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Diodos (166326)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
VX4045CHM3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VX4045CHM3/P. 1.0247
RFQ
 ECAD 4271 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 Schottky TO-220AB download Alcançar Não Afetado 112-VX4045CHM3/P. Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 20a 560 mV @ 20 A 600 µA @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C.
MBR3045CT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR3045CT-E3/4W -
RFQ
 ECAD 3640 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 MBR30 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 15a 600 mV @ 15 A 1 ma @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C.
S5KHE3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5KHE3/57T -
RFQ
 ECAD 6274 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-214AB, SMC S5K Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,15 V @ 5 A 2,5 µs 10 µA a 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 40pf @ 4V, 1MHz
RR1VWM4STR Rohm Semiconductor Rr1vwm4str 0,3600
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos Montagem na Superfície 2-SMD, Chumbo Plano RR1VWM4 Padrão PMDE download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,2 V @ 1 A 10 µA A 400 V 175 ° C (max) 1a -
CDS754AUR-1/TR Microchip Technology Cds754aur-1/tr -
RFQ
 ECAD 8411 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo - 150-CDS754AUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1
MBR2040FCT-BP Micro Commercial Co MBR2040FCT-BP 0,5250
RFQ
 ECAD 5905 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Ativo Através do buraco Guia Isolada parágrafo 220-3 MBR2040 Schottky ITO-220AB download 353-MBR2040FCT-BP Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 40 v 20a 840 mV @ 20 A 100 µA A 40 V -55 ° C ~ 150 ° C.
CLLR1U-04 BK Central Semiconductor Corp CLLR1U-04 BK -
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 ECAD 8187 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Volume Obsoleto Montagem na Superfície Do-213ab, Mell Padrão Mell download 1514-CLLR1U-04BK Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,25 V @ 1 A 50 ns 5 µA A 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a -
R5000215XXWA Powerex Inc. R5000215xxwa -
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 ECAD 4477 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Ativo Montagem do Pino Do-205AA, DO-8, Stud R5000215 Padrão Do-205AA (DO-8) download Rohs Compatível Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 7 µs 30 mA a 200 V -65 ° C ~ 200 ° C. 150a -
CDLL3045A Microchip Technology CDLL3045A 15.3000
RFQ
 ECAD 3415 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície Do-213ab, Mell CDLL3045 1 w DO-213AB - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 mA 500 Na @ 83,6 V 110 v 450 ohms
CZ5357B BK Central Semiconductor Corp CZ5357B BK -
RFQ
 ECAD 1081 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-201aa, DO-27, axial 5 w DO-201 download Alcançar Não Afetado 1514-CZ5357BBK Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 1 A 500 Na @ 15,2 V 20 v 3 ohms
HZU30B90TRF-E Renesas HZU30B90TRF-E 0,0700
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 ECAD 96 0,00000000 Renesas * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Fornecedor indefinido 2156-HZU30B90TRF-E-1833 1
AMMSZ5246B-HF Comchip Technology AMMSZ5246B-HF 0,0725
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 ECAD 9661 0,00000000 Tecnologia Comchip Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 AMMSZ5246 500 MW SOD-123 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 641-AMMSZ5246B-HFTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 12 V 16 v 17 ohms
CPR3F-080 BK Central Semiconductor Corp CPR3F-080 BK -
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 ECAD 9011 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Fita E CAIXA (TB) Última Vez compra Cpr3f - Alcançar Não Afetado 1
CDBU0230 Comchip Technology CDBU0230 0,4400
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 ECAD 6 0,00000000 Tecnologia Comchip - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-SMD, sem chumbo CDBU0230 Schottky 0603C/SOD-523F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 4.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 500 mV @ 200 mA 30 µA a 30 V 125 ° C (Máximo) 200Ma 9pf @ 10V, 1MHz
PB3506-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division PB3506-E3/45 3.7100
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Isocink+™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, pb PB3506 Padrão ISOCINK+™ PB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 20 1,1 V @ 17,5 A 10 µA A 600 V 35 a Fase Única 600 v
