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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4963BDY-T1-GE3 | 0,7796 |  | 4291 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4963 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 4.9a | 32mohm @ 6.5a, 4.5V | 1.4V A 250µA | 21NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||
 | IXTY01N100-TRL | 1.3085 | | 6139 | 0,00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Ixty01 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 238-IXTY01N100-TRLTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 1000 v | 100mA (TC) | 10V | 80ohm @ 50ma, 10V | 4.5V @ 25µA | 6,9 nc @ 10 V | ± 20V | 54 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | ||||||||||||
 | FDSS2407S_B82086 | 0,7000 | | 783 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDSS24 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.27W (TA) | 8-SOIC | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 62V | 3.3a (ta) | 110mohm @ 3.3a, 10V | 3V A 250µA | 4.3NC @ 5V | 300pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
| Fqu12N20TU-T | - | | 5781 | 0,00000000 | Onsemi | - | Volume | Obsoleto | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 488-FQ12N20TU-T | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Spp02n60c3in | 0,5000 | | 7851 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 461 | N-canal | 600 v | 1.8a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a, 10V | 3.9V @ 80µA | 12,5 nc @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | |||||||||||||
 | TSM60N380CH C5G | 0,9084 | | 5178 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 v | 11a (TC) | 10V | 380mohm @ 5.5a, 10V | 4V A 250µA | 20,5 nc @ 10 V | ± 30V | 1040 pf @ 100 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||
 | AUIRFP2602 | - | | 2210 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AD | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001522246 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 24 v | 180A (TC) | 10V | 1.6mohm @ 180a, 10V | 4V A 250µA | 390 nc @ 10 V | ± 20V | 11220 pf @ 25 V | - | 380W (TC) | |||||||||||||
| 2SK3813-Z-AZ | - | | 7024 | 0,00000000 | Renesas | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C. | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | MP-3 | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | 2156-2SK3813-Z-AZ | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | N-canal | 40 v | 60a (TC) | 4.5V, 10V | 5.3mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 1MA | 96 nc @ 10 V | ± 20V | 5500 pf @ 10 V | - | 1W (TA), 84W (TC) | |||||||||||||
 | SI1012CR-T1-GE3 | 0,4700 | | 58 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SC-75, SOT-416 | SI1012 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SC-75A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 630mA (TA) | 1.5V, 4.5V | 396mohm @ 600mA, 4,5V | 1V a 250µA | 2 nc @ 8 V | ± 8V | 43 pf @ 10 V | - | 240mW (TA) | ||||||||||||
 | 2N7002-7-F-50 | 0,0314 | | 7966 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 | download | 31-2N7002-7-F-50 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 170mA (TA) | 5V, 10V | 5ohm @ 500mA, 10V | 2,5V a 250µA | 0,23 nc @ 4,5 V | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 370MW (TA) | ||||||||||||||
 | Buk9K6R2-40E, 115 | 1.8700 | | 3 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-1205, 8-LFPAK56 | Buk9K6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 68W | LFPAK56D | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 40A | 6mohm @ 25a, 10V | 2.1V @ 1Ma | 35.4NC @ 10V | 3281pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
| SI4884BDY-T1-E3 | - | | 7345 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4884 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 16.5a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 10a, 10V | 3V A 250µA | 35 nc @ 10 V | ± 20V | 1525 pf @ 15 V | - | 2,5W (TA), 4,45W (TC) | |||||||||||||
 | NP60N03SUG-E1-AY | - | | 4533 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 (MP-3ZK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 60a (TC) | 10V | 3.8mohm @ 30a, 10V | 4V A 250µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 7500 pf @ 25 V | - | 1.2W (TA), 105W (TC) | |||||||||||||
 | SI1417EDH-T1-GE3 | - | | 9164 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1417 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 12 v | 2.7a (ta) | 1.8V, 4.5V | 85mohm @ 3.3a, 4.5V | 450mv @ 250µA (min) | 8 nc @ 4,5 V | ± 12V | - | 1W (TA) | |||||||||||||
 | IRLR120TRL | - | | 5658 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRLR120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 270mohm @ 4.6a, 5V | 2V A 250µA | 12 nc @ 5 V | ± 10V | 490 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||
 | IXTH12N100Q | - | | 8233 | 0,00000000 | Ixys | Q CLASSE | Tubo | Ativo | - | Através do buraco | To-247-3 | Ixth12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247 (ixth) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1000 v | 12a (TC) | - | - | - | - | ||||||||||||||||
