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Retificadores (74344)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
W1411LC320 IXYS W1411LC320 -
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 ECAD 9214 0,00000000 Ixys - CAIXA Descontinuado no sic Prenda Do-200ab, B-Puk W1411 Padrão W4 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 238-W1411LC320 Ear99 8541.10.0080 12 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 3200 v 2 V @ 2870 A 30 mA A 3200 V -55 ° C ~ 160 ° C. 1411a -
G3S12050P Global Power Technology-GPT G3S12050P 44.0600
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 ECAD 8536 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AC download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,8 V @ 150 A 0 ns 100 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 117a 7500pf @ 0V, 1MHz
SB50-09J onsemi SB50-09J 0,4600
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 ECAD 6 0,00000000 Onsemi * Volume Ativo download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1
STTH1602CGY-TR STMicroelectronics STTH1602CGY-TR 1.6100
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 ECAD 250 0,00000000 Stmicroelectronics Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab STTH1602 Padrão D²pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 8a 1,25 V @ 16 a 26 ns 6 µA A 200 V -40 ° C ~ 175 ° C.
G3S12003H Global Power Technology Co. Ltd G3S12003H -
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 ECAD 8501 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - Volume Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220F - Fornecedor indefinido 4436-G3S12003H 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 3 A 0 ns 100 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 9a 260pf @ 0V, 1MHz
MAD1107E3/TU Microsemi Corporation Mad1107e3/tu -
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 ECAD 5265 0,00000000 Microsemi Corporation - Tubo Obsoleto Através do buraco 14-DIP (0,300 ", 7,62 mm) 14-DIP - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000
RB520S40-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. RB520S40-AU_R1_000A1 0,2200
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 ECAD 37 0,00000000 Panjit International Inc. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 RB520 Schottky SOD-523 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 600 mV a 200 mA 10 ns 5 µA A 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 250mA 30pf @ 0V, 1MHz
BAT54C-BO-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54C-BO-G3-18 -
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 ECAD 2269 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky SOT-23-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 30 v 200Ma (DC) 800 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA A 25 V 125 ° C (Máximo)
JANTX1N4150UR-1 Microchip Technology Jantx1N4150ur-1 2.4300
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 ECAD 4919 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/231 Volume Ativo Montagem na Superfície DO-213AA 1N4150 Padrão DO-213AA download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 50 v 1 V @ 200 mA 4 ns 100 Na @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 200Ma -
2A01G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A01G R0G -
RFQ
 ECAD 4526 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial 2A01 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,1 V @ 2 A 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 15pf @ 4V, 1MHz
1N4148WS Diotec Semiconductor 1N4148WS 0,0179
RFQ
 ECAD 3677 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F 1N4148 Padrão SOD-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 75 v 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 1 µA A 75 V -55 ° C ~ 150 ° C. 150mA 2pf @ 0V, 1MHz
VIT1060CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT1060CHM3/4W -
RFQ
 ECAD 7849 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, TMBS® Tubo Obsoleto Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA Vit1060 Schottky TO-262AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 5a 700 mv @ 5 a 700 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
C3D12065A Wolfspeed, Inc. C3D12065A 7.4500
RFQ
 ECAD 7961 0,00000000 Wolfspeed, Inc. Z-REC® Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 C3D12065 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-220-2 download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,8 V @ 12 A 0 ns 74 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 35a 641.5pf @ 0V, 1MHz
FSQS15A045 KYOCERA AVX FSQS15A045 0,7800
RFQ
 ECAD 6737 0,00000000 Kyocera Avx - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Schottky TO-220-2-2-MOLDURA CONCLUTA download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 540 mV @ 15 A 1 ma @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C. 15a -
1F1-AP Micro Commercial Co 1F1-AP -
RFQ
 ECAD 9173 0,00000000 Micro Commercial Co. - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco R-1, axial 1f1 Padrão R-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 12pf @ 4V, 1MHz
206CNQ200 SMC Diode Solutions 206CNQ200 52.9162
RFQ
 ECAD 1394 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Volume Ativo Montagem do chassi Prm4 206CNQ Schottky Prm4 (Não Isolado) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO 206CNQ200SMC Ear99 8541.10.0080 9 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 100a 860 mV @ 100 A 10 mA a 200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
MMSD71RKT1 onsemi MMSD71RKT1 -
RFQ
 ECAD 3206 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOD-123 MMSD71 Padrão SOD-123 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 80 v 1,2 V @ 100 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C. 200Ma 2pf @ 0,5V, 1MHz
SF1003GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1003GHC0G -
RFQ
 ECAD 9747 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-220-3 SF1003 Padrão TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 975 mV @ 5 A 35 ns 10 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 70pf @ 4V, 1MHz
VF20202G-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF20202G-M3/4W 0,9031
RFQ
 ECAD 8036 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos TMBS® Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada VF20202 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 10a 920 mV @ 10 A 150 µA @ 200 V -40 ° C ~ 175 ° C.
