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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NSR05201MX4T5G | 0,0709 | ![]() | 8225 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | NSR05201 | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 0000.00.0000 | 10.000 | - | - | - | - | |||||||||||
![]() | VFT4060C-E3/4W | 1.2067 | ![]() | 5160 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | VFT4060 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 20a | 620 mV @ 20 A | 6 mA a 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | R5110610XXWA | - | ![]() | 1432 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Obsoleto | Chassi, montagem em pântano | Do-205AA, DO-8, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-205AA (DO-8) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,55 V @ 470 A | 7 µs | 30 mA a 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - | |||||||
![]() | EG01AW | - | ![]() | 3757 | 0,00000000 | Sanken | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Axial | EG01 | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | EG01AW DK | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2 V @ 500 mA | 100 ns | 100 µA A 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | - | ||||
![]() | BAS5202VH6327XTSA1 | 0,4100 | ![]() | 660 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | Bas5202 | Schottky | PG-SC79-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 600 mV a 200 mA | 10 µA A 45 V | 150 ° C (Máximo) | 750mA | 10pf @ 10V, 1MHz | |||||
![]() | GP3D060A120U | 25.3893 | ![]() | 6446 | 0,00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | GP3D060 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-3 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 30a | 1,7 V @ 30 A | 0 ns | 60 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | NTE6157 | 48.7500 | ![]() | 17 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Montagem do Pino | Do-203aa, do-8, Garanhão | Padrão | Do-8 | download | ROHS3 Compatível | 2368-NTE6157 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,4 V @ 150 A | 12 mA a 600 V | -40 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - | |||||||
![]() | SE10FD-M3/H. | 0,4900 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SE10 | Padrão | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,05 V @ 1 A | 780 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 7.5pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | VS-SD403C08S10C | 60.4217 | ![]() | 7220 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | Prenda | Do-200aa, a-puk | SD403 | Padrão | Do-200aa, a-puk | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,83 V @ 1350 A | 1 µs | 35 mA a 800 V | 430A | - | |||||
![]() | SD101B-T | - | ![]() | 3268 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Schottky | DO-35 | download | Solicita Verificações de Inventário | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 15 mA | 1 ns | 200 Na @ 40 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15m | 2.1pf @ 0V, 1MHz | |||||
8etx06 | - | ![]() | 9201 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | 8etx06 | Padrão | TO-220AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 3 V @ 8 A | 24 ns | 50 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | |||||
![]() | FFSB0865B-F085 | 4.0600 | ![]() | 9459 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FFSB0865 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | D²PAK-2 (TO-263-2) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10.1a | 336pf @ 1V, 100kHz | ||||
![]() | BY880-200-CT | 0,5372 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tira | Ativo | Através do buraco | Do-201aa, DO-27, axial | BY880 | Padrão | DO-201 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2721-by880-200-CT | 8541.10.0000 | 12 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 8 A | 1,5 µs | 5 µA A 200 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | ||||
![]() | NRVBA2H100T3G-VF01 | - | ![]() | 5833 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | NRVBA2 | Schottky | SMA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 790 mV @ 2 a | 8 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - | |||||
![]() | SB230 | 0,0976 | ![]() | 6120 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Schottky | DO-15 (DO-204AC) | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 2796-SB230TR | 8541.10.0000 | 4.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mv @ 2 a | 500 µA A 30 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||||||
![]() | ACGRMS4007-HF | 0,4100 | ![]() | 5960 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | ACGRMS4007 | Padrão | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 1 A | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | 1N5407GH A0G | - | ![]() | 4724 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-1N5407GHA0GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1 V @ 3 A | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 25pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | MBRF20150CTC0 | - | ![]() | 4496 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF20150 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 20a | 1,05 V @ 20 A | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | NRVTS10100EMFST3G | 0,3904 | ![]() | 2657 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | NRVTS10100 | Schottky | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 720 mV @ 10 A | 50 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - | |||||
![]() | S3MB | 0,1455 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Mdd | SMB | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-214AA, SMB | Padrão | SMB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | 1000 v | 1,1 V @ 3 A | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 35pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
![]() | HSM223CTR-E | 0,1100 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | CMWSH-4 BK | - | ![]() | 3952 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | SC-82A, SOT-343 | Schottky | SOT-343 | download | 1514-CMWSH-4BK | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 2 Independente | 40 v | 100mA (DC) | 600 mV @ 100 Ma | 5 ns | 5 µA A 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
SS25L M2G | - | ![]() | 9959 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS25 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 2 a | 400 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||
![]() | BYT52D-TR | 0,2673 | ![]() | 6185 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Sod-57, axial | BYT52 | Avalanche | SOD-57 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 200 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.4a | - | ||||
![]() | Rs1k | 0,4900 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | RS1 | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||
DSS16-01A | 2.0000 | ![]() | 8039 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | DSS16 | Schottky | TO-220AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | DSS1601A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 790 mV @ 15 A | 500 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 16a | - | |||||
![]() | CDBC2200LR-HF | 0,2320 | ![]() | 1493 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | CDBC2200 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 850 mv @ 2 a | 500 µA @ 200 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | S4320TS | 112.3200 | ![]() | 1719 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | Do-205AA, DO-8, Stud | Padrão | Do-205AA (DO-8) | - | Alcançar Não Afetado | 150-S4320TS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 200 A | 50 µA A 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - | |||||||
![]() | MBR2090CTLFAJ | 0,7300 | ![]() | 900 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | MBR40045CTR | 98.8155 | ![]() | 6210 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | MBR40045 | Schottky | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR40045CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 45 v | 200a | 650 mv @ 200 a | 5 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. |
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