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Diodos (166326)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
BZT52C5V1 Yangjie Technology BZT52C5V1 0,0170
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,88% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 500 MW SOD-123 - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-BZT52C5V1TR Ear99 3.000 900 mV a 10 mA 2 µA @ 2 V 5.1 v 60 ohms
BAV170-TP Micro Commercial Co BAV170-TP 0,2000
RFQ
 ECAD 3269 0,00000000 Micro Commercial Co. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV170 Padrão SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 85 v 215mA (DC) 1,25 V @ 150 Ma 3 µs 5 Na @ 75 V 150 ° C (Máximo)
MBR15100CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR15100CT-Y 0,4375
RFQ
 ECAD 3615 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 MBR15100 Padrão TO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBR15100CT-Y Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 15a 1,05 V @ 15 A 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
EM01 Sanken Em01 -
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 ECAD 4445 0,00000000 Sanken - Volume Ativo Através do buraco Axial Padrão - download Rohs Compatível 1 (ilimito) Em01 dk Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 970 mV @ 1 a 10 µA A 400 V -40 ° C ~ 150 ° C. 1a -
UGF8HT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGF8HT-E3/45 -
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 ECAD 4754 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Volume Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada Padrão ITO-220AC download Alcançar Não Afetado 112-UGF8HT-E3/45 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 1,75 V @ 8 A 50 ns 30 µA a 500 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a -
SMBG4736A/TR13 Microsemi Corporation SMBG4736A/TR13 -
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 ECAD 7255 0,00000000 Microsemi Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície DO-215AA, Asa de Gaivota SMB SMBG4736 2 w SMBG (DO-215AA) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 mA 10 µA A 4 V 6,8 v 3,5 ohms
DB2440200L Panasonic Electronic Components DB2440200L -
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 ECAD 5897 0,00000000 Componentes eletrônicos da Panasonic - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície SOD-128 DB24402 Schottky TMinip2-f2-b - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 470 mV @ 2 a 15 ns 250 µA A 40 V 150 ° C (Máximo) 2a 50pf @ 10V, 1MHz
MBRF10150CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10150CTH 0,5650
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 ECAD 3425 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MBRF10150 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBRF10150CTH Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 10a 980 mV @ 10 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
JANTX1N3824A-1/TR Microchip Technology Jantx1n3824a-1/tr 7.7672
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 ECAD 6191 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/115 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1 w DO-41 - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-JANTX1N3824A-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 mA 5 µA @ 1 V 4.3 v 9 ohms
BAT54AH-TP Micro Commercial Co Bat54ah-tp 0,0592
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 ECAD 4770 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky SOT-23 download 353-BAT54AH-TP Ear99 8541.10.0070 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 40 v 300mA 900 mV @ 100 Ma 5 ns 1 µA a 30 V -55 ° C ~ 150 ° C.
PDZ5.6B-QF Nexperia USA Inc. PDZ5.6B-QF 0,0310
RFQ
 ECAD 7881 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 400 MW SOD-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1727-PDZ5.6B-QFTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 100 Ma 1 µA A 2,5 V 5,6 v 50 ohms
1N5819-BP Micro Commercial Co 1N5819-BP 0,0591
RFQ
 ECAD 5413 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N5819 Schottky DO-41 download 353-1N5819-bp Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 600 mV @ 1 a 10 ns 1 mA a 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a 110pf @ 4V, 1MHz
NTE6247 NTE Electronics, Inc NTE6247 10.4100
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 ECAD 72 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo Através do buraco Top 3 Padrão Top3 download ROHS3 Compatível 2368-NTE6247 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,5 V @ 15 A 60 ns 10 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 15a -
RB098BGE-40TL Rohm Semiconductor RB098BGE-40TL 1.6100
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 ECAD 2 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 RB095 Schottky TO-252GE download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 40 v 3a 770 mV @ 3 a 1,5 µA A 40 V 150 ° C.