MBR10200CD-G1 Diodes Incorporated MBR10200CD-G1 -
RFQ
 ECAD 6642 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Obsoleto Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MBR10200 Schottky TO-252-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 80 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 5a 950 mV @ 5 A 150 µA @ 200 V 150 ° C (Máximo)
DFLS130L-7 Diodes Incorporated DFLS130L-7 0,4400
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Powerdi®123 DFLS130 Schottky Powerdi ™ 123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 310 mv @ 1 a 1 mA a 30 V -40 ° C ~ 125 ° C. 1a 76pf @ 10V, 1MHz
RL105-N-2-4-AP Micro Commercial Co RL105-N-2-4-AP -
RFQ
 ECAD 6800 0,00000000 Micro Commercial Co. - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Axial RL105 Padrão A-405 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) RL105-N-2-4-APMS Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 1 A 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
SBR40150CT Diodes Incorporated SBR40150CT 2.2500
RFQ
 ECAD 1741 0,00000000 Diodos Incorporados SBR® Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SBR40150 Super Barreira To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 20a 900 mV @ 20 A 100 µA A 150 V -65 ° C ~ 175 ° C.
S07D-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division S07D-M-18 0.1016
RFQ
 ECAD 6748 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB S07 Padrão DO-219AB (SMF) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 1 A 1,8 µs 10 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 700mA 4pf @ 4V, 1MHz
V30M100M-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30M100M-E3/4W 0,5978
RFQ
 ECAD 6719 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 V30M100 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 15a 930 mV @ 15 A 1 ma @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C.
D2015L Littelfuse Inc. D2015L -
RFQ
 ECAD 3176 0,00000000 Littelfuse Inc. - Volume Obsoleto Através do buraco Guia Isolada parágrafo 220-3 D2015 Padrão Guia Isolada parágrafo 220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,6 V @ 9,5 A 4 µs -40 ° C ~ 125 ° C. 9.5a -
VSSAF3M10HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSAF3M10HM3/i 0.1304
RFQ
 ECAD 6499 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101, TMBS®, Slimsma ™ Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-221AC, SMA Flat Leads SAF3M10 Schottky DO-221AC (Slimsma) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 14.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 720 mv @ 3 a 200 µA a 100 V -40 ° C ~ 175 ° C. 3a 364pf @ 4V, 1MHz
UFT3140D Microchip Technology Uft3140d 63.7050
RFQ
 ECAD 5427 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Através do buraco TO-204AA, TO-3 Padrão TO-204AA (TO-3) - Alcançar Não Afetado 150 UPFT3140D Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 400 v 30a 1.1 V @ 15 A 50 ns 15 µA A 400 V -65 ° C ~ 175 ° C.
STPSC1206D STMicroelectronics STPSC1206D -
RFQ
 ECAD 4349 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 STPSC1206 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 497-10308-5 Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 600 v 1,7 V @ 12 A 0 ns 150 µA A 600 V -40 ° C ~ 175 ° C. 12a 750pf @ 0V, 1MHz
VS-SD200R16PC Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD200R16PC 65.9388
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 ECAD 4325 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Montagem do Pino DO-205AC, DO-30, Stud SD200 Polaridada reversa padrão DO-205AC (DO-30) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VSSD200R16PC Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1600 v 1,4 V @ 630 A -40 ° C ~ 180 ° C. 200a -
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