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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Buk962R5-60E, 118 | 3.8800 |  | 800 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Buk962 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 v | 120A (TC) | 5V | 2.5mohm @ 25a, 5V | 2.1V @ 1Ma | 120 nc @ 5 V | ± 10V | 17450 pf @ 25 V | - | 357W (TC) | ||||||||||||
 | CSD18534Q5a | 1.0700 | | 51 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | CSD18534 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vsonp (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 13a (ta), 50a (tc) | 4.5V, 10V | 9.8mohm @ 14a, 10v | 2.3V A 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1770 pf @ 30 V | - | 3.1W (TA), 77W (TC) | ||||||||||||
 | DMPH6050SFG-7 | 0,2482 | | 9500 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | DMPH6050 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | DMPH6050SFG-7DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal P. | 60 v | 6.1a (ta), 18a (tc) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 7a, 10V | 3V A 250µA | 24,1 nc @ 10 V | ± 20V | 1293 pf @ 30 V | - | 3.2w | |||||||||||||
 | ZVNL120CSTOA | - | | 2117 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Através do buraco | E-line-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | E-line (Compatível com 92) | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-canal | 200 v | 180mA (TA) | 3V, 5V | 10ohm a 250mA, 5V | 1.5V @ 1MA | ± 20V | 85 pf @ 25 V | - | 700mW (TA) | |||||||||||||||
 | NTE2386 | 87.5100 | | 180 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-3 | download | Rohs Não Compatível | 2368-NTE2386 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 v | 6.2a (TC) | 10V | 1.2OHM @ 3.4A, 10V | 4V A 250µA | 80 nc @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||
 | FS100VSJ-03F-T11X5 | 2.9000 | | 18 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | SD2932W | 172.4200 | | 55 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Ativo | 125 v | M244 | SD2932 | 175MHz | MOSFET | M244 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | N-canal | 40A | 500 MA | 300W | 16dB | - | 50 v | ||||||||||||||||
 | CEDM8004 BK PBFREE | 0,1705 | | 7907 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | CAIXA | Ativo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SC-101, SOT-883 | CEDM8004 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-883 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | Canal P. | 30 v | 450mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 1.1OHM @ 430MA, 4.5V | 1.1V @ 250µA | 0,88 nc @ 4,5 V | 8V | 55 pf @ 25 V | - | 100mW (TA) | ||||||||||||
 | GA10JT12-247 | - | | 9924 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Tubo | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Sic (transistor de junção de carboneto de Silício) | TO-247AB | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 1200 v | 10a (TC) | - | 140mohm @ 10a | - | - | - | 170W (TC) | |||||||||||||||||
| FDMS9408-F085 | - | | 9562 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | FDMS94 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Power56 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 40 v | 80a (TC) | 10V | 1.8mohm @ 80a, 10V | 4V A 250µA | 92 NC @ 10 V | ± 20V | 5120 pf @ 25 V | - | 214W (TJ) | ||||||||||||
 | DMN2026UVT-13 | 0,1173 | | 5796 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | DMN2026 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TSOT-23-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | DMN2026UVT-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-canal | 20 v | 6.2a (TC) | 2.5V, 4.5V | 24mohm @ 6.2a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 18,4 nc @ 8 V | ± 10V | 887 pf @ 10 V | - | 1.15W (TA) | |||||||||||
 | SI7446BDP-T1-E3 | - | | 1257 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 | SI7446 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 12a (ta) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 19a, 10V | 3V A 250µA | 33 NC @ 5 V | ± 20V | 3076 pf @ 15 V | - | 1.9W (TA) | ||||||||||||
 | Auill3705zs | - | | 6844 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 55 v | 75a (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 52a, 10V | 3V A 250µA | 60 nc @ 5 V | ± 16V | 2880 pf @ 25 V | - | 130W (TC) | |||||||||||||
| IXFJ15N100Q | - | | 6847 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | Ixfj15 | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 30 | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IPAW60R280P7SE8228XKSA1 | 0,9364 | | 6630 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ P7 | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | IPAW60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A220-FP | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-canal | 600 v | 12a (TC) | 10V | 280mohm @ 3.8a, 10V | 4V @ 190µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 761 pf @ 400 V | - | 24W (TC) | ||||||||||||