1N5804US/TR Microchip Technology 1n5804us/tr 10.0500
RFQ
 ECAD 9674 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SQ-Melf, a Padrão D-5A download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-1N5804US/tr Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 875 mV @ 1 a 25 ns 1 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 25pf @ 10V, 1MHz
SR105-BP Micro Commercial Co SR105-BP 0,0591
RFQ
 ECAD 4027 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial SR105 Schottky DO-41 download 353-SR105-BP Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 500 µA A 50 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a -
1N6911UTK2CS/TR Microchip Technology 1n6911utk2cs/tr 259.3500
RFQ
 ECAD 5151 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Thinkey ™ 2 Schottky, reversa polaridada Thinkey ™ 2 - Alcançar Não Afetado 150-1N6911UTK2CS/tr Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 540 mV @ 25 A 1,2 mA a 30 V -65 ° C ~ 150 ° C. 25a 1250pf @ 5V, 1MHz
CMDSH-3G BK TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CMDSH-3G BK Tin/Lead -
RFQ
 ECAD 1617 0,00000000 Central Semiconductor Corp CMDSH-3 Volume Obsoleto Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 CMDSH-3 Schottky SOD-323 - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1514-CMDSH-3GBKTIN/LEAD Ear99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 800 mV @ 100 Ma 1 µA A 25 V -65 ° C ~ 150 ° C. 100mA 7pf @ 1V, 1MHz
CMKBR-6F TR Central Semiconductor Corp Cmkbr-6f tr -
RFQ
 ECAD 8012 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Padrão SOT-363 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 1 V @ 20 mA 10 Na @ 50 V 140 MA Fase Única 60 v
SUF30G-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SUF30G-E3/54 -
RFQ
 ECAD 3324 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco P600, axial Suf30 Padrão P600 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,8 V @ 3 A 35 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
UGF2008GH Taiwan Semiconductor Corporation UGF2008GH 0,6996
RFQ
 ECAD 1658 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada UGF2008 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-UGF2008GH Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 20a 1,7 V @ 10 A 25 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SF28GH Taiwan Semiconductor Corporation SF28GH 0,1394
RFQ
 ECAD 9284 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial SF28 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 2 A 35 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 20pf @ 4V, 1MHz
BZX84W-C27F Nexperia USA Inc. BZX84W-C27F 0,1800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Nexperia EUA Inc. BZX84W Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mV a 10 mA 50 Na @ 18,9 V 27 v 80 ohms
TS10P05GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P05GHD2G -
RFQ
 ECAD 1182 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P TS10P05 Padrão TS-6P download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 15 1,1 V @ 10 A 10 µA A 600 V 10 a Fase Única 600 v
RBQ10BM100AFH onsemi RBQ10BM100AFH -
RFQ
 ECAD 6961 0,00000000 Onsemi * Volume Ativo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 488-RBQ10BM100AFH 1
PZS515V1BAS-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PZS515V1BAS-AU_R1_000A1 0,0378
RFQ
 ECAD 2247 0,00000000 Panjit International Inc. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 PZS515 500 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.330.000 10 µA A 3 V 5.1 v
SZ1SMB5947BT3G onsemi SZ1SMB5947BT3G 0,6900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Onsemi Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SZ1SMB5947 3 w SMB - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 2.500 1,5 V @ 200 mA 1 µA A 62,2 V 82 v 160 ohms
1N7055-1/TR Microchip Technology 1N7055-1/tr 7.3650
RFQ
 ECAD 3839 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% - Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 250 MW DO-35 (DO-204AH) - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-1N7055-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 5 µA A 1,5 V 4,8 v 35 ohms
GI1404HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI1404HE3/45 -
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 ECAD 3263 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-2 GI1404 Padrão TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 975 mV @ 8 a 35 ns 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 150 ° C. 8a -
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    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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    15.000 m2

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