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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PMEG20202EJ-QF | 0,1028 | ![]() | 7688 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | PMEG2020 | Schottky | SOD-323F | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1727-PMEG2020EJ-QFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 525 mV @ 2 a | 200 µA a 20 V | 150 ° C. | 2a | 50pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||
![]() | TLZ7V5C-GS08 | 0,2500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | Tlz7v5 | 500 MW | SOD-80 MINIMELL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 mA | 3 µA A 6,93 V | 7,5 v | 8 ohms | |||||||||||
![]() | 13 PMT5916AE3/TR13 | - | ![]() | 7345 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-216AA | 1pmt5916 | 3 w | DO-216AA | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 6 ohms | ||||||||||||
![]() | TLZ5V1A-GS18 | 0,0335 | ![]() | 2792 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | Tlz5v1 | 500 MW | SOD-80 MINIMELL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 20 ohms | |||||||||||
![]() | 1N1660 | 158.8200 | ![]() | 8219 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | Padrão | DO-205AB (DO-9) | download | Alcançar Não Afetado | 150-1N1660 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,3 V @ 300 A | 75 µA a 50 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - | ||||||||||||
![]() | Jantxv1n4582aur-1/tr | 14.3551 | ![]() | 4316 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTXV1N4582AUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6,4 v | 25 ohms | |||||||||||||
![]() | 1N5811E3 | 8.5500 | ![]() | 3993 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Volume | Ativo | Através do buraco | B, axial | Padrão | B, axial | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-1N5811E3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 875 mV @ 4 a | 30 ns | 5 µA A 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 60pf @ 10V, 1MHz | ||||||||||
![]() | SF1007GHC0G | - | ![]() | 9055 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-3 | SF1007 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,7 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | BZT52B15S-TP | - | ![]() | 1374 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | BZT52B15 | 200 MW | SOD-323 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 11 V | 15 v | 30 ohms | ||||||||||||
![]() | CDLL4480/TR | 10.2410 | ![]() | 6686 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | 1,5 w | DO-213AB | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-CDLL4480/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 50 Na @ 34,4 V | 43 v | 40 ohms | ||||||||||||
![]() | GBU15005-G | 1.1023 | ![]() | 3417 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU15005 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 641-1369-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 7.5 A | 10 µA a 50 V | 15 a | Fase Única | 50 v | ||||||||||
![]() | NTE6116 | - | ![]() | 4841 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Prenda | DO-200AC, K-Puk | Padrão | DO-200AC | download | ROHS3 Compatível | 2368-NTE6116 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,41 V @ 4000 A | 75 mA A 600 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 3000A | - | ||||||||||||
![]() | BZT52B12 | 0,0412 | ![]() | 4935 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZT52B12TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1 V @ 10 Ma | 90 Na @ 8 V | 12 v | 25 ohms | |||||||||||
![]() | HZM18NB2JTL-E | 0,1800 | ![]() | 99 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-E5PH6006LHN3 | 4.0200 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | Vs-e5 | Padrão | TO-247AD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-VS-E5PH6006LHN3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 60 A | 54 ns | 25 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 60a | - | ||||||||
![]() | MMBZ5250BLT1G | 0,1400 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5250 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 15 V | 20 v | 25 ohms | |||||||||||
![]() | DMA30P1600HB | 4.9937 | ![]() | 4249 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | DMA30 | Padrão | To-247 (ixth) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 238-DMA30P1600HB | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1600 v | 1,26 V @ 30 A | 40 µA A 1600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | 11pf @ 400V, 1MHz | ||||||||||
BZX84C27-HE3-08 | 0,2400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C27 | 300 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 Na @ 18,9 V | 27 v | 80 ohms | |||||||||||||
![]() | CZRA4751-HF | 0,1550 | ![]() | 1356 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA Flat Leads | CZRA4751 | 1 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 22,8 V | 30 v | 40 ohms | |||||||||||
![]() | Au3pjhm3_a/i | 0,6765 | ![]() | 9590 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Au3 | Avalanche | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,9 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.7a | 72pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | SK110-AQ | 0,0930 | ![]() | 7631 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC, SMA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-SK110-AQTR | 8541.10.0000 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mV @ 1 a | 200 µA a 100 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||||||||||
![]() | CDS5528DUR-1/TR | - | ![]() | 3666 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-CDS5528DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||
![]() | SF10AG-A | - | ![]() | 8278 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 75pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | SB120-B | - | ![]() | 3243 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Schottky | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA A 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||||||||||
Es1glhrug | - | ![]() | 2371 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Es1g | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | GBU1508 | 0,7100 | ![]() | 8845 | 0,00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 -SIP, GBU | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 1.000 | 1 V @ 7.5 A | 5 µA A 800 V | 15 a | Fase Única | 800 v | |||||||||||||
![]() | SBE802-TL-E | 0,1900 | ![]() | 45 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | SL36A-TP | 0,4500 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SL36 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 500 mv @ 3 a | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||||||||
![]() | BZT52C33-E3-18 | 0,2700 | ![]() | 5792 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZT52 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZT52C33 | 410 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 Na @ 25 V | 33 v | 40 ohms | ||||||||||||
![]() | BZT585B24TQ-7 | 0.0806 | ![]() | 3141 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | BZT585 | 350 MW | SOD-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | BZT585B24TQ-7DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 16,8 V | 24 v | 70 ohms |
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