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Retificadores (74344)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
MBR20150FCTE3/TU Microchip Technology MBR20150FCTE3/TU 1.1700
RFQ
 ECAD 6066 0,00000000 Microchip Technology * Tubo Ativo MBR20150 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.000
2CL73A Diotec Semiconductor 2cl73a 0,1545
RFQ
 ECAD 246 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Axial Padrão Axial download ROHS3 Compatível Não Aplicável 2796-2cl73atr 8541.10.0000 6.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 12000 v 45 V @ 10 Ma 80 ns 2 µA A 12000 V -40 ° C ~ 120 ° C. 5mA -
USC1106 Semtech Corporation USC1106 -
RFQ
 ECAD 6265 0,00000000 Semtech Corporation - Volume Descontinuado no sic Através do buraco Axial Padrão Axial download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,25 V @ 1 A 50 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2.1a 25pf @ 5V, 1MHz
GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor GD30MPS12H 10.4700
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 ECAD 980 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Tubo Ativo Através do buraco To-247-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247-2 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1242-GD30MPS12H Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,8 V @ 30 A 20 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 55a 1101pf @ 1V, 1MHz
VT3045C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT3045C-M3/4W 2.1400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 VT3045 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 15a 570 mV @ 15 A 2 mA a 45 V -40 ° C ~ 150 ° C.
SR515HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR515HA0G -
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 ECAD 6355 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-201D, axial SR515 Schottky Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 1,05 V @ 5 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a -
1N4508 Microchip Technology 1N4508 42.4950
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 ECAD 7046 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-4, Stud 1N4508 Padrão DO-4 (DO-203AA) download Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,2 V @ 30 A 10 µA A 600 V -65 ° C ~ 200 ° C. 22a -
S1FLK-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1FLK-M-08 0,3600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB S1f Padrão DO-219AB (SMF) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 1 A 1,8 µs 10 µA a 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 700mA 4pf @ 4V, 1MHz
1N457A/TR Microchip Technology 1n457a/tr 3.9600
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 ECAD 9155 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial Polaridada reversa padrão DO-35 (DO-204AH) download Alcançar Não Afetado 150-1N457a/tr Ear99 8541.10.0070 239 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 70 v 1 V @ 100 Ma 1 µA A 70 V -65 ° C ~ 150 ° C. 150mA -
GSXF060A120S1-D3 SemiQ GSXF060A120S1-D3 34.6525
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 ECAD 4886 0,00000000 Semiq - Tubo Ativo Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc GSXF060 Padrão SOT-227 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 13 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 1200 v 60a 2,35 V @ 60 A 90 ns 25 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
MBRD1045T4G onsemi MBRD1045T4G 0,9300
RFQ
 ECAD 9389 0,00000000 Onsemi SwitchMode ™ Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MBRD1045 Schottky DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 840 mV @ 20 A 100 µA A 45 V -65 ° C ~ 175 ° C. 10a -
SDM20U30LPQ-7 Diodes Incorporated SDM20U30LPQ-7 0,4000
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 ECAD 4 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 0402 (1006 Mética) SDM20 Schottky X1-DFN1006-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 575 mV @ 200 mA 3 ns 150 µA A 30 V -65 ° C ~ 125 ° C. 200Ma 20pf @ 0V, 1MHz
UF4003HR0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4003HR0G -
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 ECAD 4249 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Através do buraco Do-204al, DO-41, axial UF4003 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 17pf @ 4V, 1MHz
SHVM10 Semtech Corporation Shvm10 -
RFQ
 ECAD 5432 0,00000000 Semtech Corporation - Volume Descontinuado no sic Chassi, montagem em pântano Módlo Shvm Padrão - download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 10000 v 28 V @ 800 mA 2 µs 1 µA A 10000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 500mA -
66SPB200A SMC Diode Solutions 66SPB200A 7.9226
