- RFQ
- Bom
- Contate-nos
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-compponents.com
- chinês
- Inglês
- Francês
- Alemão
- Português
- Espanhol
- russo
- japonês
- coreano
- árabe
- irlandês
- grego
- turco
- italiano
- dinamarquês
- romeno
- indonésio
- Tcheco
- afrikaans
- sueco
- polonês
- Basco
- catalão
- esperanto
- hindi
- Laos
- albanês
- Amárico
- Armênio
- Azerbaijão
- Bielorrusso
- bengali
- Bósnia
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Córsega
- croata
- Holandês
- estoniano
- Filipino
- finlandês
- Frisiano
- Galian
- Georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- havaiano
- hebraico
- Hmong
- húngaro
- islandês
- Igbo
- Javanês
- Kannada
- Cazaque
- Khmer
- curdo
- Kyrgyz
- Latim
- letão
- lituano
- Luxembou ..
- Macedônio
- malgaxe
- malaio
- Malaiala
- maltês
- maori
- Marathi
- mongol
- birmanês
- Nepalês
- norueguês
- Pashto
- persa
- Punjabi
- sérvio
- Sesoto
- Sinhala
- Eslovaco
- esloveno
- Somali
- Samoano
- Gaélico escocês
- Shona
- Sindhi
- Sundanês
- Suaíli
- Tajique
- tâmil
- Telugu
- Tailandês
- ucraniano
- urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galês
- Xhosa
- Yiddish
- Ioruba
- zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turquemen
- Uyghur
Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IMBG65R048M1HXTMA1 | 13.7500 |  | 34 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-8, D²PAK (7 leads + guia), TO-263CA | IMBG65 | Sicfet (Carboneto de Silício) | PG-PARA263-7-12 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 650 v | 45a (TC) | 18V | 64mohm @ 20.1a, 18V | 5.7V @ 6Ma | 33 NC @ 18 V | +23V, -5V | 1118 pf @ 400 V | - | 183W (TC) | ||||||||||||
 | IRLML9303TRPBF | 0,4900 | | 118 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | IRLML9303 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Micro3 ™/SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 2.3a (ta) | 4.5V, 10V | 165mohm @ 2.3a, 10V | 2.4V @ 10µA | 2 NC a 4,5 V | ± 20V | 160 pf @ 25 V | - | 1.25W (TA) | ||||||||||||
 | AOSP66925 | 0,3226 | | 7966 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ALPHASGT2 ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AOSP669 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 785-aosp66925tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 11a (ta) | 4.5V, 10V | 12.5mohm @ 11a, 10v | 2.6V a 250µA | 33 nc @ 10 V | ± 20V | 1590 pf @ 50 V | - | 3.1W (TA) | ||||||||||||
 | IRF6729MTRPBF | - | | 7123 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFET ™ isométrico MX | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFET ™ MX | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 30 v | 31a (TA), 190A (TC) | 4.5V, 10V | 1.8mohm @ 31a, 10V | 2,35V a 150µA | 63 nc @ 4,5 V | ± 20V | 6030 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 104W (TC) | ||||||||||||||
 | Ste180ne10 | - | | 1025 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Isotop | Ste1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Isotop® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | N-canal | 100 v | 180A (TC) | 10V | 6ohm @ 40a, 10V | 4V A 250µA | 795 nc @ 10 V | ± 20V | 21000 pf @ 25 V | - | 360W (TC) | ||||||||||||
 | APT11F80S | - | | 6544 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 8 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA | APT11F80 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D3PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 800 v | 12a (TC) | 10V | 900MOHM @ 6A, 10V | 5V @ 1MA | 80 nc @ 10 V | ± 30V | 2471 pf @ 25 V | - | 337W (TC) | ||||||||||||
 | SIR572DP-T1-RE3 | 2.0200 | | 6390 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SIR572DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 v | 14.8a (ta), 59.7a (tc) | 7.5V, 10V | 10.8mohm @ 10a, 10V | 4V A 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 2733 pf @ 75 V | - | 5.7W (TA), 92,5W (TC) | |||||||||||||
 | FDG330P | - | | 1659 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | FDG330 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SC-88 (SC-70-6) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 12 v | 2a (ta) | 1.8V, 4.5V | 110mohm @ 2a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 7 nc @ 4,5 V | ± 8V | 477 pf @ 6 V | - | 750mW (TA) | |||||||||||||
 | STB130NS04ZBT4 | - | | 6304 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mesh Overlay ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | STB130 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 33 v | 80a (TC) | 10V | 9mohm @ 40a, 10V | 4V @ 1MA | 80 nc @ 10 V | Fixado | 2700 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||
 | FDD13AN06A0 | 1.8300 | | 215 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | FDD13AN06 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 9.9a (ta), 50a (tc) | 6V, 10V | 13.5mohm @ 50a, 10V | 4V A 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1350 pf @ 25 V | - | 115W (TC) | ||||||||||||
 | FDB082N15A | 6.4900 | | 6965 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FDB082 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 v | 117a (TC) | 10V | 8.2mohm @ 75a, 10V | 4V A 250µA | 84 nc @ 10 V | ± 20V | 6040 pf @ 25 V | - | 294W (TC) | ||||||||||||
 | IRLU2705 | - | | 2351 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRLU2705 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 55 v | 28a (TC) | 4V, 10V | 40mohm @ 17a, 10V | 2V A 250µA | 25 NC @ 5 V | ± 16V | 880 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||
