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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | UPA1807GR-9JG-E1-A | 0,6700 |  | 3 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-TSSOP | download | Não Aplicável | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 12a (ta) | 10mohm @ 6a, 10V | 2.5V @ 1MA | 19 NC @ 10 V | 1000 pf @ 10 V | - | |||||||||||||||||||
 | STF13N60DM2 | 2.0000 | | 305 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | STF13 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 497-16961 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 11a (TC) | 10V | 365mohm @ 5.5a, 10V | 5V A 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 25V | 730 PF @ 100 V | - | 25W (TC) | |||||||||||
 | FSS234-TL-E | 0,9000 | | 9 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | DMT4008LFV-7 | 0.3045 | | 4413 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | DMT4008 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerDi3333-8 (Tipo UX) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 40 v | 12.1a (ta), 54.8a (tc) | 4.5V, 10V | 7.9mohm @ 12a, 10V | 3V A 250µA | 17,1 nc @ 10 V | ± 20V | 1179 pf @ 20 V | - | 1.9W (TA), 35,7W (TC) | ||||||||||||
 | Ixtq14n60p | 5.4000 | | 3430 | 0,00000000 | Ixys | Polar | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-3P-3, SC-65-3 | Ixtq14 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-3P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | -Ixtq14n60p | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 v | 14a (TC) | 10V | 550mohm @ 7a, 10V | 5,5V A 250µA | 36 nc @ 10 V | ± 30V | 2500 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||
 | IXTH30N50P | 9.3900 | | 9231 | 0,00000000 | Ixys | Polar | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Ixth30 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247 (ixth) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 500 v | 30a (TC) | 10V | 200mohm @ 15a, 10V | 5V A 250µA | 70 nc @ 10 V | ± 30V | 4150 PF @ 25 V | - | 460W (TC) | ||||||||||||
 | AOD4T60P | - | | 5483 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | AOD4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 (DPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 v | 4a (TC) | 10V | 2.1ohm @ 2a, 10V | 5V A 250µA | 15 nc @ 10 V | ± 30V | 522 pf @ 100 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||
 | BUK9Y58-75B, 115 | 0,8400 | | 894 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-100, SOT-669 | Buk9Y58 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | LFPAK56, Power-So8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 75 v | 20.73a (TC) | 5V, 10V | 53mohm @ 10a, 10V | 2.15V @ 1Ma | 10,7 nc @ 5 V | ± 15V | 1137 pf @ 25 V | - | 60.4W (TC) | ||||||||||||
 | Ixty2n80p | - | | 6180 | 0,00000000 | Ixys | PolarHV ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Ixty2 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | N-canal | 800 v | 2a (TC) | 10V | 6ohm @ 1a, 10V | 5.5V @ 50µA | 10,6 nc @ 10 V | ± 30V | 440 pf @ 25 V | - | 70W (TC) | |||||||||||||
 | RFD14N05 | - | | 7316 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | RFD14 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I-Pak | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | RFD14N05-NDR | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 50 v | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 14a, 10v | 4V A 250µA | 40 NC @ 20 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||||||||||
 | VN10KC-T1 | 0,2800 | | 70 | 0,00000000 | Siliconix | * | Volume | Ativo | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | NTD4809NHT4G | - | | 3520 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | NTD48 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 9.6a (ta), 58a (tc) | 4.5V, 11.5V | 9mohm @ 30a, 10V | 2,5V a 250µA | 15 NC a 4,5 V | ± 20V | 2155 pf @ 12 V | - | 1.3W (TA), 52W (TC) | |||||||||||||
 | BUK653R3-30C, 127 | - | | 6544 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934065858127 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 v | 100a (TC) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 25a, 10V | 2.8V @ 1MA | 114 NC @ 10 V | ± 16V | 6960 PF @ 25 V | - | 204W (TC) | ||||||||||||
| MRFE8VP8600HR5 | 154.7816 | | 5941 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | Mrfe8 | - | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 935318365178 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||
 | IXTX550N055T2 | 21.0490 | | 4849 | 0,00000000 | Ixys | Trencht2 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-247-3 Variante | Ixtx550 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Plus247 ™ -3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 55 v | 550A (TC) | 10V | 1.6mohm @ 100a, 10V | 4V A 250µA | 595 nc @ 10 V | ± 20V | 40000 pf @ 25 V | - | 1250W (TC) | ||||||||||||
