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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IXFB170N30P | 31.4408 |  | 6927 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™, Polar | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-264-3, TO-264AA | IXFB170 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Plus264 ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 300 v | 170A (TC) | 10V | 18mohm @ 85a, 10V | 4.5V @ 1MA | 258 nc @ 10 V | ± 20V | 20000 pf @ 25 V | - | 1250W (TC) | ||||||||||||
 | STP80NF55-08AG | 3.0300 | | 2391 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotivo, AEC-Q101, Stripfet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | STP80 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 497-17149 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 v | 80a (TC) | 10V | 8mohm @ 40a, 10V | 4V A 250µA | 112 NC @ 10 V | ± 20V | 3740 PF @ 15 V | - | 300W (TC) | |||||||||||
 | NTMFS4826NET3G | - | | 7771 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | NTMFS4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | download | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 30 v | 9.5a (ta), 66a (tc) | 4.5V, 11.5V | 5.9mohm @ 30a, 10V | 2,5V a 250µA | 20 NC a 4,5 V | ± 20V | 1850 pf @ 12 V | - | 870MW (TA), 41,7W (TC) | |||||||||||||
 | SPP80N04S2L-03 | - | | 5291 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Spp80n | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 40 v | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 80a, 10V | 2V A 250µA | 213 NC @ 10 V | ± 20V | 7930 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||
 | 64-0055pbf | - | | 5296 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001553580 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 160A (TC) | 10V | 4.2mohm @ 75a, 10V | 4V A 150µA | 120 nc @ 10 V | ± 20V | 4520 pf @ 50 V | - | 230W (TC) | |||||||||||||||
 | Ixtp88n085t | - | | 6250 | 0,00000000 | Ixys | Trenchmv ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Ixtp88 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 85 v | 88a (TC) | 10V | 11mohm @ 25a, 10V | 4V @ 100µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 3140 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | |||||||||||||
 | IXTH75N10 | 11.1500 | | 3149 | 0,00000000 | Ixys | Megamos ™ | Tubo | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Ixth75 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247 (ixth) | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | IXTH75N10-NDR | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 100 v | 75a (TC) | 10V | 20mohm @ 37.5a, 10V | 4V @ 4MA | 260 nc @ 10 V | ± 20V | 4500 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||
 | HUF76429P3 | 1.0000 | | 6078 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 60 v | 47a (TC) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 47a, 10V | 3V A 250µA | 46 nc @ 10 V | ± 16V | 1480 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||
| Jantxv2N7335 | - | | 8926 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/599 | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 14-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 2N733 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W | MO-036AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 canal P. | 100V | 750mA | 1.4OHM @ 500MA, 10V | 4V A 250µA | - | - | - | ||||||||||||||
 | STP2NK90Z | 2.0400 | | 741 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | STP2NK90 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 497-4378-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 900 v | 2.1a (TC) | 10V | 6.5Ohm @ 1.05a, 10V | 4.5V @ 50µA | 27 NC @ 10 V | ± 30V | 485 pf @ 25 V | - | 70W (TC) | |||||||||||
 | CGHV40100P | 323.5600 | | 43 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | Gan | Bandeja | Ativo | 125 v | 440206 | CGHV40100 | 0Hz ~ 4GHz | Hemt | 440206 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 8.7a | 600 mA | 116W | 11db | - | 50 v | ||||||||||||||||||
 | IRFB9N60APBF | 3.0800 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRFB9N60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRFB9N60APBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 9.2a (TC) | 10V | 750mohm @ 5.5a, 10V | 4V A 250µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||||||||||
 | FDMS1D5N03 | - | | 3938 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | FDMS1D5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pqfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 218a (TC) | 4.5V, 10V | 1.15mohm @ 40a, 10V | 2V A 250µA | 63 nc @ 4,5 V | ± 16V | 9690 pf @ 15 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||
| IRF840pbf | 1.9400 | | 21 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF840 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRF840pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 v | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V A 250µA | 63 nc @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||
 | AOY526 | - | | 2163 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 Leads de Stub, Ipak | AOY52 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-251b | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | N-canal | 30 v | 18a (ta), 50a (tc) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 20a, 10V | 2.4V a 250µA | 33 nc @ 10 V | ± 20V | 1550 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||