 | DMS2120LFWB-7 | 0.1710 | | 7520 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Pad Exposto de 8-VDFN | DMS2120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-DFN3020B (3x2) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 2.9a (ta) | 1.8V, 4.5V | 95mohm @ 2.8a, 4.5V | 1.3V a 250µA | ± 12V | 632 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Isolado) | 1.5W (TA) | |||||||||||||
| IPD95R450PFD7ATMA1 | 2.8900 | | 4696 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A252-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 950 v | 13.3a (TC) | 10V | 450mohm @ 7.2a, 10V | 3,5V A 360µA | 43 nc @ 10 V | ± 20V | 1230 PF @ 400 V | - | 104W (TC) | |||||||||||||
 | Sihlz34s-ge3 | 0,6631 | | 2012 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Sihlz34 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SIHLZ34S-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 60 v | 30a (TC) | 4V, 5V | 50mohm @ 18a, 5V | 2V A 250µA | 35 nc @ 5 V | ± 10V | 1600 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||||||||||
 | FQU4P25TU | 0,3400 | | 4481 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I-Pak | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 23 | Canal P. | 250 v | 3.1a (TC) | 10V | 2.1ohm @ 1.55a, 10V | 5V A 250µA | 14 nc @ 10 V | ± 30V | 420 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||
 | IRL1104 | - | | 4852 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRL1104 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 v | 104a (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 62a, 10V | 1V a 250µA | 68 nc @ 4,5 V | ± 16V | 3445 pf @ 25 V | - | 167W (TC) | ||||||||||||
 | FCP170N60 | 3.5600 | | 1 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Superfet® II | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 92 | N-canal | 600 v | 22a (TC) | 10V | 170mohm @ 11a, 10V | 3,5V a 250µA | 55 nc @ 10 V | ± 20V | 2860 pf @ 380 V | - | 227W (TC) | ||||||||||||||||
 | MRF6S21100HSR5 | - | | 7391 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 v | Montagem do chassi | NI-780S | MRF6 | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | NI-780S | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 950 MA | 23W | 15.9dB | - | 28 v | ||||||||||||||||
| CTLDM7120-M621H BK | - | | 6433 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-XFDFN PAD EXPOSTO | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TLM621H | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 20 v | 1a (ta) | 1.5V, 4.5V | 100mohm a 500mA, 4,5V | 1.2V @ 1MA | 2,4 nc a 4,5 V | 8V | 220 pf @ 10 V | - | 1.6W (TA) | |||||||||||||||
 | BLF6G15L-40BRN, 118 | - | | 2089 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 v | Montagem do chassi | SOT-1112A | BLF6G15 | 1,47 GHz ~ 1,51 GHz | LDMOS | CDFM6 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934064452118 | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | Fonte Dupla E Comum | 11a | 330 MA | 2.5W | 22dB | - | 28 v | |||||||||||||||
| TSM60NC165CI C0G | 9.1600 | | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM60NC165CIC0G | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 600 v | 24a (TC) | 10V | 165mohm @ 11.3a, 10V | 5V @ 1MA | 44 NC @ 10 V | ± 30V | 1857 PF @ 300 V | - | 89W (TC) | |||||||||||
 | STB7NK80Z-1 | 1.7752 | | 7097 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | STB7NK80 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 800 v | 5.2a (TC) | 10V | 1.8OHM @ 2.6a, 10V | 4.5V @ 100µA | 56 nc @ 10 V | ± 30V | 1138 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||
 | SI7216DN-T1-GE3 | 1.6600 | | 7698 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 Dual | SI7216 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 20.8W | PowerPak® 1212-8 Dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 6a | 32mohm @ 5a, 10V | 3V A 250µA | 19NC @ 10V | 670pf @ 20V | - | |||||||||||||||
 | 2N7002KQ-7-52 | 0,0458 | | 5108 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 | download | 31-2N7002KQ-7-52 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 380mA (TA) | 5V, 10V | 2OHM @ 500MA, 10V | 2.5V @ 1MA | 0,3 nc @ 4,5 V | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 370MW (TA) | ||||||||||||||
 | IRLR8256TRPBF | - | | 4087 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 25 v | 81a (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 25a, 10V | 2.35V @ 25µA | 15 NC a 4,5 V | ± 20V | 1470 pf @ 13 V | - | 63W (TC) | ||||||||||||||||
 | FDMA037N08LC | 1.5900 | | 2 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6 WDFN PAD Exposto | FDMA037 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-WDFN (2x2) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 v | 6a (TC) | 4.5V, 10V | 36.5mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 20µA | 9 nc @ 10 V | ± 20V | 595 pf @ 40 V | - | 2.4W (TA) | ||||||||||||
 | Nttfs4c65ntwg | - | | 2808 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | Nttfs4 | - | 8-WDFN (3,3x3.3) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | - | 7.7a (ta) | - | - | - | - | |||||||||||||||||
| IRF3708STRRPBF | - | | 3619 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 v | 62a (TC) | 2.8V, 10V | 12mohm @ 15a, 10V | 2V A 250µA | 24 NC a 4,5 V | ± 12V | 2417 pf @ 15 V | - | 87W (TC) | ||||||||||||||
 | FQA10N80 | - | | 1470 | 0,00000000 | Onsemi | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-3P | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 800 v | 9.8a (TC) | 10V | 1.05OHM @ 4.9A, 10V | 5V A 250µA | 71 nc @ 10 V | ± 30V | 2700 pf @ 25 V | - | 240W (TC) |
2000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2800+
Fabricantes em todo o mundo
15.000 m2
Armazém em estoque
Lista de desejos (0 itens)