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Retificadores (74344)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
SF14G R1G Taiwan Semiconductor Corporation SF14G R1G -
RFQ
 ECAD 7650 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial SF14 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 950 mV @ 1 a 35 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4V, 1MHz
150L40A Vishay General Semiconductor - Diodes Division 150L40A -
RFQ
 ECAD 7938 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Obsoleto Montagem do Pino DO-205AC, DO-30, Stud 150L40 Padrão DO-205AC (DO-30) - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,33 V @ 471 A 35 mA A 400 V -40 ° C ~ 200 ° C. 150a -
SR315HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR315HB0G -
RFQ
 ECAD 8922 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Através do buraco Do-201D, axial SR315 Schottky Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 850 mv @ 3 a 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
DSC10C065 Diodes Incorporated DSC10C065 4.1000
RFQ
 ECAD 4396 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO220AC (TIPO WX) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 31-DSC10C065 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 650 v 1,7 V @ 10 A 230 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a 355pf @ 100mv, 1MHz
ES2J Good-Ark Semiconductor ES2J 0,3900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor de Boa Coisa - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície DO-214AA, SMB Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 2 A 35 ns 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 20pf @ 4V, 1MHz
1SS360(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS360 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 2413 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem NA Superfície SC-75, SOT-416 1ss360 Padrão SSM download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par ânodo comum 80 v 100mA 1,2 V @ 100 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V 125 ° C (Máximo)
PMEG3015EV,115 Nexperia USA Inc. PMEG3015EV, 115 0,4100
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 ECAD 8600 0,00000000 Nexperia EUA Inc. - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos Montagem NA Superfície SOT-563, SOT-666 PMEG3015 Schottky SOT-666 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 4.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 550 mV @ 1,5 A 1 mA a 30 V 150 ° C (Máximo) 1.5a 72pf @ 1V, 1MHz
US1J_R1_00001 Panjit International Inc. US1J_R1_00001 0,3400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície DO-214AC, SMA US1J Padrão SMA (DO-214AC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 3757-US1J_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 1 A 100 ns 1 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 17pf @ 4V, 1MHz
DSI30-12AS-TUB IXYS DSI30-12AS-TUB 2.9700
RFQ
 ECAD 2561 0,00000000 Ixys - Tubo Ativo Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab DSI30 Padrão TO-263AA download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado DSI30-12AS-ND Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,29 V @ 30 A 40 µA A 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C. 30a 10pf @ 400V, 1MHz
TSSD10L100SW Taiwan Semiconductor Corporation TSSD10L100SW 0,8453
RFQ
 ECAD 2905 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSSD10 Schottky TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSSD10L100SWTR Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 800 mv @ 10 a 50 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 540pf @ 4V, 1MHz
MUR1560H-BP Micro Commercial Co MUR1560H-BP 0,4460
RFQ
 ECAD 9881 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Ativo Através do buraco To-220-2 MUR1560 Padrão TO-220AC download 353-MUR1560H-BP Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,65 V @ 15 A 35 ns 3 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 15a -
6A100GH Taiwan Semiconductor Corporation 6A100GH 0,2682
RFQ
 ECAD 3697 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco R-6, axial 6A100 Padrão R-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1 V @ 6 A 10 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a 60pf @ 4V, 1MHz
CUS10F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10F40, H3F 0,3300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície SC-76, SOD-323 CUS10F40 Schottky USC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 670 mV @ 1 a 20 µA A 40 V 150 ° C (Máximo) 1a 74pf @ 0V, 1MHz
SRP600B-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SRP600B-E3/54 -
RFQ
 ECAD 2106 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco P600, axial SRP600 Padrão P600 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,3 V @ 6 A 100 ns 10 µA A 100 V -50 ° C ~ 125 ° C. 6a -
MC5616 Microsemi Corporation MC5616 -
RFQ
