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Retificadores (74344)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
VS-20UT04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ut04 -
RFQ
 ECAD 2358 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco TO-251-3 Leads de Stub, Ipak 20ut04 Schottky IPAK (TO-251) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 75 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 610 mV @ 20 A 100 µA A 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 20a 1900pf @ 5V, 1MHz
MDD142-16N1 IXYS MDD142-16N1 57.1300
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Ixys - CAIXA Ativo Montagem do chassi Y4-M6 MDD142 Padrão Y4-M6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado MDD14216N1 Ear99 8541.10.0080 6 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 1600 v 165a 1,3 V @ 300 A 20 mA a 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C.
DD200S33K2CC1NOSA1 Infineon Technologies DD200S33K2CC1NOSA1 -
RFQ
 ECAD 8701 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto Montagem do chassi Módlo Padrão A-IHV73-3 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 4 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 3300 v 200a (DC) 3,5 V @ 200 A 275 A @ 1800 V -40 ° C ~ 125 ° C.
VSB2200S-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSB2200S-M3/73 -
RFQ
 ECAD 7858 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos TMBS® Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial B2200 Schottky DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VSB2200SM373 Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,23 V @ 2 A 40 µA A 200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 2a 110pf @ 4V, 1MHz
MBRD835LT4G onsemi MBRD835LT4G 0,9300
RFQ
 ECAD 6845 0,00000000 Onsemi SwitchMode ™ Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MBRD835 Schottky DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 35 v 510 mV @ 8 a 1,4 mA a 35 V -65 ° C ~ 150 ° C. 8a -
GP10MEHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Gp10mehe3/54 -
RFQ
 ECAD 9106 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Gp10 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,2 V @ 1 A 3 µs 5 µA A 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 7pf @ 4V, 1MHz
RBS2LAM40BTR Rohm Semiconductor Rbs2lam40btr 0,1360
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 ECAD 3 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 Rbs2lam40 Schottky Pmdt download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 846-RBS2LAM40BCT Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 410 mv @ 2 a 500 µA A 20 V 125 ° C. 2a -
BYV27-150-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV27-150-TR 0,6600
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Sod-57, axial BYV27 Avalanche SOD-57 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 165 v 1,07 V @ 3 A 25 ns 1 µA A 165 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2a -
MURHB840CTT4 onsemi MURHB840CTT4 0,7700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Onsemi - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MURHB8 Padrão D²pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 400 v 4a 2,2 V @ 4 A 28 ns 10 µA A 400 V -65 ° C ~ 175 ° C.
MUR860 Taiwan Semiconductor Corporation Mur860 1.8400
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Mur860 Padrão TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 8 a 50 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 8a -
GR3B Yangjie Technology Gr3b 0,0740
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-GR3BTR Ear99 3.000
HS1J Yangjie Technology HS1J 0,0300
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Padrão DO-214AC (SMA) - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-HS1JTR Ear99 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 1 A 75 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
VS-T85HF10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T85HF10 31.3400
RFQ
 ECAD 5119 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Montagem do chassi D-55 T-Múdulo T85 Padrão D-55 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 20 mA a 100 V 85a -
122NQ030R-1 SMC Diode Solutions 122NQ030R-1 35.7800
RFQ
 ECAD 269 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Volume Ativo Montagem do chassi Meio pak 122NQ Schottky Prm1-1 (Módulo Half Pak) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 27 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 490 mV @ 120 A 10 mA a 30 V -55 ° C ~ 150 ° C. 120a 7400pf @ 5V, 1MHz
GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H 5.6100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Tubo Ativo Através do buraco To-247-2 GD05MPS Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1242-GD05MPS17H Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1700 v 1,8 V @ 5 A 0 ns 20 µA A 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C. 15a 361pf @ 1V, 1MHz
AR1PK-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR1PK-M3/85A 0,1271
RFQ
 ECAD 7198 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-220AA AR1 Avalanche DO-220AA (SMP) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,6 V @ 1 A 120 ns 1 µA A 800 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 8.5pf @ 4V, 1MHz
IRKE91/04A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKE91/04A -
RFQ
 ECAD 1939 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Obsoleto Montagem do chassi Add-a-Pak (2) IRKE91 Padrão Add-a-Pak® download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 10 mA a 400 V 100a -
10WQ045FN Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10WQ045fn -
RFQ
 ECAD 5984 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 10WQ045 Schottky D-Pak (TO-252AA) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 75 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 630 mV @ 10 A 1 ma @ 45 V -40 ° C ~ 175 ° C. 10a -
SS26A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd SS26A 0,2200
RFQ
 ECAD 7080 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA SS26 Schottky DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 500 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
JANTXV1N6627/TR Microchip Technology Jantxv1n6627/tr 18.0900
RFQ
 ECAD 9985 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/590 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco E, axial Padrão - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-JANTXV1N6627/TR Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 440 v 1,35 V @ 2 A 30 ns 2 µA @ 440 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1.75a 40pf @ 10V, 1MHz
VS-15ETH06-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETH06-1PBF -
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 ECAD 6638 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® Tubo Descontinuado no sic Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA 15eth06 Padrão TO-262AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Vs15eth061pbf Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,2 V @ 15 A 29 ns 40 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 15a -
STTH8R03DJF-TR STMicroelectronics STTH8R03DJF-TR 2.0600
RFQ
 ECAD 9035 0,00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 8-powervdfn STTH8 Padrão Powerflat ™ (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 1,3 V @ 8 A 50 ns 40 µA A 300 V 175 ° C (max) 8a -
BAS40-04-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS40-04-HE3-18 0,4000
RFQ
 ECAD 39 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas40 Schottky SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 40 v 200Ma 1 V @ 40 Ma 5 ns 100 Na @ 30 V 125 ° C (Máximo)
SBR30E100CT Diodes Incorporated SBR30E100CT -
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 ECAD 8840 0,00000000 Diodos Incorporados Sbr Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 SBR30 Super Barreira To-220-3 download ROHS3 Compatível Não Aplicável ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 15a 800 mV @ 15 A 100 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C.
ZW7100-04 Yangjie Technology ZW7100-04 44.0000
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 ECAD 16 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Volume Ativo Prenda Do-200ab, B-Puk Padrão - - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-ZW7100-04 Ear99 16 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,05 V @ 5000 A 15 mA a 400 V -40 ° C ~ 170 ° C. 7100A -
BY229X-600HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY229X-600HE3/45 -
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 ECAD 7660 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada BY229 Padrão ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,85 V @ 20 A 145 ns 10 µA A 600 V -40 ° C ~ 150 ° C. 8a -
SS15L RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS15L RVG 0.1071
RFQ
 ECAD 9382 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS15 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 400 µA A 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
1N2055 Solid State Inc. 1N2055 21.0000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - CAIXA Ativo Montagem do Pino DO-205AB, DO-9, Stud Padrão Do-9 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 2383-1N2055 Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,3 V @ 300 A 75 µA A 100 V -65 ° C ~ 190 ° C. 275a -
NRVBAF2H100T3G onsemi NRVBAF2H100T3G -
RFQ
 ECAD 3243 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Ativo NRVBAF2H100 - 488-NRVBAF2H100T3GTR Ear99 8541.10.0080 1
SD103C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103C-TR 0,3500
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 ECAD 24 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial SD103 Schottky DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 600 mV a 200 mA 10 ns 5 µA A 10 V 125 ° C (Máximo) - 50pf @ 0V, 1MHz
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