| IXFN110N65X3 | 33.9180 | | 2490 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Ativo | IXFN110 | - | 238-IXFN110N65X3 | 10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SQJ457EP-T1_GE3 | 0,9800 | | 6709 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SQJ457 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 60 v | 36a (TC) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 3400 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||||||||||
 | IRFR4104TRPBF | 1.7800 | | 11 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR4104 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 40 v | 42a (TC) | 10V | 5.5mohm @ 42a, 10V | 4V A 250µA | 89 NC @ 10 V | ± 20V | 2950 PF @ 25 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||
 | SIS454DN-T1-GE3 | 1.0000 | | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 | SIS454 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 35a (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 20a, 10V | 2.2V A 250µA | 53 nc @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 10 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||||||||||
| BUK751R8-40E, 127 | - | | 6633 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 v | 120A (TC) | 10V | 1.8mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 145 NC @ 10 V | ± 20V | 11340 pf @ 25 V | - | 349W (TC) | |||||||||||||
 | IRF9240 | 5.6400 | | 11 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-204AA (TO-3) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal P. | 200 v | 11a (TC) | 10V | 580mohm @ 11a, 10V | 4V A 250µA | 60 nc @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||
 | IRFD9020PBF | 1.6700 | | 505 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD9020 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-HVMDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRFD9020PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | Canal P. | 60 v | 1.6a (ta) | 10V | 280mohm @ 960mA, 10V | 4V @ 1µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | ||||||||||||
 | J310RLRPG | - | | 8634 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 25 v | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo (Fios Formados) | J310 | 100MHz | JFET | TO-92 (TO-226) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 60mA | 10 MA | - | 16dB | - | 10 v | ||||||||||||||||
 | HRF3205 | 1.4600 | | 6230 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | - | Rohs Não Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 55 v | 100a (TC) | 10V | 8mohm @ 59a, 10V | 4V A 250µA | 170 nc @ 10 V | ± 20V | 4000 pf @ 25 V | - | 175W (TC) | |||||||||||||||
 | SI4136DY-T1-GE3 | 1.6300 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4136 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 v | 46a (TC) | 4.5V, 10V | 2mohm @ 15a, 10V | 2.2V A 250µA | 110 nc @ 10 V | ± 20V | 4560 pf @ 10 V | - | 3,5W (TA), 7,8W (TC) | |||||||||||||
 | Rjk03e3dns-00#j5 | - | | 1777 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-hwson (3.3x3.3) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 30 v | 14a (ta) | 11.6mohm @ 7a, 10v | - | 5,7 nc @ 4,5 V | 1050 pf @ 10 V | - | 10W (TC) | |||||||||||||||||
 | ALD310702ASCL | 7.4692 | | 5116 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C. | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | ALD310702 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 16-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1290 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canal p, par correspondente | 8V | - | - | 180MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||||||||||
 | AOSS32334C | 0,4300 | | 26 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Variante 3-SMD, SOT-23-3 | AOSS323 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 6.2a (ta) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 6.2a, 10V | 2.3V A 250µA | 20 NC A 10 V | ± 20V | 600 pf @ 15 V | - | 1.3W (TA) | ||||||||||||
 | DMP4047LFDE-7 | 0,5300 | | 10 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-Powerudfn | DMP4047 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | U-DFN2020-6 (TIPO E) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 40 v | 3.3a (ta) | 4.5V, 10V | 33mohm @ 4.4a, 10V | 2.2V A 250µA | 23,2 nc @ 10 V | ± 20V | 1382 pf @ 20 V | - | 700mW (TA) | ||||||||||||
| NP36P04KDG-E1-AY | 2.3800 | | 1 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-263 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P. | 40 v | 36a (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 18a, 10V | 2.5V @ 1MA | 55 nc @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 10 V | - | 1.8W (TA), 56W (TC) |
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