 | AOD508 | 0,9000 | | 36 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | AOD50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 (DPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 22a (TA), 70A (TC) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 20a, 10V | 2.2V A 250µA | 49 NC @ 10 V | ± 20V | 2010 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||
 | DMN62D1LFD-13 | 0,4300 | | 10 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 3-udfn | DMN62 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | X1-DFN1212-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-canal | 60 v | 400mA (TA) | 1.8V, 4V | 2OHM @ 100MA, 4V | 1V a 250µA | 0,55 nc @ 4,5 V | ± 20V | 36 pf @ 25 V | - | 500mW (TA) | ||||||||||||
 | SI2308BDS-T1-GE3 | 0,5500 | | 65 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2308 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 2.3a (TC) | 4.5V, 10V | 156mohm @ 1.9a, 10V | 3V A 250µA | 6,8 nc @ 10 V | ± 20V | 190 pf @ 30 V | - | 1.09W (TA), 1,66W (TC) | ||||||||||||
| G1K3N10LL | 0,4000 | | 3 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-23-6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-6L | download | Rohs Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0000 | 3.000 | N-canal | 100 v | 3.4a (TC) | 4.5V, 10V | 130mohm @ 1a, 10V | 2,5V a 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 808 pf @ 50 V | - | 2.28W (TC) | |||||||||||||
| DMTH10H025LPS-13 | 0,3335 | | 2692 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | DMTH10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerDi5060-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | DMTH10H025LPS-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 v | 9.3a (ta), 45a (tc) | 6V, 10V | 23mohm @ 20a, 10V | 3V A 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1477 pf @ 50 V | - | 3.2W (TA), 79W (TC) | |||||||||||
| FS33MR12W1M1HB11BPSA1 | 158.8800 | | 24 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™ | Bandeja | Ativo | - | Montagem do chassi | Módlo | FS33MR12 | Carboneto de Silício (sic) | - | Ag-Easy1b | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | - | 1200V | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||
 | IRL1104STRR | - | | 8950 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 v | 104a (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 62a, 10V | 1V a 250µA | 68 nc @ 4,5 V | ± 16V | 3445 pf @ 25 V | - | 2.4W (TA), 167W (TC) | |||||||||||||
 | BLF25M612G, 118 | - | | 8016 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 v | Montagem NA Superfície | SOT-975C | BLF25M612 | 2,45 GHz | LDMOS | CDFM2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934066221118 | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | - | 10 MA | 12w | 19dB | - | 28 v | ||||||||||||||||
| 94-2989 | - | | 9262 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRFZ48 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 v | 64a (TC) | 10V | 14mohm @ 32a, 10V | 4V A 250µA | 81 nc @ 10 V | ± 20V | 1970 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 130W (TC) | ||||||||||||
 | SI7456DP-T1-E3 | 2.1000 | | 22 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 | SI7456 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 5.7a (ta) | 6V, 10V | 25mohm @ 9.3a, 10V | 4V A 250µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||||||||||
| TSM1NB60CH C5G | 0,7448 | | 1518 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | TSM1NB60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 v | 1a (TC) | 10V | 10ohm @ 500mA, 10V | 4.5V a 250µA | 6.1 NC @ 10 V | ± 30V | 138 pf @ 25 V | - | 39W (TC) | ||||||||||||
 | PTAC210802FC-V1-R250 | - | | 7683 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | PTAC210802 | download | Rohs Compatível | 3 (168 Horas) | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BTS282ZE3230AKSA2 | 6.7900 | | 8370 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Tempfet® | Tubo | Não é para desenhos para Novos | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-7 | BTS282 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-7-12 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 49 v | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 36a, 10V | 2V @ 240µA | 232 NC @ 10 V | ± 20V | 4800 pf @ 25 V | Diodo de detecção de temperatura | 300W (TC) | ||||||||||||
 | Aow290 | - | | 9728 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | Aow29 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-262 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 785-1729-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 100 v | 17.5a (ta), 140a (tc) | 10V | 3.2mohm @ 20a, 10V | 4.1V @ 250µA | 126 nc @ 10 V | ± 20V | 7180 pf @ 50 V | - | 1.9W (TA), 500W (TC) |
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