 ECAD 9683 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Ativo Através do buraco S, axial MC5616 Padrão S, axial download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 3000 v 6 V @ 100 Ma 300 ns 1 µA A 3000 V -65 ° C ~ 150 ° C. 570mA -
1N6628US Microchip Technology 1N6628US 18.9000
RFQ
 ECAD 4870 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem NA Superfície SQ-Melf, a 1N6628 Padrão A-Melf download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 660 v 1,35 V @ 2 A 30 ns 2 µA A 660 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1.75a 40pf @ 10V, 1MHz
RFN20NS3SFHTL Rohm Semiconductor Rfn20ns3sfhtl 1.4400
RFQ
 ECAD 494 0,00000000 Rohm Semiconducor Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab RFN20 Padrão LPDS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 350 v 1,35 V @ 20 A 35 ns 10 µA A 350 V 150 ° C (Máximo) 20a 412pf @ 0V, 1MHz
SE15PD-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE15PD-M3/84A 0,3600
RFQ
 ECAD 4207 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície DO-220AA SE15 Padrão DO-220AA (SMP) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,05 V @ 1,5 A 900 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1.5a 9.5pf @ 4V, 1MHz
CDST-21-HF Comchip Technology CDST-21-HF -
RFQ
 ECAD 3327 0,00000000 Tecnologia Comchip - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Padrão SOT-23-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 641-CDST-21-HFTR Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 250 v 1,25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 200 V 150 ° C. 200Ma 5pf @ 0V, 1MHz
1N411B Microchip Technology 1n411b 2.4450
RFQ
 ECAD 8654 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do Pino Do-205AA, DO-8, Stud Padrão Do-205AA (DO-8) download Alcançar Não Afetado 150-1N411B Ear99 8541.10.0050 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,2 V @ 200 A 50 µA a 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 100a -
LSIC2SD065D06A Littelfuse Inc. LSIC2SD065D06A 3.7500
RFQ
 ECAD 723 0,00000000 Littelfuse Inc. Automotivo, AEC-Q101, Gen2 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-263 (D²PAK) download ROHS3 Compatível Não Aplicável Ear99 8541.10.0080 800 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,8 V @ 6 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 18.5a 300pf @ 1V, 1MHz
S30740 Microchip Technology S30740 39.0750
RFQ
 ECAD 7256 0,00000000 Microchip Technology S307 Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AB, DO-5, Stud S30740 Padrão DO-203AB (DO-5) download Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 200 A 25 µA A 400 V -65 ° C ~ 200 ° C. 85a -
SD101AWQ Yangjie Technology SD101AWQ 0,0200
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-SD101AWQTR Ear99 3.000
MBRF1090H Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1090H -
RFQ
 ECAD 8425 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 MBRF1090 Schottky ITO-220AC - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-MBRF1090H Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 90 v 850 mV @ 10 A 100 µA A 90 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
1N1343A Microchip Technology 1N1343A 45.3600
RFQ
 ECAD 5790 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-4, Stud 1N1343 Padrão DO-4 (DO-203AA) download Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 150 v 1,3 V @ 30 A 10 µA A 150 V -65 ° C ~ 200 ° C. 16a -
PMEG4020EPA,115 Nexperia USA Inc. PMEG4020EPA, 115 0,5000
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície 3-Powerudfn PMEG4020 Schottky 3-Huson (2x2) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 535 mV @ 2 a 85 ns 100 µA A 40 V 150 ° C (Máximo) 2a 270pf @ 1V, 1MHz
SR010 R1G Taiwan Semiconductor Corporation SR010 R1G -
RFQ
 ECAD 9225 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial SR010 Schottky DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mV a 500 mA 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 500mA 65pf @ 4V, 1MHz
20ETS08S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20ets08s -
RFQ
 ECAD 8906 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab 20ets08 Padrão TO-263AB (D²PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 20 A 100 µA A 800 V -40 ° C ~ 150 ° C. 20a -
CMOSH-3 BK PBFREE Central Semiconductor Corp Cmosh-3 bk pbfree 0.1134
RFQ
 ECAD 4814 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Volume Ativo Montagem NA Superfície SC-79, SOD-523 Cmosh-3 Schottky SOD-523 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 5.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 1 V @ 100 Ma 5 ns 500 Na @ 25 V -65 ° C ~ 150 ° C. 100mA 7pf @ 1V, 1MHz
VS-88CNQ060APBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-88CNQ060APBF -
RFQ
 ECAD 6457 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Obsoleto Montagem do chassi D-61-8 88CNQ060 Schottky D-61-8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 200 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 40A 580 mV @ 40 A 640 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
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