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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UB10CCT-E3/8W | - | ![]() | 3748 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | UB10 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 5a | 1,1 V @ 5 A | 25 ns | 5 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | STTH1R02A | 0,4700 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | STTH1 | Padrão | SMA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 1,5 A | 30 ns | 3 µA A 200 V | 175 ° C (max) | 1.5a | - | ||||
![]() | NTE6218 | 45.8200 | ![]() | 8 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | Módlo | download | ROHS3 Compatível | 2368-NTE6218 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100a | 1,3 V @ 100 A | 95 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
![]() | SFF502G C0G | - | ![]() | 5422 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF502 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 980 mV @ 2,5 A | 35 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 70pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | TPMR10GH | 0,4860 | ![]() | 3334 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | TPMR10 | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TPMR10GHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 10 A | 35 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 140pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | LSIC2SD120A15 | - | ![]() | 2974 | 0,00000000 | Littelfuse Inc. | Gen2 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220AC | download | Não Aplicável | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,8 V @ 15 A | 0 ns | 100 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 44a | 920pf @ 1V, 1MHz | |||||||
![]() | BYM07-400HE3/83 | - | ![]() | 2461 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | BYM07 | Padrão | DO-213AA (GL34) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,35 V @ 500 mA | 50 ns | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | 7pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | SFA1007GHC0G | - | ![]() | 8091 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-2 | SFA1007 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,7 V @ 10 A | 35 ns | 10 µA A 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | MBR15120AULPS-TP | - | ![]() | 6361 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | MBR15120 | Schottky | TO-277A | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 120 v | 840 mV @ 15 A | 250 µA A 120 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 15a | - | ||||||
![]() | SF2L8G A0G | - | ![]() | 5164 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | SF2L8 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 2 A | 35 ns | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | S8KC | 0.1897 | ![]() | 4050 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S8KC | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 48pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | RBR1L40ADDTE25 | 0,5900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | RBR1L40 | Schottky | PMDS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 520 mv @ 1 a | 50 µA A 40 V | 150 ° C. | 1a | - | |||||
![]() | RS3G-E3/57T | 0,6600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Rs3g | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 2,5 A | 150 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 44pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | BAT1000-7-F-2477 | - | ![]() | 7008 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Última Vez compra | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Schottky | SOT-23-3 | - | 31-BAT1000-7-F-2477 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 12 ns | 100 µA A 30 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 175pf @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | E1cfs | 0,0220 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-E1CFSTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
10ets08 | - | ![]() | 5556 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | 10ets08 | Padrão | TO-220AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 10 A | 50 µA A 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | ||||||
![]() | MBRS20H200CTH | 0,8193 | ![]() | 8316 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRS20 | Schottky | TO-263AB (D2PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MBRS20H200CTHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.600 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 20a | 970 mV @ 20 A | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | MURB2060CT | 0,4900 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tubo | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MURRB2060CT | Ear99 | 1.000 | ||||||||||||||||||
![]() | DGS15-018CS | - | ![]() | 7100 | 0,00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | DGS15 | Schottky | TO-252AA | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 180 v | 1,5 V @ 7,5 A | 23 ns | 250 µA @ 180 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 24a | - | |||||
![]() | Mur550pfg | - | ![]() | 5448 | 0,00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | Mur55 | Padrão | To-220-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 520 v | 1,15 V @ 5 A | 95 ns | 5 µA @ 520 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - | |||||
![]() | PN412611 | - | ![]() | 9314 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Módlo Pow-R-Blok ™ | Padrão | Módlo Pow-R-Blok ™ | download | Rohs Compatível | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 2600 v | 1200A | 1,25 V @ 3000 A | 22 µs | 200 mA a 2600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
![]() | 1N3294A | 33.5805 | ![]() | 6744 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-205AA, DO-8, Stud | 1N3294 | Padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1N3294AGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,5 V @ 100 A | 13 mA a 800 V | -40 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - | |||||
![]() | Fdll914a | 0,1400 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | Fdll914 | Padrão | SOD-80 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1 V @ 20 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 200Ma | 4pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | CPT40090A | - | ![]() | 9550 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 90 v | 200a | 890 mV @ 200 A | 5 mA a 90 V | ||||||||
![]() | BZX84B16Q | 0,0290 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-BZX84B16QTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | MBR60100WT | 3.0200 | ![]() | 923 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | MBR60100 | Schottky | TO-247AD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | 1655-1081 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | - | 900 mV @ 30 A | 1 ma @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | ES1DS | 0,0300 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-ES1DSTR | Ear99 | 5.000 | ||||||||||||||||||
![]() | FR201GT-G | 0,0600 | ![]() | 1909 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Padrão | DO-15 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 641-FR201GT-GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,3 V @ 2 A | 150 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||||
![]() | SDT20A100CTFP | 0,6232 | ![]() | 7890 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SDT20 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 10a | 670 mV @ 10 a | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
JAN1N5621US/TR | 8.5800 | ![]() | 2190 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | Padrão | D-5A | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JAN1N5621US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,6 V @ 3 A | 300 ns | 500 Na @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - |
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