SIC
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Diodos (166326)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
DPG20C200PB IXYS DPG20C200PB 2.6600
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Ixys Hiperfred ™ Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 DPG20C200 Padrão To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 10a 1,27 V @ 10 A 35 ns 1 µA A 200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
40CPQ035 SMC Diode Solutions 40CPQ035 2.5100
RFQ
 ECAD 9247 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 40cpq Schottky TO-247AD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO 1655-40CPQ035 Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 35 v 20a 490 mV @ 20 A 4 ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C.
VS-8ETH06STRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETH06STRLHM3 0,9063
RFQ
 ECAD 6414 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab 8ETH06 Padrão TO-263 (D2PAK) download Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,4 V @ 8 A 22 ns 50 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 8a -
2M140ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M140ZHB0G -
RFQ
 ECAD 9548 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial 2M140 2 w DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.000 500 Na @ 106,4 V 140 v 500 ohms
MBR20200PTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR20200PTH 1.6323
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 ECAD 9061 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 MBR20200 Schottky TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBR20200PTH Ear99 8541.10.0080 900 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 20a 1,02 V @ 20 A 100 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
S22Q Yangjie Technology S22Q 0,0620
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-S22QTR Ear99 3.000
1N4679/TR Microchip Technology 1n4679/tr 3.6841
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 ECAD 1654 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204aa, do-7, axial 500 MW DO-7 (DO-204AA) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-1N4679/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 mA 5 µA @ 1 V 2 v
W1730JK240 IXYS W1730JK240 -
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 ECAD 5781 0,00000000 Ixys - CAIXA Descontinuado no sic Prenda Do-200ab, B-Puk W1730 Padrão W113 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 238-W1730JK240 Ear99 8541.10.0080 12 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 2400 v 1,2 V @ 1000 A 30 mA @ 2400 V -40 ° C ~ 160 ° C. 1730A -
PG600M_R2_00001 Panjit International Inc. PG600M_R2_00001 0,2052
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 ECAD 7386 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco P600, axial PG600 Padrão P600 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 60.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1 V @ 6 A 1 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a 150pf @ 4V, 1MHz
BZX585-C2V7,135 Nexperia USA Inc. BZX585-C2V7,135 0,0431
RFQ
 ECAD 4093 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 BZX585-C2V7 300 MW SOD-523 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 100 Ma 20 µA @ 1 V 2,7 v 100 ohms
CDLL4731C/TR Microchip Technology CDLL4731C/TR 5.4750
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 ECAD 2909 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) 1 w DO-213AB (Mell, LL41) - Alcançar Não Afetado 150-CDLL4731C/TR Ear99 8541.10.0050 173 1,2 V @ 200 mA 10 µA A 1 V 4.3 v 9 ohms
SIDC07D60F6X1SA5 Infineon Technologies SIDC07D60F6X1SA5 -
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 ECAD 2821 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto Montagem na Superfície Morrer SIDC07D60 Padrão Morrer download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,6 V @ 22,5 A 27 µA A 600 V -40 ° C ~ 175 ° C. 22.5a -
SS120FSH Taiwan Semiconductor Corporation SS120FSH 0,0948
RFQ
 ECAD 2896 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 SS120 Schottky SOD-128 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-SS120FSHTR Ear99 8541.10.0080 14.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 1 A 10 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 30pf @ 4V, 1MHz
1N1614R Solid State Inc. 1N1614R 1.9500
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - CAIXA Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-4, Stud Polaridada reversa padrão Do-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 2383-1N1614R Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,3 V @ 30 A 10 µA A 200 V -65 ° C ~ 200 ° C. 16a -
US2DFL-TP Micro Commercial Co US2DFL-TP 0,0626
RFQ
 ECAD 7840 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Ativo Montagem na Superfície DO-221AC, SMA Flat Leads US2D Padrão DO-221AC (SMA-FL) download 353-US2DFL-TP Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA A 200 V -50 ° C ~ 150 ° C. 2a 28pf @ 4V, 1MHz
BZT52H-C6V8,115 NXP Semiconductors BZT52H-C6V8,115 0,0200
RFQ
 ECAD 150 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) Montagem na Superfície SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZT52H-C6V8,115-954 1 900 mV a 10 mA 2 µA A 4 V 6,8 v 8 ohms
DSC10A065 Diodes Incorporated DSC10A065 4.7700
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 DSC10 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO220AC (TIPO WX) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 31-DSC10A065 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 650 v 1,5 V @ 10 A 250 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a 436pf @ 100mv, 1MHz
SF3001PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF3001PTHC0G -
RFQ
 ECAD 4716 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 SF3001 Padrão TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 15 A 35 ns 10 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 30a 175pf @ 4V, 1MHz
DSS6-0045AS-TUB IXYS DSS6-0045AS-TUB -
RFQ
 ECAD 9929 0,00000000 Ixys - Tubo Descontinuado no sic Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 DSS6 Schottky TO-252AA - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 238-DSS6-0045As-Tub Ear99 8541.10.0080 70 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 630 mV @ 6 a 250 µA @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C. 6a 497pf @ 5V, 1MHz
JAN1N3026CUR-1/TR Microchip Technology JAN1N3026CUR-1/TR 29.0339
RFQ
 ECAD 8172 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/115 Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) 1 w DO-213AB (Mell, LL41) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-JAN1N3026CUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 mA 10 µA A 13,7 V 18 v 20 ohms
VS-20ETF12STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETF12STRL-M3 1.6150
RFQ
 ECAD 4624 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab 20ETF12 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,31 V @ 20 A 400 ns 100 µA A 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 20a -
EGP20F-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP20F-E3/73 -
RFQ
 ECAD 7254 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial EGP20 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 1,25 V @ 2 A 50 ns 5 µA A 300 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a 45pf @ 4V, 1MHz
BZD27C20P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C20P RTG -
RFQ
 ECAD 5221 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 15 V 20 v 15 ohms
JAN1N4478CUS/TR Microchip Technology Jan1N4478CUS/tr 27.8250
RFQ
 ECAD 4221 0,00000000 Microchip Technology MIL-PRF-19500/406 Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície SQ-Melf, a 1,5 w D-5A - 150-JAN1N4478CUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1,5 V @ 1 A 50 Na @ 28,8 V 36 v 27 ohms
JANTXV1N4113UR-1 Microchip Technology Jantxv1n4113ur-1 11.2500
RFQ
 ECAD 2975 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/435 Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AA (Vidro) 1N4113 500 MW DO-213AA download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 mA 50 Na @ 14,5 V 19 v 150 ohms
DBL103GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBL103GHC1G -
RFQ
 ECAD 7714 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl103 Padrão Dbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1 A 2 µA a 200 V 1 a Fase Única 200 v
BYW35-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW35-TR 0,2871
RFQ
 ECAD 9506 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Sod-57, axial BYW35 Avalanche SOD-57 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 1,1 V @ 1 A 200 ns 5 µA A 500 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2a -
MBRB30200CTQ-TP Micro Commercial Co MBRB30200CTQ-TP 1.1200
RFQ
 ECAD 6325 0,00000000 Micro Commercial Co. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRB30200 Schottky D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1.600 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 30a 900 mV @ 15 A 10 µA A 200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
SD840S_L2_00001 Panjit International Inc. SD840S_L2_00001 0,3348
RFQ
 ECAD 9400 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 SD840 Schottky TO-252 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 81.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 8 a 200 µA a 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 8a -
S70JR GeneSiC Semiconductor S70JR 9.8985
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 ECAD 6030 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud S70J Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S70JRGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 70 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 180 ° C. 70A -
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