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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SRT110 A0G | - | ![]() | 5803 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | SRT110 | Schottky | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 800 mv @ 1 a | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||
![]() | VIT3045CHM3/4W | - | ![]() | 7747 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | Vit3045 | Schottky | TO-262AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 15a | 570 mV @ 15 A | 2 mA a 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | CDBV3-40C-G | 0,0640 | ![]() | 2173 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | CDBV3-40 | Schottky | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 40 v | 200Ma | 1 V @ 40 Ma | 5 ns | 200 Na @ 30 V | 125 ° C (Máximo) | ||||
![]() | Vs-6esh06-m3/87a | 0,2688 | ![]() | 1623 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | 6esh06 | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,8 V @ 6 A | 40 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - | ||||
![]() | Bar43s-tp | 0,0488 | ![]() | 3454 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bar43 | Schottky | SOT-23 | download | 353-BAR43S-TP | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 30 v | 200Ma | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 500 Na @ 25 V | 150 ° C. | ||||||
![]() | D1461S45TXPSA1 | 3.0000 | ![]() | 5902 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | Montagem do chassi | DO-200, Variante | D1461S45 | Padrão | BG-D10026K-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 mA a 4500 v | -40 ° C ~ 140 ° C. | 1720a | - | |||||||
![]() | CDBMH160-HF | - | ![]() | 1478 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-123T | Schottky | SOD-123T | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 200 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 120pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
![]() | BYW178-TAP | 0,5940 | ![]() | 3250 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Sod-64, axial | BYW178 | Avalanche | SOD-64 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 12.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,9 V @ 3 A | 60 ns | 1 µA A 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | ||||
![]() | FR156GP-TP | 0,0616 | ![]() | 3505 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | FR156 | Padrão | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 1,5 A | 500 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | SIDC06D120E6X1SA3 | - | ![]() | 1491 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | Morrer | SIDC06D120 | Padrão | Serra Em Papel Alumínio | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,9 V @ 5 A | 27 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||||
![]() | BYT52M-TAP | 0,7400 | ![]() | 1022 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Sod-57, axial | BYT52 | Avalanche | SOD-57 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 200 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.4a | - | ||||
![]() | CMLD6263S BK | - | ![]() | 2530 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | Schottky | SOT-563 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 2 par cátodo comum | 70 v | 15mA (DC) | 410 mV @ 1 Ma | 5 ns | 200 Na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
![]() | ES1AWG_R1_00001 | 0,0570 | ![]() | 9941 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | ES1A | Padrão | SMA (DO-214AC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 59.400 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 1 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | Rre02vsm4str | 0,4700 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 2-SMD, Chumbo Plano | Rre02 | Padrão | TUMD2SM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 200 mA | 1 µA A 400 V | 150 ° C (Máximo) | 200Ma | - | |||||
![]() | MSASC25H45K | 198.7800 | ![]() | 8222 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Thinkey ™ 2 | Schottky | Thinkey ™ 2 | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 610 mV @ 20 A | -55 ° C ~ 150 ° C. | 25a | - | |||||||
BAT54C-G3-18 | 0,0501 | ![]() | 1477 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | Schottky | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 30 v | 200Ma (DC) | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | 125 ° C (Máximo) | |||||
![]() | ES2A-LTP | 0,3700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | ES2A | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 2 a | 35 ns | 5 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | PMEG302020PASX | 0,4500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 3-AUDFN PAD EXPOSTO | PMEG3020 | Schottky | DFN2020D-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 470 mV @ 2 a | 4 ns | 2,5 mA a 30 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | 150pf @ 1V, 1MHz | ||||
![]() | D950N22TB01XPSA1 | - | ![]() | 6062 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | D950N | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Do-200aa, Apuk | Padrão | - | - | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2200 v | 1,12 V @ 650 A | 40 mA a 2200 V | 180 ° C. | 1024a | - | ||||||||
![]() | CD214B-B130LF | - | ![]() | 2817 | 0,00000000 | Bourns Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | CD214b | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | MBRM120ET1G | 0,6400 | ![]() | 4792 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-216AA | MBRM120 | Schottky | Powermite | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 530 mV @ 1 a | 10 µA a 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||
![]() | Fr204G B0G | - | ![]() | 5844 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Fr204 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 2 A | 150 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | S70KR | 9.8985 | ![]() | 9090 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | S70K | Polaridada reversa padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | S70KRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 70 A | 10 µA A 100 V | -65 ° C ~ 180 ° C. | 70A | - | |||||
![]() | S300J | 63.8625 | ![]() | 5668 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-205AB, DO-9, Stud | S300 | Padrão | DO-205AB (DO-9) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | S300JGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 300 A | 10 µA A 100 V | -60 ° C ~ 200 ° C. | 300A | - | |||||
![]() | 1N5551US | - | ![]() | 8978 | 0,00000000 | Semtech Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | SQ-Melf | 1N5551 | Padrão | - | download | Não Aplicável | 1N5551USS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 3 A | 2 µs | 1 µA A 400 V | - | 5a | 92pf @ 5V, 1MHz | |||||
![]() | Rs2jhe3/5bt | - | ![]() | 4621 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | RS2 | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1,5 A | 250 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 17pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | Srs1090hmng | - | ![]() | 9250 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SRS1090 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 90 v | 10a | 900 mV @ 5 A | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | Esh3d r6g | - | ![]() | 9686 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-NESH3DR6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | 1N4148-T50R | 0,1000 | ![]() | 82 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N4148 | Padrão | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 200Ma | 4pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | Rs3d | 0,1648 | ![]() | 9836 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Rs3d | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 150 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - |
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