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Retificadores (74344)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
VS-8DKH02-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vs-8dkh02-m3/i 0,3795
RFQ
 ECAD 7355 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Fred Pt® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície 8-PowerTdfn 8dkh02 Padrão Flatpak 5x6 (Duplo) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 6.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 200 v 4a 960 mV @ 4 a 25 ns 2 µA a 200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
1N5402G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5402G A0G -
RFQ
 ECAD 4792 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-201D, axial 1N5402 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 3 A 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 25pf @ 4V, 1MHz
JAN1N457 Microchip Technology Jan1n457 -
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 ECAD 5618 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/193 Volume Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N457 Padrão DO-35 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 70 v 1 V @ 100 Ma 25 Na @ 70 V -65 ° C ~ 150 ° C. 150mA -
STPSC20H065CTY STMicroelectronics STPSC20H065CTY 7.3700
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 ECAD 296 0,00000000 Stmicroelectronics Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 STPSC20 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 650 v 10a 1,75 V @ 10 A 100 µA A 650 V -40 ° C ~ 175 ° C.
CS3J-E3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Cs3j-e3/i 0,3600
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 ECAD 10 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem NA Superfície DO-214AB, SMC CS3 Padrão DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,15 V @ 3 A 2,8 µs 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 26pf @ 4V, 1MHz
RBQ3RSM10BTL1 Rohm Semiconductor RBQ3RSM10BTL1 0,9000
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 ECAD 3 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície TO-277, 3-POWERDFN Schottky TO-277A download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 4.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 700 mv @ 3 a 80 µA A 100 V 150 ° C. 3a -
BYV29-600PQ WeEn Semiconductors BYV29-600PQ 0,2970
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 ECAD 3958 0,00000000 Semicondutores de Ween - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 BYV29 Padrão TO-220AB download Rohs Compatível 1 (ilimito) 934072012127 Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,3 V @ 8 A 75 ns 10 µA A 600 V 175 ° C (max) 9a -
SF48G-TP Micro Commercial Co SF48G-TP -
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 ECAD 3836 0,00000000 Micro Commercial Co. - Tape & Reel (TR) Última Vez compra Através do buraco Do-201D, axial SF48 Padrão Do-201d - 353-SF48G-TPTR Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,75 V @ 4 a 35 ns 5 µA A 600 V -65 ° C ~ 150 ° C. 4a 30pf @ 4V, 1MHz
V20PL50-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20PL50-M3/87A 0,4823
RFQ
 ECAD 4805 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície TO-277, 3-POWERDFN V20pl50 Schottky TO-277A (SMPC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 6.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 590 mV @ 20 A 3 ma @ 50 V -40 ° C ~ 150 ° C. 5.5a -
1N1346R Microchip Technology 1n1346r 38.3850
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 ECAD 6005 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-4, Stud Padrão DO-4 (DO-203AA) download Alcançar Não Afetado 150-1N1346R Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 30 A 10 µA A 400 V -65 ° C ~ 200 ° C. 16a -
F20 Semtech Corporation F20 -
RFQ
 ECAD 8500 0,00000000 Semtech Corporation - Volume Descontinuado no sic Através do buraco Axial Padrão Axial download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2000 v 5 V @ 100 Ma 250 ns 250 Na @ 1500 V -65 ° C ~ 175 ° C. 350mA 2.5pf @ 5V, 1MHz
SSL14 R3G Taiwan Semiconductor Corporation SSL14 R3G -
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 ECAD 1796 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem NA Superfície DO-214AC, SMA SSL14 Schottky DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 390 mV @ 1 a 200 µA a 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a -
VS-MBRB2535CT-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB2535CT-M3 0,8798
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 ECAD 3060 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRB2535 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 35 v 15a 820 mV @ 30 A 200 µA A 35 V -65 ° C ~ 150 ° C.