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 ECAD 9185 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Volume Ativo Montagem na Superfície SPD-2A 66spb Schottky SPD-2A download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO 66SPB200ASMC Ear99 8541.10.0080 300 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 950 mV @ 60 A 1,1 mA a 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 60a 900pf @ 5V, 1MHz
1N5619 TR Central Semiconductor Corp 1N5619 Tr -
RFQ
 ECAD 9571 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Fita E CAIXA (TB) Última Vez compra Através do buraco R-1, axial 1N5619 Padrão GPR-1A - Alcançar Não Afetado 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,2 V @ 1 A 250 ns 500 Na @ 600 V -65 ° C ~ 200 ° C. 1a 27pf @ 5V, 1MHz
FR1BAFC_R1_00001 Panjit International Inc. FR1BAFC_R1_00001 0,0465
RFQ
 ECAD 6183 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-221AC, SMA Flat Leads FR1B Padrão SMAF-C download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 120.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 1 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
SD101B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101B-TAP 0,0446
RFQ
 ECAD 6641 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial SD101 Schottky DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 50.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 15 mA 200 Na @ 40 V 125 ° C (Máximo) 30Ma 2.1pf @ 0V, 1MHz
NTE6206 NTE Electronics, Inc NTE6206 21.6900
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo Através do buraco TO-204AA, TO-3 Padrão TO-3 download Rohs Não Compatível 2368-NTE6206 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 15a 1,4 V @ 15 A 200 ns 5 mA a 200 V -65 ° C ~ 150 ° C.
S4260IL Microchip Technology S4260IL 102.2400
RFQ
 ECAD 2712 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do Pino Do-205AA, DO-8, Stud Padrão Do-205AA (DO-8) - Alcançar Não Afetado 150-S4260IL Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,2 V @ 200 A 50 µA A 600 V -65 ° C ~ 200 ° C. 125a -
MBR8100DC_R2_00001 Panjit International Inc. MBR8100DC_R2_00001 0,9600
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBR8100 Schottky To-263 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 3757-MBR8100DC_R2_00001DKR Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 8a 800 mv @ 4 a 50 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C.
PMEG1020EH,115 Nexperia USA Inc. PMEG1020EH, 115 0,4600
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123F PMEG1020 Schottky SOD-123F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 10 v 460 mV @ 2 a 3 mA a 10 V 150 ° C (Máximo) 2a 50pf @ 5V, 1MHz
MBR560MFST3G onsemi MBR560MFST3G -
RFQ
 ECAD 4372 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície 8-powertdfn, 5 leads MBR560 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SOFL) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 780 mV @ 5 A 150 µA A 60 V -55 ° C ~ 175 ° C. 5a -
MBRB1090-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1090-M3/8W 0,7447
RFQ
 ECAD 1059 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRB1090 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 90 v 800 mv @ 10 a 100 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 10a -
1N1128R Microchip Technology 1n1128r 38.3850
RFQ
 ECAD 5302 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-4, Stud Polaridada reversa padrão DO-4 (DO-203AA) download Alcançar Não Afetado 150-1N1128r Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,2 V @ 30 A 10 µA A 600 V -65 ° C ~ 200 ° C. 12a -
1N1125R Solid State Inc. 1N1125R 1.9500
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - CAIXA Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-4, Stud Polaridada reversa padrão Do-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 2383-1N1125R Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 300 v 1,2 V @ 30 A 10 µA A 300 V -65 ° C ~ 200 ° C. 12a -
VB30120S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB30120S-M3/4W 0,8938
RFQ
 ECAD 8978 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab VB30120 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 120 v 1,1 V @ 30 A 500 µA A 120 V -40 ° C ~ 150 ° C. 30a -
S1K-13-G Diodes Incorporated S1K-13-G -
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 ECAD 1837 0,00000000 Diodos Incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado S1K-13-GDI Ear99 8541.10.0080 5.000
MBR2545CT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR2545CT-E3/4W -
RFQ
 ECAD 6477 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 MBR2545 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 15a 820 mV @ 30 A 200 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C.
R6221440HSOO Powerex Inc. R6221440HSOO -
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 ECAD 7655 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Ativo Prenda Do-200aa, a-puk R6221440 Padrão DO-200AA, R62 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1400 v 2 V @ 800 A 1 µs 50 mA A 1400 V 400A -
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