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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAS70-05W-QF | 0,0434 | ![]() | 3503 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | Bas70 | Schottky | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1727-BAS70-05W-QFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 70 v | 70mA (DC) | 1 V @ 15 mA | 10 µA A 70 V | 150 ° C. | |||||
![]() | JANS1N5712UR-1 | - | ![]() | 3245 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA | Schottky | DO-213AA | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANS1N5712UR-1 | Ear99 | 8541.10.0070 | 50 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 16 v | 1 V @ 35 mA | 150 Na @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 75mA | 2pf @ 0V, 1MHz | |||||||
![]() | Jantxv1N1188 | 80.8050 | ![]() | 6134 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/297 | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1188 | Padrão | Do-5 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,4 V @ 110 A | 10 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 35a | - | |||||
SS24FSH | 0,1035 | ![]() | 4460 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | SS24 | Schottky | SOD-128 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SS24FSHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 570 mV @ 2 a | 200 µA a 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 124pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | SB2150-BP | 0,1054 | ![]() | 1023 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | SB2150 | Schottky | DO-15 | download | 353-SB2150-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 2 a | 500 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 65pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | RFS30TZ6SGC13 | 6.1700 | ![]() | 600 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | RFS30 | Padrão | TO-247GE | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-RFS30TZ6SGC13 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 650 v | 2,3 V @ 30 A | 35 ns | 5 µA A 650 V | 175 ° C. | 30a | - | |||
![]() | PMEG4010er-QX | 0,4600 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | Schottky | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 490 mV @ 1 a | 50 µA A 40 V | 150 ° C. | 1a | 130pf @ 1V, 1MHz | ||||||
![]() | CDBJCSC20650-G | - | ![]() | 1217 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220AC | - | 641-CDBJCSC20650-G | Obsoleto | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,8 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 20a | 1170pf @ 0V, 1MHz | ||||||||
![]() | S1KBHR5G | - | ![]() | 1950 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | S1K | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | 1N3289A | 15.5000 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | Do-205AA, DO-8, Stud | Padrão | Do-8 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N3289a | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,2 V @ 200 A | 50 µA A 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - | |||||
![]() | Mur310sh | 0,2277 | ![]() | 9206 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 875 mv @ 3 a | 25 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||||
![]() | B0540W-7-F-2477 | - | ![]() | 2037 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Última Vez compra | Montagem na Superfície | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | - | 31-B0540W-7-F-2477 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 510 mV @ 500 mA | 20 µA A 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 170pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||
![]() | S4J R6 | - | ![]() | 8412 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-S4JR6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,15 V @ 4 A | 1,5 µs | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | BZX84C3V6Q | 0,0280 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-BZX84C3V6QTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | SM165KJ800G2 | 50.3700 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | CAIXA | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | SM165KJ | Padrão | T2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 800 v | 165a | 1,25 V @ 165 A | 20 µA A 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | V40d60c-m3/i | 1.8600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante | V40d60 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 20a | 620 mV @ 20 A | 4 mA a 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | Es5g-t | 0,2874 | ![]() | 8644 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-ES5G-TTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 123pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | MBRS1645 | 0,6433 | ![]() | 4025 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRS1645 | Schottky | TO-263AB (D2PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MBRS1645TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.600 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 630 mV @ 16 a | 500 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | |||||
![]() | Dz23c9v1q | 0,0460 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-DZ23C9V1QTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | DFLS1100-7-2477 | - | ![]() | 8787 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Última Vez compra | Montagem na Superfície | Powerdi®123 | Schottky | Powerdi ™ 123 | - | 31-DFLS1100-7-2477 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 770 mV @ 1 a | 350 Na @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 36pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||
![]() | FFSB0665B | 3.0100 | ![]() | 800 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FFSB0665 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | D²PAK-2 (TO-263-2) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 6 A | 40 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 259pf @ 1V, 100kHz | |||||
SBYV28-150-E3/73 | - | ![]() | 4741 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SBYV28 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,1 V @ 3,5 A | 20 ns | 5 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3.5a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | SR505H | - | ![]() | 7970 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Schottky | Do-201d | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SR505HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 5 a | 500 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||||
![]() | Janhcb1n6642 | 4.0166 | ![]() | 7995 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/394 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | D, axial | Padrão | D-5D | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANHCB1N6642 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 75 v | 1,2 V @ 100 Ma | 5 ns | 500 Na @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300mA | 5pf @ 0V, 1MHz | |||||
![]() | SD103CWS-E3-08 | 0,3800 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | SD103 | Schottky | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 600 mV a 200 mA | 10 ns | 5 µA A 10 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 350mA | 50pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | SBRS5641T3G-VF01 | - | ![]() | 2307 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SBRS5641 | Schottky | SMB | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 488-SBRS5641T3G-VF01TR | 2.500 | - | - | - | - | |||||||||
![]() | MBRL20200CT | 0,5280 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tubo | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MBRL20200CT | Ear99 | 1.000 | ||||||||||||||||||
![]() | ES3CB | 0,0640 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-ES3CBTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4934GP-AP | - | ![]() | 5657 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4934 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | SR806-BPC01 | - | ![]() | 2472 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tubo | Última Vez compra | Através do buraco | Do-201D, axial | SR806 | Schottky | Do-201d | - | 353-SR806-BPC01 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 8 a | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 8a | 380pf @ 4V, 1MHz |
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