SB4050PT_T0_00001 Panjit International Inc. SB4050PT_T0_00001 0,8478
RFQ
 ECAD 5327 0,00000000 Panjit International Inc. SB4020PT Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 SB4050 Schottky TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 3757-SB4050PT_T0_00001 Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 50 v 40A 700 mV @ 20 A 200 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
PUAD8B Taiwan Semiconductor Corporation Puad8b 0,8600
RFQ
 ECAD 1745 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão Thindpak - 1 (ilimito) 4.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 8 A 25 ns 2 µA A 100 V -55 ° C ~ 175 ° C. 8a 101pf @ 4V, 1MHz
MC5608 Microchip Technology MC5608 -
RFQ
 ECAD 1630 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-MC5608 1
MSASC150H60LS/TR Microchip Technology MSASC150H60LS/TR -
RFQ
 ECAD 7048 0,00000000 Microchip Technology * Tape & Reel (TR) Ativo - Alcançar Não Afetado 150-MSASC150H60LS/TR 100
GR3D Yangjie Technology Gr3d 0,0740
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-GR3DTR Ear99 3.000
SS54B Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd SS54b 0,4200
RFQ
 ECAD 1115 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 600 mV @ 5 A 500 µA A 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 5a -
SBR10200CTL-13 Diodes Incorporated SBR10200CTL-13 0,7000
RFQ
 ECAD 448 0,00000000 Diodos Incorporados SBR® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 SBR10200 Super Barreira TO-252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 5a 940 mV @ 5 A 100 µA A 200 V -65 ° C ~ 150 ° C.
RS2B-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS2B-E3/52T 0,4200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB Rs2b Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 750 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,3 V @ 1,5 A 150 ns 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 20pf @ 4V, 1MHz
NRVBSS24T3G onsemi NRVBSS24T3G -
RFQ
 ECAD 9955 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-214AA, SMB NRVBSS2 Schottky SMB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 500 mv @ 2 a 400 µA A 40 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
S4JH Taiwan Semiconductor Corporation S4JH 0,1868
RFQ
 ECAD 4577 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-S4JHTR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,15 V @ 4 A 1,5 µs 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 4a 60pf @ 4V, 1MHz
BZT52C2V4Q Yangjie Technology BZT52C2V4Q 0,0220
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-BZT52C2V4QTR Ear99 3.000
P2000ATL Diotec Semiconductor P2000ATL 1.0087
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 ECAD 3225 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco P600, axial Padrão P600 download ROHS3 Compatível Não Aplicável 2796-P2000ATLTR 8541.10.0000 1.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,1 V @ 20 A 1,5 µs 10 µA a 5 V -50 ° C ~ 175 ° C. 20a -
LSC10065Q8 Diodes Incorporated LSC10065Q8 -
RFQ
 ECAD 6886 0,00000000 Diodos Incorporados - Volume Obsoleto Montagem na Superfície 4-Powertsfn Sic (carboneto de Silíc) Schottky DFN8080 - 31-LSC10065Q8 Obsoleto 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 10 A 0 ns 250 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a -
RA356 Diotec Semiconductor RA356 0,3707
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 ECAD 3884 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Ra Padrão Ra download ROHS3 Compatível Não Aplicável 2796-RA356TR 8541.10.0000 10.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 80 A 1,5 µs 5 µA A 600 V -50 ° C ~ 175 ° C. 35a -
S8GC R6 Taiwan Semiconductor Corporation S8GC R6 -
RFQ
 ECAD 1407 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-S8GCR6TR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 985 mV @ 8 a 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a 48pf @ 4V, 1MHz
VX60202PW-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VX60202PW-M3/P. 5.2100
RFQ
 ECAD 429 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 Schottky TO-247AD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 112-VX60202PW-M3/P. Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 30a 840 mV @ 30 A 200 µA a 200 V -40 ° C ~ 175 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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