STTH1512W STMicroelectronics STTH1512W 3.5200
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 ECAD 1953 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Ativo Através do buraco Do-247-2 (leads retos) STTH1512 Padrão Do-247 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 497-5152-5 Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 2,1 V @ 15 A 105 ns 15 µA A 1200 V 175 ° C (max) 15a -
FR30BR02 GeneSiC Semiconductor FR30BR02 10.5930
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 ECAD 4814 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR30BR02GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA a 50 V -40 ° C ~ 125 ° C. 30a -
MBRF3045CTP SMC Diode Solutions MBRF3045CTP 0,8800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MBRF3045 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v - 700 mV @ 15 a 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SRAF1690 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1690 C0G -
RFQ
 ECAD 6685 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 SRAF1690 Schottky ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 90 v 920 mV @ 16 a 100 µA A 90 V -55 ° C ~ 150 ° C. 16a -
EGP10D-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10D-E3/53 -
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 ECAD 2766 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial EGP10 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 950 mV @ 1 a 50 ns 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 22pf @ 4V, 1MHz
V10PWM153HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10pwm153hm3/i 0,3675
RFQ
 ECAD 1313 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Schottky Slimdpak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 112-V10PWM153HM3/ITR Ear99 8541.10.0080 4.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 840 mV @ 10 A 100 µA A 150 V -40 ° C ~ 175 ° C. 10a 650pf @ 4V, 1MHz
VS-2EFU06-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2EFU06-M3/i 1.6700
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Fred Pt® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície DO-219AB 2EFU06 Padrão DO-219AB (SMF) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,35 V @ 2 A 55 ns 3 µA A 600 V -55 ° C ~ 100 ° C. 2a -
HFA08TB60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA08TB60S -
RFQ
 ECAD 4605 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Hexfred® Tubo Obsoleto Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab HFA08 Padrão TO-263AB (D²PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 8 a 55 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a -
RGL1D Diotec Semiconductor RGL1D 0,0691
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície DO-213AA Padrão DO-213AA, Mini-Melf download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 2796-RGL1DTR 8541.10.0000 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µA A 200 V -50 ° C ~ 175 ° C. 1a -
SR110H Taiwan Semiconductor Corporation SR110H 0,0816
RFQ
 ECAD 5261 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial SR110 Schottky DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mV @ 1 a 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
1N6492U4 Microchip Technology 1N6492U4 178.9500
RFQ
 ECAD 9891 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem NA Superfície 3-SMD, sem chumbo Schottky U4 - Alcançar Não Afetado 150-1N6492U4 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 560 mV @ 2 a 2 mA a 45 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3.6a 450pf @ 5V, 1MHz
VS-8EWF12SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWF12SLHM3 1.7000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 8ewf12 Padrão D-Pak (TO-252AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,3 V @ 8 A 270 ns 100 µA A 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 8a -
B0520WS Yangjie Technology B0520WS 0,0230
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 ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-B0520WSTR Ear99 3.000
JANTX1N3168 Microchip Technology Jantx1N3168 -
RFQ
 ECAD 6892 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/211 Volume Ativo Montagem do Pino DO-205AB, DO-9, Stud Padrão DO-205AB (DO-9) - Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,55 V @ 940 A 10 mA a 400 V -65 ° C ~ 200 ° C. 300A -
ES1BLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation Es1blhmhg -
RFQ
 ECAD 3187 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície DO-219AB ES1B Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 950 mV @ 1 a 35 ns 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
ER5B-TP Micro Commercial Co Er5b-tp 0,1972
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 ECAD 5284 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Ativo Montagem NA Superfície DO-214AB, SMC Er5b Padrão SMC (DO-214AB) download 353-er5b-tp Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 5 A 35 ns 10 µA A 100 V -50 ° C ~ 150 ° C. 5a 100pf @ 4V, 1MHz
JANTXV1N5415US Microchip Technology Jantxv1n5415us -
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 ECAD 1762 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/411 Volume Descontinuado no sic Montagem NA Superfície SQ-Melf, e Padrão D-5b download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,5 V @ 9 A 150 ns 1 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a -
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