 | STFI8N80K5 | 2.3800 | | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh5 ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Pacote completo, i²pak | STFI8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pakfp (to-281) | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 v | 6a (TC) | 10V | 950mohm @ 3a, 10V | 5V @ 100µA | 16,5 nc @ 10 V | ± 30V | 450 pf @ 100 V | - | 25W (TC) | ||||||||||||
 | YJG30N06A | 0,1840 | | 500 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-yjg30n06atr | Ear99 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTMFS4937NCT1G | - | | 6832 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montagem NA Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | NTMFS4937 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2832-NTMFS4937NCT1G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 v | 10.2a (ta) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 30a, 10V | 2.2V A 250µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 2516 pf @ 15 V | - | - | |||||||||||
 | DMP3050LVTQ-7 | 0,4400 | | 1511 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | DMP3050 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TSOT-26 | download | 1 (ilimito) | 31-DMP3050LVTQ-7 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 4.5a (ta) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 4.5a, 10V | 2V A 250µA | 10,5 nc @ 10 V | ± 25V | 620 pf @ 15 V | - | 1.6W (TA) | |||||||||||||
 | BLP7G10S-160PY | - | | 2614 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 v | Montagem NA Superfície | SOT-1223-2 | BLP7 | 600MHz ~ 960MHz | LDMOS | 4-HSOPF | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | Dual | 1.4µA | 100 ma | 160W | 19.4db | - | 28 v | |||||||||||||||
 | FDP2614 | - | | 2460 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-FDP2614 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 v | 62a (TC) | 10V | 27mohm @ 31a, 10V | 5V A 250µA | 99 NC @ 10 V | ± 30V | 7230 pf @ 25 V | - | 260W (TC) | |||||||||||||
 | FQH44N10-F133 | - | | 3098 | 0,00000000 | Onsemi | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | FQH44N10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247-3 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-canal | 100 v | 48a (TC) | 10V | 39mohm @ 24a, 10v | 4V A 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 25V | 1800 pf @ 25 V | - | 180W (TC) | ||||||||||||
 | IRFU3504Z | - | | 7414 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | IPAK (TO-251AA) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFU3504Z | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 40 v | 42a (TC) | 10V | 9mohm @ 42a, 10V | 4V @ 50µA | 45 nc @ 10 V | ± 20V | 1510 pf @ 25 V | - | 90W (TC) | ||||||||||||
 | AOD7N65 | 1.1200 | | 3 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | AOD7 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 (DPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 650 v | 7a (TC) | 10V | 1.56ohm @ 3.5a, 10V | 4.5V a 250µA | 24 nc @ 10 V | ± 30V | 1180 pf @ 25 V | - | 178W (TC) | ||||||||||||
 | NTD4854N-35G | - | | 8795 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 Leads de Stub, Ipak | NTD48 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I-Pak | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 25 v | 15.7a (ta), 128a (tc) | 4.5V, 10V | 3.6mohm @ 30a, 10V | 2,5V a 250µA | 49,2 nc @ 4,5 V | ± 20V | 4600 pf @ 12 V | - | 1.43W (TA), 93,75W (TC) | |||||||||||||
 | AOTF409 | 0,5450 | | 4312 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | AOTF40 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal P. | 60 v | 5.4a (ta), 24a (tc) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 20a, 10V | 2.4V a 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 2953 pf @ 30 V | - | 2.16W (TA), 43W (TC) | ||||||||||||
 | IPP040N06N3GHKSA1 | - | | 1400 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP040N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP000398032 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 v | 90A (TC) | 10V | 4mohm @ 90a, 10V | 4V A 90µA | 98 nc @ 10 V | ± 20V | 11000 pf @ 30 V | - | 188W (TC) | ||||||||||||
 | ON5204.127 | - | | 1604 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-220-5 Formou Leads | On52 | - | - | SOT263B-01 | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934056348127 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||
 | SI4963BDY-T1-GE3 | 0,7796 | | 4291 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4963 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 4.9a | 32mohm @ 6.5a, 4.5V | 1.4V A 250µA | 21NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||
| IXTY01N100-TRL | 1.3085 | | 6139 | 0,00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Ixty01 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 238-IXTY01N100-TRLTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 1000 v | 100mA (TC) | 10V | 80ohm @ 50ma, 10V | 4.5V @ 25µA | 6,9 nc @ 10 V | ± 20V | 54 pf @ 25 V | - | 25W (TC) |
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