| CGH40120P | 322.2202 | | 7372 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | Gan | Bandeja | Ativo | 120 v | Montagem na Superfície | 440206 | CGH40120 | 2,5 GHz | Hemt | 440206 | download | 1697-CGH40120P | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | - | 1 a | 120W | 15.5dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||
 | IXFH7N80 | - | | 1875 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Ixfh7 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AD (IXFH) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | IXFH7N80-NDR | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 800 v | 7a (TC) | 10V | 1.4ohm @ 3.5a, 10V | 4.5V A 2,5mA | 130 nc @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 25 V | - | 180W (TC) | ||||||||||||
 | FQPF5N20 | - | | 7594 | 0,00000000 | Onsemi | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | FQPF5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 v | 3.5a (TC) | 10V | 1.2OHM @ 1.75A, 10V | 5V A 250µA | 7,5 nc @ 10 V | ± 30V | 270 pf @ 25 V | - | 32W (TC) | |||||||||||||
 | BLP9H10S-500AWTY | 87.4700 | | 2642 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | BLP | Tape & Reel (TR) | Ativo | 105 v | Montagem na Superfície | Omp-780-6f-1 | BLP9 | 600MHz ~ 960MHz | LDMOS | Omp-780-6f-1 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 5A991G | 8541.29.0040 | 100 | Dual | 1.4µA | 500 MA | 500W | 18.3db | - | 300 mv | |||||||||||||||
| IPT65R190CFD7XTMA1 | 1.6315 | | 7495 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ CFD7 | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Montagem na Superfície | 8-POWERSFN | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pedágio | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 650 v | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||
 | NTD78N03R-35G | 0,2000 | | 2 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Fdd4n60nz | - | | 5280 | 0,00000000 | Onsemi | Unifet-ii ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | FDD4N60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 v | 3.4a (TC) | 10V | 2.5OHM @ 1.7a, 10V | 5V A 250µA | 10,8 nc @ 10 V | ± 25V | 510 pf @ 25 V | - | 114W (TC) | ||||||||||||
 | ISC0602NLSATMA1 | 1.5700 | | 8 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | ISC0602N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 80 v | 14a (ta), 66a (tc) | 4.5V, 10V | 7.3mohm @ 20a, 10V | 2.3V @ 29µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 40 V | - | 2.5W (TA), 60W (TC) | ||||||||||||
 | PSMN1R5-25YL, 115 | - | | 9214 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-100, SOT-669 | PSMN1R5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | LFPAK56, Power-So8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 25 v | 100a (TC) | 4.5V, 10V | 1.5mohm @ 15a, 10V | 2.15V @ 1Ma | 76 nc @ 10 V | ± 20V | 4830 pf @ 12 V | - | 109W (TC) | ||||||||||||
 | DMN53D0LQ-7 | 0,3800 | | 277 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMN53 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 50 v | 500mA (TA) | 2.5V, 10V | 1.6ohm @ 500mA, 10V | 1,5V a 250µA | 0,6 nc @ 4,5 V | ± 20V | 46 pf @ 25 V | - | 370MW (TA) | ||||||||||||
 | SP000797380 | 1.0000 | | 4167 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-111 | download | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 600 v | 20.2a (TC) | 10V | 190mohm @ 9.5a, 10V | 3,5V A 630µA | 63 nc @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | |||||||||||||||||
| Ixtv22n60ps | - | | 9001 | 0,00000000 | Ixys | PolarHV ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Plus-220SMD | Ixtv22 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Plus-220SMD | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 22a (TC) | 10V | 350mohm @ 11a, 10V | 5,5V A 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 30V | 3600 pf @ 25 V | - | 400W (TC) | |||||||||||||
 | IXFA16N60P3 | 5.7673 | | 6300 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™, Polar3 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IXFA16 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263AA (IXFA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 16a (TC) | 10V | 440mohm @ 8a, 10V | 5V A 1,5mA | 36 nc @ 10 V | ± 30V | 1830 pf @ 25 V | - | 347W (TC) | ||||||||||||
 | NTHS5402T1 | - | | 1546 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | NTHS54 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Chipfet ™ | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 4.9a (ta) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 4.9a, 10V | 1V a 250µA | 20 NC A 10 V | ± 20V | - | 1.3W (TA) | |||||||||||||
 | PSMN4R4-30MLC, 115 | 0,7400 | | 6064 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 FLEDES) | PSMN4R4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | LFPAK33 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 v | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 4.65mohm @ 25a, 10V | 2.15V @ 1Ma | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1515 pf @ 15 V | - | 69W (TC) |
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