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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STTH30R06PI | 4.4800 | ![]() | 2385 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | DOP3I-2 ISOLADO (Leads Retos) | STTH30 | Padrão | Dop3i | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 497-4632-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,85 V @ 30 A | 70 ns | 25 µA A 600 V | 175 ° C (max) | 30a | - | |||
![]() | PMEG4005EJ-QF | 0,0755 | ![]() | 5062 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | Schottky | SOD-323F | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1727-PMEG4005EJ-QFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 470 mV @ 500 mA | 100 µA A 40 V | 150 ° C. | 500mA | 43pf @ 1V, 1MHz | ||||||
![]() | 286-891 | 49.8000 | ![]() | 9986 | 0,00000000 | Wago Corporation | - | CAIXA | Ativo | SOQUETE | Módlo | 286-8 | Padrão | - | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 4000 v | 6.3a | -25 ° C ~ 40 ° C. | ||||||||
RS1BL M2G | - | ![]() | 5396 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Rs1b | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800mA | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | TSF30L150C | 2.3100 | ![]() | 681 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSF30 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 15a | 920 mV @ 15 a | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | MBR10200CS2TR-G1 | - | ![]() | 4284 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBR10200 | Schottky | TO-263-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 5a | 950 mV @ 5 A | 150 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
SJPA-H3V | - | ![]() | 9623 | 0,00000000 | Sanken | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 2-SMD, J-Lead | SJPA-H3 | Schottky | Sjp | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | SJPA-H3V DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 360 mV @ 2 a | 3 mA a 30 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - | ||||||
![]() | E1f | 0,0230 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-E1FTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | Jan1n5812 | 122.6100 | ![]() | 3173 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/478 | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-203aa (DO-4) | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 20 A | 35 ns | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 20a | 300pf @ 10V, 1MHz | ||||||
![]() | GI851/MR851 | 0,3000 | ![]() | 761 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | Rohs Não Compatível | 2368-GI851/MR851 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,25 V @ 3 A | 200 ns | 10 µA A 100 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | SMBT1553LT1 | 0,0600 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | CR3-010GPP BK | - | ![]() | 7653 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | CAIXA | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | 1 (ilimito) | CR3-010GPPBK | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,2 V @ 3 A | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | STPS20170CR | - | ![]() | 7611 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | STPS20170 | Schottky | I2pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 497-4822-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 170 v | 10a | 900 mV @ 10 A | 15 µA A 170 V | 175 ° C (max) | ||||
![]() | RGL41MHE3/97 | - | ![]() | 5478 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | RGL41 | Padrão | DO-213AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | IRD3CH82DD6 | - | ![]() | 3199 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | IRD3CH82 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | 1PS75SB45.135 | - | ![]() | 9466 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SC-75, SOT-416 | 1ps75 | Schottky | SC-75 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 40 v | 120mA (DC) | 1 V @ 40 Ma | 10 µA A 40 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
![]() | Vs-vskc320-12pbf | 201.1700 | ![]() | 8939 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Int-a-pak | Vskc320 | Padrão | Int-a-pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vsvskc32012pbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1200 v | 40A | 50 mA A 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | MSASC25H15KS | - | ![]() | 9358 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | 0000.00.0000 | 100 | |||||||||||||||||||
![]() | R6010625XXYA | - | ![]() | 2723 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | R6010625 | Polaridada reversa padrão | DO-205AB (DO-9) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 11 µs | 50 mA a 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 250a | - | |||||||
![]() | SF2L4GH | 0.1044 | ![]() | 7733 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | SF2L4 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 2 a | 35 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 40pf @ 4V, 1MHz | ||||
BY500-600-E3/54 | - | ![]() | 1696 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | By500 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,35 V @ 5 A | 200 ns | 10 µA A 600 V | 125 ° C (Máximo) | 5a | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | SS210AQ | 0,0590 | ![]() | 750 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-SS210AQTR | Ear99 | 7.500 | ||||||||||||||||||
![]() | Murta300120 | 159.9075 | ![]() | 2294 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Padrão | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 150a | 2,6 V @ 150 A | 25 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
![]() | VS-8EWL06FNTRR-M3 | 0,4981 | ![]() | 7489 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 8ewl06 | Padrão | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs8ewl06fntrrm3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,4 V @ 8 A | 25 ns | 50 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | |||
![]() | SF12GHR1G | - | ![]() | 7070 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SF12 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | C5D25170H | - | ![]() | 3366 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | Z-REC® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-2 | C5D25170 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-2 | download | Não Aplicável | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1700 v | 1,8 V @ 25 A | 0 ns | 200 µA A 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 70A | 1950pf @ 0V, 1MHz | ||||||
![]() | Egf1bhe3_a/i | - | ![]() | 8518 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214BA | EGF1 | Padrão | DO-214BA (GF1) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 1 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | GP10AHM3/73 | - | ![]() | 7923 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | VS-TH380BL16P-S2 | - | ![]() | 9610 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Vs-Th380 | - | ROHS3 Compatível | 112-VS-TH380BL16P-S2 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | SS102 | 0,1210 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-SS102tr | Ear99 | 3.000 |
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