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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5400T/R. | 0,0900 | ![]() | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5400T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 3 a | 5 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | 1N5395T/R. | 0,0400 | ![]() | 35 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5395T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1,5 A | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | RBQ15BGE45ATL | 1.8200 | ![]() | 562 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | RBQ15 | Schottky | TO-252GE | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 15a | 590 mV @ 7.5 A | 140 µA @ 45 V | 150 ° C. | |||||
![]() | RFC02MM2STR | 0,4700 | ![]() | 4691 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | RFC02 | Padrão | PMDU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 200 v | 750 mV @ 100 Ma | 35 ns | 1 µA A 200 V | 150 ° C. | 200Ma | - | ||||
![]() | Rfv8bge6stl | 1.5800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Rfv8bge6 | Padrão | TO-252GE | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,8 V @ 8 A | 45 ns | 10 µA A 600 V | 150 ° C. | 8a | - | ||||
![]() | PMEG3005EJ, 115 | 0,0500 | ![]() | 430 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PMEG3005 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | MBRB41H100CT-1G | 1.0800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 279 | ||||||||||||||||||||
![]() | DD750S65K3NOSA2 | - | ![]() | 2350 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Volume | Ativo | - | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | Bas116h | 1.0000 | ![]() | 6473 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | * | Volume | Ativo | download | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | BAT54CM315 | 1.0000 | ![]() | 4472 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BAT54 | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | STTH1002CSFY | 0,9200 | ![]() | 925 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, Ecopack®2 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | STTH1002 | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 497-STTH1002CSFYTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 5a | 1,05 V @ 5 A | 35 ns | 4 µA A 200 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | STTH602CSFY | 0,8900 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, Ecopack®2 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | STTH602 | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 3a | 1,06 V @ 3 A | 31 ns | 4 µA A 200 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | PMEG4005EGW, 118 | - | ![]() | 5559 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | US2JA | 0,0900 | ![]() | 9771 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.346 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 1,5 A | 75 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
![]() | BYC5X-600,127 | - | ![]() | 2191 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Padrão | TO-220F | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 2,9 V @ 5 A | 50 ns | 100 µA A 600 V | 150 ° C (Máximo) | 5a | - | ||||||||
![]() | BYC58X-600,127 | 0,6300 | ![]() | 910 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BYC58 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | |||||||||||||||||
![]() | PMBD354.215 | 0,0800 | ![]() | 37 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PMBD3 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | MMBD2838 | - | ![]() | 6233 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Padrão | SOT-23-3 | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 75 v | 200Ma | 1,2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 Na @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | 1S953-T4 | 0,1000 | ![]() | 40 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | 1S95 | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | PMEG3020EGW, 118 | - | ![]() | 6617 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | * | Volume | Ativo | download | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | RBR40NS60ATL | 2.0200 | ![]() | 970 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | RBR40 | Schottky | LPDS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 20a | 600 mV @ 20 A | 800 µA A 60 V | 150 ° C. | |||||
![]() | Rbs2lam40btr | 0,1360 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | Rbs2lam40 | Schottky | Pmdt | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-RBS2LAM40BCT | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 410 mv @ 2 a | 500 µA A 20 V | 125 ° C. | 2a | - | ||||
![]() | Rbs5lam40atr | 0,4700 | ![]() | 610 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | Rbs5lam40 | Schottky | Pmdt | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 490 mV @ 5 A | 800 µA A 20 V | 125 ° C. | 5a | - | |||||
![]() | RBR20BM40ATL | 1.6400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | RBR20 | Schottky | TO-252 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 10a | 550 mV @ 10 A | 360 µA A 40 V | 150 ° C. | |||||
![]() | Rfv5bm6stl | 0,9900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | RFV5BM6 | Padrão | TO-252 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,8 V @ 5 A | 40 ns | 10 µA A 600 V | 150 ° C. | 5a | - | ||||
![]() | BAS16L-HG3-08 | 0,3400 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 0402 (1006 Mética) | Bas16 | Padrão | DFN1006-2A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 250mA | 0,36pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | PMEG6020ETP, 115 | 0,1000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | PMEG6020 | Schottky | SOD-128/CFP5 | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 530 mv @ 2 a | 8.6 ns | 150 µA A 60 V | 175 ° C (max) | 2a | 240pf @ 1V, 1MHz | |||||||
![]() | VS-E5PH3006L-N3 | 2.8200 | ![]() | 401 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | E5PH3006 | Padrão | TO-247AD | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-VS-E5PH3006L-N3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,6 V @ 30 A | 46 ns | 20 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - | ||||
![]() | 1n4005bulk | 0,1300 | ![]() | 7 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-1N4005BULK | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | Rgf1khe3_b/i | - | ![]() | 8030 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214BA | RGF1K | Padrão | DO-214BA (GF1) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-RGF1KHE3_B/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA A 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8.5pf @ 4V, 1MHz |
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