Carboneto de Silício (sic) 1.642kW (TC) - download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 150-MSCSM170AM058CT6LIAG Ear99 8541.29.0095 1 2 canal (Perna de Fase) 1700V (1,7KV) 353a (TC) 7.5mohm @ 180a, 20V 3.3V @ 15Ma 1068NC @ 20V 19800pf @ 1000V -
FD6M016N03 onsemi FD6M016N03 -
RFQ
ECAD 7343 0,00000000 Onsemi Power-spm ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco EPM15 FD6M016 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) - EPM15 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 19 2 canal n (Duplo) 30V 80a 1.6mohm @ 40a, 10V 3V A 250µA 295NC @ 10V 11535pf @ 15V -
BUK9529-100B,127 Nexperia USA Inc. Buk9529-100b, 127 -
RFQ
ECAD 5229 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 100 v 46a (TC) 4.5V, 10V 27mohm @ 25a, 10V 2V @ 1MA 33 NC @ 5 V ± 15V 4360 pf @ 25 V - 157W (TC)
NEM090603M-28-A Renesas Electronics America Inc NEM090603M-28-A 125.7300
RFQ
ECAD 251 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * Volume Ativo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1
RM3416 Rectron USA RM3416 0,0580
RFQ
ECAD 7064 0,00000000 Rectron EUA - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 2516-RM3416TR 8541.10.0080 30.000 N-canal 20 v 6.5a (ta) 1.8V, 4.5V 27mohm @ 6.5a, 4.5V 1V a 250µA ± 12V 660 pf @ 10 V - 1.4W (TA)
R6008FNX Rohm Semiconductor R6008FNX 2.5064
RFQ
ECAD 7182 0,00000000 Rohm Semiconducor - Volume Não é para desenhos para Novos 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 R6008 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220FM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 846-R6008FNX Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 600 v 8a (TC) 10V 950mohm @ 4a, 10V 4V @ 1MA 20 NC A 10 V ± 30V 580 pf @ 25 V - 50W (TC)
AOD3N50 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD3N50 0,6800
RFQ
ECAD 22 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 AOD3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252 (DPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 v 2.8a (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4.5V a 250µA 8 nc @ 10 V ± 30V 331 pf @ 25 V - 57W (TC)
SIR4604DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR4604DP-T1-GE3 1.3800
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície PowerPak® SO-8 Sir4604 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PowerPak® SO-8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 v 15.1a (ta), 49.3a (tc) 7.5V, 10V 9.5mohm @ 10a, 10V 4V A 250µA 22 NC @ 10 V ± 20V 960 pf @ 30 V - 3.9W (TA), 41,6W (TC)
IPB60R250CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R250CPATMA1 -
RFQ
ECAD 1369 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ cp Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB60R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 600 v 12a (TC) 10V 250mohm @ 7.8a, 10V 3.5V @ 440µA 35 nc @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 100 V - 104W (TC)
IPB90N04S402ATMA1 Infineon Technologies IPB90N04S402ATMA1 3.1900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB90N04 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 40 v 90A (TC) 10V 2.1mohm @ 90a, 10V 4V @ 95µA 118 nc @ 10 V ± 20V 9430 PF @ 25 V - 150W (TC)
AOD484 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD484 -
RFQ
ECAD 7783 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 AOD48 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252 (DPAK) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 25a (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 20a, 10V 2,5V a 250µA 21 NC @ 10 V ± 20V 1220 pf @ 15 V - 2.1W (TA), 50W (TC)
IPU60R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies IPU60R1K0Ceakma1 -
RFQ
ECAD 1283 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ CE Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA IPU60R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A251-3 download 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado SP001369532 Ear99 8541.29.0095 1.500 N-canal 600 v 4.3a (TC) 1OHM @ 1.5A, 10V 3,5V A 130µA 13 NC @ 10 V 280 pf @ 100 V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque